[发明专利]光波导及其制造方法有效
| 申请号： | 200510008165.4 | 申请日： | 2005-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1657988A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 宗和范;望月周;清水裕介;金城直隆 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为提供能提高生产效率而且操作性及生产稳定性优良的光波导的制造方法、以及由该光波导制造方法制造的光波导，在底层2上涂布含有芴衍生物和光致产酸剂的光聚合性树脂组合物的清漆，经干燥形成表面无粘性的树脂层4。使光掩模5与该树脂层4接触，经接触曝光法使树脂层4曝光后，经显影，使树脂层4形成图形。之后，使树脂层4固化，形成芯层3，然后，在底层2上形成外涂层6将芯层3覆盖，得到光波导。利用本法，由于形成表面无粘性的树脂层4，可经接触曝光法曝光，因而可减少夹入隔离片等的工时和繁杂的工序，可提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.光波导制造方法，其特征在于，包括通过含有通式(1)所示的芴衍生物和光致产酸剂的光聚合性树脂组合物形成芯层的工序![]()
式中R1～R4可相同或不同，表示氢原子或碳原子数1～6的烷基；R5和R6可相同或不同，表示氢原子或甲基，n各自独立，表示0～10的整数。
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- 2022-04-12 - 2023-08-04 - G02B6/13
- 本发明公开了一种用于量子通信中波导的刻蚀工艺方法，高质量铌酸锂波导在量子通信中至关重要，波导质量决定了芯片的质量，进而影响在量子通信中的传输量与传输速度，选用铌酸锂晶圆为衬底，在其正Z面沉积铬层、旋涂光刻胶，后经光刻、铬腐蚀在铌酸锂晶圆上得到波导图形，再经质子交换、刻蚀等工艺过程，得到高质量波导，光刻胶厚度控制在600‑700nm；氢离子与锂离子进行交换，质子源为配比4270：1的苯甲酸与苯甲酸锂熔融态，质子交换炉温度170℃、时间10‑24h；湿法刻蚀过程中，1：2.5氢氟酸和硝酸刻蚀液，16‑20℃的刻蚀温度。本发明采用的刻蚀工艺方法，使得展宽精准控制、刻蚀速率稳定、波导表面光滑、传输损耗低。
- 一种硅光耦合结构-202310566605.6
- 汪帅;杨涛;杨晓光;吕尊仁;孟磊;柴宏宇;王胜林 - 中国科学院半导体研究所
- 2023-05-19 - 2023-07-28 - G02B6/13
- 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种硅光耦合结构，包括：衬底（1），其表面一选区内刻蚀形成外延槽；外延复合层（4），生长于外延槽内，包括第一外延层（41）和第二外延层（42），第一外延层（41）覆盖外延槽底部，第二外延层（42）位于第一外延层（41）的上表面的第一预定区域，第一预定区域的面积小于或等于第一外延层（41）的面积；顶波导层（6），设置于第二外延层（42）上，并延伸出外延槽。本发明的硅光耦合结构体积紧凑，工艺兼容性高，耦合效率高，同时具有灵活性和可拓展性。
- 一种能够实现双层波导的方法-202310555792.8
- 贾连希 - 苏州硅光科技有限公司
- 2023-05-17 - 2023-07-25 - G02B6/136
- 本发明提供一种能够实现双层波导的方法，包括以下步骤：S1：第一次光刻；将光刻胶涂覆在硬掩膜层表面，以暴露出硬掩膜层，再通过刻蚀将暴露出的硬掩膜层及下包层进行蚀掉，完成硬掩膜层及下包层的刻蚀；S2：第二层光刻及下包层刻蚀；清洗完剩余的光刻胶，并再次涂覆新光刻胶，利用斜切层光刻，再次刻蚀暴露的下包层；S3：掩膜层去除；将覆盖的光刻胶完全清洗，通过刻蚀将表面的全部硬掩膜层进行去除；S4：成膜；重新在刻蚀后的下包层表面生长光波导层(可以是氮化硅、多孔硅等介质材料)；S5：抛光；将晶圆表面的光波导材料去除；S6：上包层生长。本发明通过斜切层光刻，使两次掩膜的重叠部分实现零宽度的尺寸，从而不会受到光刻限制。
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