[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610006224.9 | 申请日： | 2006-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1819181A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 筒江诚;后藤欣哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社;株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。目的在于：在具有被低介电常数膜覆盖的金属布线的半导体装置中，能够提高防止来自金属布线的扩散的金属扩散防止膜、和低介电常数膜之间的界面的粘附性，实现低介电常数膜和金属扩散防止膜难以脱离的可靠性较高的半导体装置。在衬底上依次形成有第1绝缘膜21、第2绝缘膜23A、第3绝缘膜23B、由SiOC构成的第4绝缘膜24和第5绝缘膜25。第2绝缘膜23A为与氧相比氮原子百分率的值较高的SiOCN膜，第3绝缘膜23B为与氮相比氧原子百分率的值较高的SiOCN膜。在第3绝缘膜23B的上面，形成有氧对于硅的组成比与第3绝缘膜23B的底面相比，高5％或5％以上的表面层23a。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于：包括：第1绝缘膜，形成在衬底上、具有第1沟部，第2绝缘膜，形成在上述第1绝缘膜上，第3绝缘膜，形成在上述第2绝缘膜上、相对介电常数小于等于3，以及第1布线，形成在上述第1沟部；上述第2绝缘膜由含硅、氧、碳及氮的化合物构成，且上述第2绝缘膜上面的氧对于硅的组成比，与上述第2绝缘膜底面的氧对于硅的组成比相比，高5％或5％以上。
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