[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

提供了一种半导体结构，包括至少一个n型场效应晶体管(nFET)和至少一个p型场效应晶体管(pFET)，这两种晶体管分别包括具有nFET特性的金属栅极和具有pFET特性的金属栅极，而不包括上部多晶硅栅极电极。本发明还提供了一种制造所述半导体结构的方法。

主权项

1.一种半导体结构，包括：半导体衬底，其包括通过隔离区域分隔的至少一个nFET器件区域和至少一个pFET器件区域；第一金属栅极叠层，其在所述至少一个nFET器件区域中，所述第一金属栅极叠层具有nFET特性并包括包含稀土金属的层和第一金属层；以及第二金属栅极叠层，其在所述至少一个pFET器件区域中，所述第二金属栅极叠层具有pFET特性并包括第二金属层，所述第二金属层与所述第一金属层相同或不同，其中所述第一金属层和所述第二金属层在其上不包括包含Si的栅电极。