[发明专利]半导体集成电路及其布局方法、以及标准单元无效
| 申请号： | 200510127426.4 | 申请日： | 2005-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1801490A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 农添三资;矢野纯一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/82;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种采用了标准单元的半导体集成电路，使电路面积减少。作为半导体集成电路，包括第1标准单元，具有第1逻辑电路和控制对上述第1逻辑电路的电流供给的第1开关；和第2标准单元，具有第2逻辑电路和控制对上述第2逻辑电路的电流供给的第2开关，其中，上述第1开关，作为上述第2开关被上述第2标准单元所共用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 及其 布局 方法 以及 标准 单元 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，其特征在于：包括第1标准单元，具有第1逻辑电路和控制对上述第1逻辑电路的电流供给的第1开关；第2标准单元，具有第2逻辑电路和控制对上述第2逻辑电路的电流供给的第2开关；其中，上述第1开关，作为上述第2开关被上述第2标准单元所共用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
