[发明专利]高电压金属氧化物半导体装置有效
| 申请号： | 200610094035.1 | 申请日： | 2006-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101022130A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 吴华书;洪丰基;陈鸿霖;李士敬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L29/423 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种高电压金属氧化物半导体装置，包含一栅极结构，设置于一半导体基底上方；一对绝缘间隙物，分别设置于该栅极结构的侧壁上；以及一对悬浮非绝缘间隙物，分别嵌入于该绝缘间隙物中，其中各该悬浮非绝缘间隙物借由该绝缘间隙物与该栅极结构及该半导体基底隔离。通过本发明，热载流子造成抵抗力下降现象可明显的改善，进而改善组件传输电导(Gm)及饱和漏极电流(Idsat)下降现象。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 金属 氧化物 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种高电压金属氧化物半导体装置，包含：一栅极结构，设置于一半导体基底上方；一对绝缘间隙物，分别设置于该栅极结构的侧壁上；以及一对悬浮非绝缘间隙物，分别嵌入于该绝缘间隙物中，其中各该悬浮非绝缘间隙物借由该绝缘间隙物与该栅极结构及该半导体基底隔离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610094035.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于内燃机涡轮增压器系统的管路
- 下一篇：微生物饲料添加剂
- 同类专利
- 专利分类
