[发明专利]半导体元件的熔丝

摘要

一种半导体元件的熔丝结构，包括在半导体基底上，夹于上下绝缘层中的一熔丝层，其借着介层洞与其它金属层电性相连，熔丝层的电阻系数可以藉其形成材料而调整。熔丝层具有多个互相分离的区块，至少一连结区块与至少一热缓冲区块，而热缓冲区块与烧熔点附近的区块或具烧熔点的区块相耦接，而提供一条新的热传导路径。当面积较狭窄的连结区块因为流经电流密度较高而有过热之虞时，热缓冲区块与其相耦接的区块，则可将烧熔点附近所产生的热均匀分布，而有助于散热。

主权项

1、一种半导体元件的熔丝，包括：一第一绝缘层，形成在一半导体基底上；一熔丝层，形成于该第一绝缘层上，其中该熔丝层为具有多个区块，包括一第一区块、一第二区块、一第三区块、一第四区块以及连接第一区块与第四区块的一连结区块，其中第二区块与第三区块为位于第一区块与第四区块之间，该连结区块位于第二区块与第三区块之间，但与第二区块与第三区块并不相连，而除了该连结区块连接第一区块与第四区块外，其它区块彼此并不相连；一第二绝缘层层，形成在该熔丝层上，其中该第二绝缘层包含多个介层插塞；以及一顶部金属层，形成在该第二绝缘层上而与该些介层插塞相连接，其中该顶部金属层包括一热缓冲区块，而该热缓冲区块透过多个介层插塞与第二区块与第三区块耦接，但该热缓冲区域与第一区块与第四区块并不耦接。