[发明专利]半导体晶片及半导体器件的制造方法以及半导体器件无效
| 申请号： | 200610005974.4 | 申请日： | 2006-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1819159A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 隈川隆博;内海胜喜;松岛芳宏;松浦正美 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/301;H01L21/78;B23K26/38;B28D5/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体晶片及半导体器件的制造方法以及半导体器件，在半导体基板上具有多个半导体元件及分割区域，在所述半导体基板的内部具有改质区域，在分割区域的至少一部分具有分割引导图形，利用所述分割引导图形对以所述改质区域为起点所产生的裂口进行引导。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 半导体器件 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片，其特征在于，是在半导体基板上层叠的层叠部分具有多个半导体元件及将所述多个半导体元件分割成一个个半导体器件用的分割区域的半导体晶片，在所述半导体基板内部具有成为产生裂口的起点的改质区域，在所述分割区域的至少一部分形成引导所述裂口前进用的分割引导图形。
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