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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种自动进料的方法、装置及系统-CN201810543958.3有效
发明人： 纪幸辰 -专利权人：深圳市硅光半导体科技有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提出了一种自动进料的方法，包括：S1.启动要求输送衬底的命令；S2.接收机械手传送过来的多个衬底，并依次置于低压化学气相沉积设备腔中；S3.根据衬底已足量的信息，发送停止输送衬底的指令。本发明还公开了一种自动进料的装置和系统。本发明的技术方案，通过自动输送生成含硅薄膜的衬底进入低压化学气相沉积设备腔，以方便进行化学反应，解放了人力，有利于实现了自动化生产。
一种自动进料方法装置系统

[发明专利]基于光子芯片的SD-OCT系统-CN202310542860.7在审
发明人： 纪幸辰;凌玉烨;陈君琢;苏翼凯 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：一种基于光子芯片的集成化谱域光学相干层析成像系统，包括：光源芯片、干涉仪芯片和光谱探测器，其中：光源芯片输出宽谱的光至干涉仪芯片，经干涉仪芯片分束后分别通过样本臂和参考臂输出至待测样品以及干涉仪芯片内置的反射器，样本臂的光对待测样品进行扫描的反射光与参考臂的光在干涉仪芯片上生成干涉信号后输出至光谱探测器，光谱探测器通过信号处理得到待测样品的图像。本发明采用集成光子芯片替代传统系统中的分立元件，对整个成像系统，包括光源、干涉仪、光谱仪等元件提出集成化方案，可以适用于工作中心波长在850nm，1060nm，1300nm、1700nm等OCT成像常用波段，在尺寸和成本上大幅度缩减。
基于光子芯片 sd oct 系统

[发明专利]基于深硅刻蚀的光纤与硅光芯片高精度耦合实现方法-CN202310572186.7在审
发明人： 纪幸辰;刘芳瑜;王硕;苏翼凯 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：一种基于深硅刻蚀的光纤与硅光芯片高精度耦合实现方法，通过在在衬底上旋涂光刻胶后进行掩膜对准式曝光；然后采用包层刻蚀去除顶部和底部包层材料后利用C4F8和SF6进行深硅刻蚀实现高深宽比、侧壁陡直的硅刻蚀；最后将晶片解理成独立芯片，其台阶状的沟道用于与光纤进行耦合。本发明通过特定深度深硅刻蚀槽图形，运用光刻及深硅刻蚀手段制备特定深度的深硅刻蚀槽，利用光刻和刻蚀的高精度从而实现光纤到芯片上波导耦合条件，如高度、距离等的精确控制，有效提高耦合容差和耦合鲁棒性。
基于刻蚀光纤芯片高精度耦合实现方法

[发明专利]一种含硅组件的制造方法-CN201810825233.3有效
发明人： 纪幸辰 -专利权人：深圳市硅光半导体科技有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种含硅组件的制造方法，包括：步骤S1，选取含硅组件薄膜；步骤S2，在所述的含硅组件薄膜上沉积蚀刻掩膜；步骤S3，光刻；步骤S4，通入含氟混合气体，电离形成离子层，进行离子蚀刻，其中，所述的含氟混合气体中混有O2及N2，所述的O2及N2的物质的量占含氟混合气体总物质的量20％以上。本技术方案中的含硅组件最低可以达到0.4dB/m的损耗，含硅组件的损耗大大降低，极大的提升了含硅组件的性能并开辟了新的应用领域。
一种组件制造方法

[发明专利]一种氮化硅膜的制作方法及氮化硅膜-CN201810470779.1有效
发明人： 纪幸辰 -专利权人：深圳市硅光半导体科技有限公司
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提出了一种氮化硅薄膜的制作方法，包括：S1.选取掺杂单晶硅或氧化硅晶片，作为衬底；S2.将清洗后干燥的衬底置于低压化学气相沉积设备腔中；S3.通入非活性气体，加热到750℃～850℃；S4.通入气体H2SiCl2和NH3，发生化学反应；获得初级氮化硅薄膜；S5.再通入非活性气体；S6.对沉积设备腔的温度进行降温，打开设备腔，将初级氮化硅薄膜顺序调换；S7.重复步骤S3～S5，发生化学反应，对沉积设备腔进行降温，获得氮化硅薄膜。本发明还公开了一种氮化硅薄膜。实施本发明的技术方案中，在保持氮化硅膜特性不变的情况下，制备得到的氮化硅膜厚度可大于400nm，薄膜不均匀度小于1％。
一种氮化制作方法

[实用新型]一种自动进料的系统-CN201820828309.3有效
发明人： 纪幸辰 -专利权人：深圳市硅光半导体科技有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种自动进料的系统，用于制备含硅薄膜，包括：机械手、低压化学气相沉积设备腔、控制器、检测设备、电机，所述的机械手用于抓取衬底投放于所述的低压化学气相沉积设备腔内，所述的控制器能控制所述的电机带动所述的机械手运转或停止，所述的检测设备检测传送至所述的低压化学气相沉积设备腔中的衬底是否足量。实施本实用新型的技术方案中，通过自动输送生成含硅薄膜的衬底进入低压化学气相沉积设备腔，以方便进行化学反应，解放了人力，实现了自动化生产。
低压化学气相沉积设备机械手衬底本实用新型含硅薄膜检测设备自动进料控制器抓取化学反应自动化生产电机带动自动输送腔内足量制备电机传送投放运转检测

[实用新型]一种自动出料的系统-CN201820826607.9有效
发明人： 纪幸辰 -专利权人：深圳市硅光半导体科技有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种自动出料的系统，用于含硅薄膜的制备，包括：第一机械手、反应炉、控制器、与所述的控制器相连接的温度传感器，所述的温度传感器设置于所述的反应炉中，所述的控制器能控制所述的机械手的运转或停止，所述的第一机械手用于抓取所述的反应炉中的含硅薄膜成品于预设位置。实施本实用新型的技术方案中，通过自动取出含硅薄膜的成品，解放了人力，实现了自动化生产和无人管理。
机械手含硅薄膜控制器反应炉本实用新型温度传感器自动出料抓取自动化生产无人管理预设位置制备取出运转

[发明专利]一种自动出料的方法、装置及系统-CN201810543584.5在审
发明人： 纪幸辰 -专利权人：深圳市硅光半导体科技有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提出了一种自动出料的方法，用于含硅薄膜的制备，包括：S1.抓取反应炉中的温度值；S2.至少根据所述的温度值与预设温度一致的指令，开启反应炉的出料口；S3.启动机械手，依次抓取含硅薄膜的成品，并投放在预设位置。本发明还公开了一种自动出料的装置和系统。本发明的技术方案，自动从反应炉中取出含硅薄膜成品，解放了人力，便于自动化及无人生产。
含硅薄膜自动出料反应炉抓取装置及系统机械手温度一致预设位置出料口预设制备取出自动化指令生产

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