[发明专利]半导体加工系统反应腔室有效
| 申请号： | 200510130734.2 | 申请日： | 2005-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1848376A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 张宝峰 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/67;C23C16/44;C23C14/22;C23F4/00;H01J37/32;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 练光东 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体加工系统反应腔室，包括由窗体、腔室壁组成的封闭空间，可腔室壁设侧面进气口，也可在窗体上设有中央进气口，或同时设侧面进气口和中央进气口，腔室壁下部连通有排气口，腔室壁内侧设有内衬，腔室壁内底侧设有底衬，内衬内侧设有里层内衬，在内衬和里层内衬之间留有距离，构成气体流动空间，里层内衬的壁上设置有若干气孔，里层内衬以内的封闭空间与进气口连通，气体流动空间与排气口连通。本发明具有两层内衬，里层内衬用来保证腔室内等离子体的均匀性，利用气体流动空间的缓冲，提高了腔室气体排出的均匀度，可以通过反应腔室的进、排气方式来提高腔室内等离子体的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 加工 系统 反应 | ||
【主权项】：
1、一种半导体加工系统反应腔室，包括由窗体(2)、腔室壁(3)组成的封闭空间(11)，腔室壁和/或窗体上设有进气口，腔室壁下部连通有排气口(6)，腔室壁(3)内侧设有内衬(9)，腔室壁(3)内底侧设有底衬(10)，其特征在于，在所述内衬(9)内侧设有里层内衬(12)，在内衬(9)和里层内衬(12)之间留有距离，构成气体流动空间(13)，里层内衬(12)的壁上设置有若干气孔，里层内衬(12)以内的封闭空间与进气口连通，气体流动空间(13)与排气口(6)连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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