[发明专利]存储器地址生成电路和使用该电路的存储控制器有效

专利信息
申请号: 200610004234.9 申请日: 2006-02-13
公开(公告)号: CN1828767A 公开(公告)日: 2006-09-06
发明(设计)人: 林敏洙 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C8/00 分类号: G11C8/00;G11C11/4063
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 黄小临;王志森
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供一种存储器地址生成电路和包括该存储器地址生成电路的存储控制器,用户通过该电路可以根据应用该存储器的环境自由地选择生成存储器地址的方法。存储器地址生成电路包括CAS地址选择电路和RAS地址选择电路。CAS地址选择电路使用N(N是整数)个列地址信号和M(M是整数)个CAS地址选择信号输出CAS地址信号。RAS地址选择电路使用K(K是整数)个行地址信号和L(L是整数)个RAS地址选择信号输出RAS地址信号。存储器地址生成电路控制CAS地址选择信号和RAS地址选择信号来执行最适合使用该存储器的系统的存储映射。
搜索关键词: 存储器 地址 生成 电路 使用 存储 控制器
【主权项】:
1.一种用于存取包括多个存储器存储体的存储器的存储器地址生成电路,每个存储器存储体被分成多个预定大小的页面,该存储器地址生成电路包括:列地址选通(CAS)地址选择电路,其使用多个列地址信号和多个CAS地址选择信号输出CAS地址信号;和行地址选通(RAS)地址选择电路,其使用多个行地址信号和多个RAS地址选择信号输出RAS地址信号,其中,该存储器地址生成电路控制CAS地址选择信号和RAS地址选择信号来执行最适合于使用该存储器的系统的存储映射方法。
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