[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体制造装置无效
| 申请号： | 200580051562.8 | 申请日： | 2005-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101263589A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;寺本章伸;赤堀浩史 | 申请（专利权）人： | 大见忠弘 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/02;H01L29/78;B65G49/00;B65G49/07;H01L21/316 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明通过在含有氢气的惰性气体气氛中保持晶片，抑制晶片表面的氢末端性在输送途中(20)等中变差。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在完成将半导体表面氢末端化的第一工序后，通过转移到将所述半导体暴露于含有H2气体的惰性气体气氛中的第二工序，保持氢末端性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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