[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200610137422.9 | 申请日： | 2006-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN1983586A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 坂仓真之;大沼英人;桑原秀明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包括具有高驱动性能和可靠性的电路的半导体装置及其制造方法。本发明的一个目的是在不增加步骤数的情况下防止断裂或不良接触，从而形成具有高驱动性能和可靠性的集成电路。本发明将各自设有衍射光栅图案或由具有光强减小功能的半透明膜形成的辅助图案的光掩模或光罩应用于在引线的重叠部分中形成引线的光刻步骤。并且形成用作两层结构的下引线的导电膜，然后，形成抗蚀剂图案以形成下引线的第一层和窄于第一层的第二层来减缓陡直阶梯。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：形成于绝缘表面上的第一引线；形成于所述第一引线上并在与所述第一引线相同的方向上延伸的第二引线；形成于所述第二引线上的绝缘膜；以及形成于所述绝缘膜上并与所述第一引线和所述第二引线相交的第三引线，其中在与所述第二引线和所述第三引线的相交部分和所述相交部分的附近处，所述第一引线比所述第二引线宽。
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