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[发明专利]存储器设备中的ZQ电阻器校准电路及其校准方法-CN202180001099.5有效
发明人： 张黄鹏;杨诗洋 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：在特定方面，一种用于ZQ电阻器校准的电路可以包括第一输入，被配置为接收第一默认配置。该电路还可以包括第二输入，被配置为接收基于第一比较的第一校准值。该电路还可以包括第一输出，被配置为提供用于第一电阻器类别的第一电阻器代码。该电路可以另外包括第二输出，被配置为提供用于与第一电阻器类别不同的第二电阻器类别的第二电阻器代码。该电路还可以包括第一逻辑电路，被配置为接收来自第一输入的信号和来自第二输入的信号，并且将信号提供到第一输出。到第一输出的信号可以包括第一电阻器代码。第一电阻器代码可以与第二电阻器代码不同。
存储器设备中的 zq 电阻器校准电路及其方法

[发明专利]一种存储器的操作方法、存储器及存储系统-CN202211338154.2在审
发明人：魏德波;张黄鹏;何旺;王硕 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请公开一种存储器的操作方法、存储器及存储系统。其中，所述存储器包括存储阵列和用于控制所述存储阵列的外围电路；所述操作方法包括：获得在第一场景下为所述外围电路定制的第一运行数据；所述第一场景不同于在初始化配置时为所述外围电路配置的默认场景；基于所述第一运行数据对所述外围电路进行配置，使所述存储器的性能满足在所述第一场景下的要求。
一种存储器操作方法存储系统

[发明专利]闪存存储器的操作方法及装置-CN202211552294.X在审
发明人： 张黄鹏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G11C8/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种闪存存储器的操作方法及装置，操作方法包括：在对所述闪存存储器进行数据操作时，向所述闪存存储器写入操作命令；所述操作命令至少包括地址信息；所述地址信息包括数据地址和补偿特征值；所述闪存存储器包括外围电路和存储单元阵列；所述外围电路根据所述补偿特征值调节数据操作参数并对所述存储单元阵列中所述数据地址处的数据执行所述数据操作。本发明在对闪存存储器进行数据操作时，将补偿特征值设置于地址信息中，无需额外引入特征值设置序列，从而大幅节省了闪存存储器数据操作时间，提升了器件性能。
闪存存储器操作方法装置

[发明专利]一种非易失性存储器的控制系统-CN201910440193.5有效
发明人： 张黄鹏;王颀;霍宗亮 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种非易失性存储器的控制系统，所述非易失性存储器包括：位线驱动模块；所述控制系统包括：控制器、处理模块和时序处理模块；其中，所述控制器用于输出预设序列码至所述处理模块；所述处理模块用于依据所述预设序列码生成目标序列码；所述时序处理模块用于依据所述目标序列码控制所述位线驱动模块的时序。该控制器通过处理模块与时序处理模块进行通信，可以在单步调试模式下，通过控制所述控制器输出预设序列码，实现精细化测试任务，实现了外部控制模式。
一种非易失性存储器控制系统

[发明专利]闪存存储器的操作方法及装置-CN202110093103.7有效
发明人： 张黄鹏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G11C8/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种闪存存储器的操作方法及装置，操作方法的特征在于：在对所述闪存存储器进行数据操作时，向所述闪存存储器写入操作命令；所述操作命令至少包括地址信息；所述地址信息包括数据地址和补偿特征值；所述闪存存储器包括外围电路和存储单元阵列；所述外围电路根据所述补偿特征值调节数据操作参数并对所述存储单元阵列中所述数据地址处的数据执行所述数据操作。本发明在对闪存存储器进行数据操作时，将补偿特征值设置于地址信息中，无需额外引入特征值设置序列，从而大幅节省了闪存存储器数据操作时间，提升了器件性能。
闪存存储器操作方法装置

[发明专利]误码率平衡方法及装置-CN201911300109.6有效
发明人：王颀;姜一扬;张黄鹏;霍宗亮 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明提供误码率平衡方法及装置，以实现对不同逻辑页的误码率的平衡。在本发明实施例中，在编码得到第一码字组后，对第一码字组中的第一比特单元组执行了平衡各逻辑页的误码率的修改操作，得到第二码字组并保存。在执行修改操作后，第一比特单元组被修改为第二比特单元组，而第二比特单元组中的G个比特单元的分布态组合为第二分布态组合集中的分布态组合。第一比特单元组中G个比特单元的分布态组合则为第一分布态组合集中的分布态组合。第二分布态组合集中的分布态组合与第一分布态组合集中的分布态组合相比，可在一定程度上平衡Upper Page、Middle Page、Lower Page的误码率，进而推迟了读出纠错再写入的操作的发生时间。
误码率平衡方法装置

[发明专利]一种ZQ校准方法、存储器及存储系统-CN202210975341.5在审
发明人：魏德波;张黄鹏;张思敏;何旺 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种ZQ校准方法、存储器及存储系统。其中，所述方法包括：获取为短ZQ校准配置的最大循环次数；所述最大循环次数用于表明所述短ZQ校准的校准范围；在接收到短ZQ校准命令后，对所述存储器的接口阻抗进行所述短ZQ校准，直到执行校准的循环次数达到所述最大循环次数和/或校准结果满足要求。
一种 zq 校准方法存储器存储系统

[发明专利]一种3D NAND存储器擦除时的电压控制方法及装置-CN202210267733.6在审
发明人：曹华敏;付祥;姜柯;高帅;陈子龙;安阳;向斌;黄新运;张黄鹏;王颀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明提供一种3D NAND存储器擦除时的电压控制方法，在真存储单元的字线的偏置电压处于擦除控制电压时，将阱掺杂区的偏置电压上升至擦除工作电压并保持所述擦除工作电压，在阱掺杂区的偏置电压上升至第一中间电压期间，将伪存储单元的字线的偏置电压保持在第一预设电压，而后，将伪存储单元的字线设置为浮置状态，其中，第一预设电压小于第一中间电压，这样，减小伪存储单元所在的字线的电压与相邻的真存储单元所在的字线的电压差，避免在真存储器单元所在的字线和伪存储器所在的字线之间产生隧穿，从而避免伪存储器单元阈值电压漂移，避免存储器单元串电流的降低，进而避免真存储器单元的读错误。
一种 nand 存储器擦除电压控制方法装置

[发明专利]一种存储装置及其控制方法-CN202111624253.2在审
发明人： 张黄鹏;王瑜 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储装置及其控制方法，其中，所述存储装置包括：存储阵列，所述存储阵列包括多个存储块；全局字线，耦合至所述存储阵列中的多个存储块；所述全局字线通过串驱动器与所述存储块的本地字线相连接；与所述全局字线连接的电源切换模块，配置为在擦除放电阶段，将所述全局字线从第一电源切换为第二电源；其中，所述第一电源的第一输出电压小于所述第二电源的第二输出电压。
一种存储装置及其控制方法

[发明专利]芯片测试方法及其装置-CN202111632356.3在审
发明人：魏德波;张黄鹏;宋大植 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本申请提供了一种存储器芯片的测试方法，其中被测试的存储器芯片具有对应数据通道的数据输入/输出端口和芯片使能端口，测试方法包括：从数据输入/输出端口接收来自测试仪的模式编码信号，模式编码信号包括用于控制芯片使能端口的第一编码信息；以及在测试的过程中基于第一编码信息控制芯片使能端口。本申请的测试方法通过减少单个存储器芯片占用探针的数量来提高测试仪的测试效率，在一定程度上提高了测试仪并行测试芯片的能力，减少了芯片测试的时间，提高了测试效率，降低了生产成本。同时，使用更少的探针进行芯片测试可在一定程度上减少探针之间的信号串扰，提高测试质量。
芯片测试方法及其装置

[发明专利]一种3D NAND存储器擦除时的电压控制方法及装置-CN201911203481.5有效
发明人：曹华敏;付祥;姜柯;高帅;陈子龙;安阳;向斌;黄新运;张黄鹏;王颀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明提供一种3D NAND存储器擦除时的电压控制方法，在真存储单元的字线的偏置电压处于擦除控制电压时，将阱掺杂区的偏置电压上升至擦除工作电压并保持所述擦除工作电压，在阱掺杂区的偏置电压上升至第一中间电压期间，将伪存储单元的字线的偏置电压保持在第一预设电压，而后，将伪存储单元的字线设置为浮置状态，其中，第一预设电压小于第一中间电压，这样，减小伪存储单元所在的字线的电压与相邻的真存储单元所在的字线的电压差，避免在真存储器单元所在的字线和伪存储器所在的字线之间产生隧穿，从而避免伪存储器单元阈值电压漂移，避免存储器单元串电流的降低，进而避免真存储器单元的读错误。
一种 nand 存储器擦除电压控制方法装置

[发明专利]存储器件及其编程操作-CN202180002843.3在审
发明人： 张黄鹏;杜智超;姜柯;罗聪;宋大植 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：在某些方面，一种存储器件，包括：存储单元；以及外围电路，耦合到所述存储单元。所述外围电路被配置为：对所述存储单元中的选择的存储单元启动编程操作；获得所述编程操作期间一个或多个暂停的发生次数；以及基于暂停的所述发生次数确定用于所述编程操作的编程脉冲限制。
存储器件及其编程操作

[发明专利]隧穿式场效应晶体管三维NAND数据单元结构以及其形成方法-CN201880005382.3有效
发明人：黄新运;王颀;付祥;夏志良;张黄鹏;曹华敏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：公开了一种三维存储器器件的结构与方法。在一个示例中，存储器器件包括穿过交替导体/电介质堆叠而设置的多个垂直存储器串。各存储器串包括复合电介质层与隧穿式场效应晶体管的半导体层。隧穿式场效应晶体管的半导体层包括N型半导体层与P型半导体层。
隧穿式场效应晶体管三维 nand 数据单元结构及其形成方法

[发明专利]数据处理方法及相关产品-CN202110296212.9有效
发明人：姜一扬;张黄鹏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种数据处理方法及相关产品，通过获取原始数据并将原始数据存储到存储器中的第一存储区；若原始数据的存储周期超过第一预设时长，则在原始数据存储周期内的任一中间时刻，读取第一存储区在中间时刻所存储的中间数据，并将中间数据存储到所述存储器中的第二存储区，在需要读取所述原始数据的读取时刻，读取第二存储区在读取时刻所存储的第二数据，并读取第一存储区在读取时刻所存储的第一数据，根据第二数据对第一存储区的第一数据进行纠错，得到修正后的原始数据，如此，能够通过提前存储任一中间时刻的中间数据，并在读取时刻根据中间数据进行纠错，在原始数据存储周期较长的情况下，能够保持纠错码模块较强的纠错能力。
数据处理方法相关产品

[发明专利]一种三维存储器-CN201811013316.9有效
发明人：黄新运;王颀;付祥;夏志良;张黄鹏;曹华敏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：本申请公开了一种三维存储器，该存储器中，其每个沟道孔内的第一掺杂类型材料层和第二掺杂类型材料层作为对应存储串的各个存储单元的源极和漏极，同一存储串内的各个存储单元均可以通过源极和漏极实现电路通路，因而，通过同一沟道孔内的第一掺杂类型材料层和第二掺杂类型材料层能够将同一存储串内的各个存储单元形成并联结构。如此，在每个存储单元的栅极上施加较小的控制电压即可实现对存储单元的选通，而且，因同一存储串内的各个存储单元为并联结构。因而，该三维存储器的结构有利于降低三维存储器中的读取干扰、传输干扰和编辑干扰。
一种三维存储器

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