[发明专利]半导体器件及其制作方法无效
| 申请号： | 200610142116.4 | 申请日： | 2006-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1945825A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 古谷晃 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：半导体衬底；形成在半导体衬底上的下绝缘膜；形成互连的金属膜，用于填充形成在下绝缘膜的表面部分中的凹槽，并且含有铜作为主要组分；形成在下绝缘膜上的上绝缘膜；以及形成在下绝缘膜和上绝缘膜之间的含金属的层，其含有与铜不同的金属。含金属的层包括与形成互连的金属膜接触的第一区，以及与下绝缘膜接触的并且具有与第一区的组分不同的组分的第二区，并且至少在第一区中基本上不含氮。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的第一绝缘膜；含铜金属膜，用于填充形成在所述第一绝缘膜的表面部分中的凹槽，并且其含有铜作为主要成分；形成在所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜；以及含金属的层，其形成在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜之间，并且含有与铜不同的金属元素，所述含金属的层包括与所述含铜金属膜接触的第一区以及与所述第一绝缘膜接触并且具有与所述第一区的组分不同的组分的第二区，并且至少在所述第一区中基本上不含氮。
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