[发明专利]半导体内连线结构与NOR型快闪记忆体及其制造方法有效
| 申请号： | 200510059866.0 | 申请日： | 2005-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1841723A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 何之浩;吴俊沛 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L23/532;H01L21/768;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体内连线结构与NOR型快闪记忆体及其制造方法。该半导体内连线结构，包括一基底、一层绝缘层及一层导体层。其中，在此基底中已形成有一沟渠，而绝缘层配置于沟渠内。再者，导体层配置于绝缘层内而不与沟渠表面接触，且被绝缘层所包覆。藉此，可有效缩小半导体元件的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 连线 结构 nor 型快闪 记忆体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体内连线结构，其特征在于其包括：一基底，该基底中已形成有一沟渠；一绝缘层，配置于该沟渠内；以及一导体层，配置于该绝缘层内而不与该沟渠表面接触，且被该绝缘层所包覆。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510059866.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：奶花芸豆种子防病包衣剂
- 下一篇：含有妥曲珠利的抗球虫溶液及其制备方法
