[发明专利]使用电子束装置的光学设备制造方法有效
| 申请号： | 201980083890.8 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN113227859B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 卢多维克·戈代;罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森;卡提克·雷马斯瓦米;杨扬;曼尼瓦南·托塔德里;陈建安 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/122;G02B6/12 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开内容的方面涉及用于制造波导的装置。在一个实例中，利用成角度的离子源来朝向基板投射离子以形成包括成角度的光栅的波导。在另一个实例中，利用成角度的电子束源来朝向基板投射电子以形成包括成角度的光栅的波导。本公开内容的另外的方面提供了用于利用成角度的离子束源和成角度的电子束源来在波导上形成成角度的光栅的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 电子束 装置 光学 设备 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980083890.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种铌酸锂薄膜波导器件及其制备方法-202311203319.X
- 杨志远;李鑫;陶艺;马世超;郑名扬;刘洋;谢秀平 - 济南量子技术研究院
- 2023-09-19 - 2023-10-27 - G02B6/13
- 本发明适用于光通信器件微纳加工技术领域，尤其涉及一种铌酸锂薄膜波导器件及其制备方法。方法包括：提供铌酸锂薄膜晶圆；在铌酸锂薄膜晶圆上涂电子束光刻胶，电子束光刻胶包括正胶；将涂电子束光刻胶的铌酸锂薄膜晶圆经过电子束曝光、显影、镀膜、剥离工艺，得到标记以及波导结构硬掩膜；镀膜工艺包括镀金属，标记以及波导结构硬掩膜均为金属材料；对标记保护后，利用波导结构硬掩膜，通过刻蚀工艺对铌酸锂薄膜进行刻蚀，并经过清洗后得到带有标记的铌酸锂薄膜波导结构；通过带有标记的铌酸锂薄膜波导结构得到铌酸锂薄膜波导器件。本发明提高了分辨率和套刻精度，降低了套刻误差。
- 使用电子束装置的光学设备制造方法-201980083890.8
- 卢多维克·戈代;罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森;卡提克·雷马斯瓦米;杨扬;曼尼瓦南·托塔德里;陈建安 - 应用材料公司
- 2019-12-17 - 2023-10-24 - G02B6/13
- 本公开内容的方面涉及用于制造波导的装置。在一个实例中，利用成角度的离子源来朝向基板投射离子以形成包括成角度的光栅的波导。在另一个实例中，利用成角度的电子束源来朝向基板投射电子以形成包括成角度的光栅的波导。本公开内容的另外的方面提供了用于利用成角度的离子束源和成角度的电子束源来在波导上形成成角度的光栅的方法。
- 一种具有聚合物过渡结构的混合光传输模块及其制作方法-202210485645.3
- 蔡文必;陈宁利 - 厦门市三安集成电路有限公司
- 2022-05-06 - 2023-09-29 - G02B6/13
- 本发明公开了一种具有聚合物过渡结构的混合光传输模块的制作方法，是在硅基基板上涂覆高折射率透明光刻胶，对透明光刻胶采用曝光、显影工艺形成过渡结构和固定结构，将激光器通过固定结构黏附固定于硅基基板上，并使其出光端口与过渡结构的端口对准，然后对透明光刻胶进行固化。本发明采用聚合物材料作为过渡器件，可以将激光器和硅基光传输模块的设计相互独立，且在起到形成光传输结构的同时又可以依靠其黏性起到固定激光器位置的作用，拓展了激光器和硅基光传输模块的应用范围，降低了工艺成本。
- 一种光芯片的制作方法和光芯片-202310741496.7
- 董茂声;李若林 - 珠海映讯芯光科技有限公司
- 2023-06-20 - 2023-09-22 - G02B6/13
- 本发明公开了一种光芯片的制作方法和光芯片，涉及光芯片技术领域，制作步骤如下：加工沟槽，晶圆片上设有第一标记和第二标记，第一标记与第二标记相交，以第一标记为定位基准，在晶圆片的正面上加工出多条相互平行的沟槽，沟槽与第一标记重合；分割，在晶圆片的背面加工出多条第一通道和第二通道，第一通道的长度方向平行于第一标记，第一通道的宽度大于沟槽的宽度，且第一通道的深度与沟槽的深度之和等于晶圆片的厚度，以使晶圆片沿沟槽的长度方向被分割，第二通道与第二标记重合，第二通道的深度等于晶圆片的厚度，以使晶圆片被分割成多块左右侧面上均设有凸起结构的光芯片。该制作方法能够提高光芯片的光耦合效率，降低光芯片的制作成本。
- 一种光学芯片及其制备方法-202210260411.9
- 牛欣翔;张翔;董晓文 - 华为技术有限公司
- 2022-03-16 - 2023-09-22 - G02B6/13
- 本申请提供了一种光学芯片及其制备方法，该光学芯片包括光学基板，依次设于光学基板上的第一功能层，第一间隔层以及第二功能层；第二功能层上形成有第二光学结构，第二光学结构包括第二层间耦合结构和第二层内传输结构，第二层内传输结构位于第二功能层的第一区域；第一功能层上形成有位于第二区域的第一光学结构，第一光学结构包括第一层间耦合结构和第一层内传输结构，第二区域与该第一区域在光学基板平面的法向的投影不重叠；第二层间耦合结构位于第二功能层中的第三区域，第一层间耦合结构位于第一功能层的第四区域，第三区域与第四区域在光学基板平面的法向投影部分或全部重叠。该光学芯片各功能层中的光学结构无需基于机械方式光学对准。
- 一种基于光子聚合打印的光电集成芯片和制备方法-202310749913.2
- 卢金龙;郝婷;李志浩;陆龙钊;周赤;吉贵军;王兴龙;胡彦斌;赵希 - 珠海光库科技股份有限公司
- 2023-06-21 - 2023-09-19 - G02B6/13
- 本发明提供一种基于光子聚合打印的光电集成芯片和制备方法，制备方法包括：在同轴显微镜下定位出射端的位置；以出射端为中心位置，通过双光子聚合3D打印在出射端的外周打印锚定连接结构；在锚定连接结构上以出射端为中心，通过双光子聚合3D打印微透镜。本案将微准直镜直接原位集成在光电芯片端面上形成自准直结构和耦合结构，无需传统方法需要高精度对准、转移及后续固定，同时也提高透镜的耦合精度，降低了加工难度。
- 光子集成芯片内矢量涡旋光束辐射器及其应用-201910061406.3
- 金贤敏;陈媛;沈维冠 - 上海交大知识产权管理有限公司
- 2019-01-23 - 2023-09-12 - G02B6/13
- 一种光子集成芯片内部矢量涡旋光束辐射器及其应用，通过飞秒激光直写技术，即将飞秒激光聚焦在玻璃表面以下，通过扫描能够传输矢量涡旋光的环形波导半径，使之与单模波导达到位相匹配条件，加工出的不对称耦合器用于产生多阶涡旋光模式。本发明制备得到的芯片，能够产生一阶以及二阶涡旋光，转换效率可高达74％。此外，涡旋光本身的高维度及传输、产生以及操控于一体将大幅增加量子态空间，从而潜在的可以通过片上操控超纠缠等方式大幅提升量子计算能力。
- 光器件制备方法及光互连封装方法-202310671106.3
- 祝宁华;李伟;翟鲲鹏;陶冶 - 中国科学院半导体研究所
- 2023-06-07 - 2023-09-08 - G02B6/13
- 本发明提供一种光器件制备方法及光互连封装方法，可以应用于集成光电子领域。该光器件制备方法，包括：在基板上预设溅射区域；其中，基板上预设有多个芯片，溅射区域设置于两芯片之间；根据预设的芯片的属性确定待制备光器件的参数；通过电磁场控制溅射粒子，使溅射粒子沉积在基板上的溅射区域，得到第一光器件；对第一光器件表面进行退火处理，得到制备完成的光器件。
- 光波导定位标识方法-202210136684.2
- 何祖源;马麟;马强 - 上海交通大学
- 2022-02-15 - 2023-08-25 - G02B6/13
- 一种光波导定位标识方法，在制作芯层结构的同时，在待定位区域制作至少一条用于辅助定位的光波导结构，该光波导结构上设置至少一个致光偏转的水平标识或垂直标识；当光波导结构的一侧输入轴向光时，水平标识或垂直标识将偏转轴向光并在波导外部生成与标识的尺寸相对应的光斑或光栅，从而实现精确定位。本发明精度更高，识别更简单，特别是高精度加工中，工艺精度在1μm以下，能够替代部分X射线的检测及定位功能，在工艺过程中它与芯层结构同步完成，不会增加工艺步骤及成本且可以实现与波导工艺同级精度。
- 基于深硅刻蚀的光纤与硅光芯片高精度耦合实现方法-202310572186.7
- 纪幸辰;刘芳瑜;王硕;苏翼凯 - 上海交通大学
- 2023-05-22 - 2023-08-11 - G02B6/13
- 一种基于深硅刻蚀的光纤与硅光芯片高精度耦合实现方法，通过在在衬底上旋涂光刻胶后进行掩膜对准式曝光；然后采用包层刻蚀去除顶部和底部包层材料后利用C
- 一种用于量子通信中波导的刻蚀工艺方法-202210380098.2
- 董晓君;曹鹏;王雪;李珍珍;石磊;赵梦凡 - 山东建筑大学
- 2022-04-12 - 2023-08-04 - G02B6/13
- 本发明公开了一种用于量子通信中波导的刻蚀工艺方法，高质量铌酸锂波导在量子通信中至关重要，波导质量决定了芯片的质量，进而影响在量子通信中的传输量与传输速度，选用铌酸锂晶圆为衬底，在其正Z面沉积铬层、旋涂光刻胶，后经光刻、铬腐蚀在铌酸锂晶圆上得到波导图形，再经质子交换、刻蚀等工艺过程，得到高质量波导，光刻胶厚度控制在600‑700nm；氢离子与锂离子进行交换，质子源为配比4270：1的苯甲酸与苯甲酸锂熔融态，质子交换炉温度170℃、时间10‑24h；湿法刻蚀过程中，1：2.5氢氟酸和硝酸刻蚀液，16‑20℃的刻蚀温度。本发明采用的刻蚀工艺方法，使得展宽精准控制、刻蚀速率稳定、波导表面光滑、传输损耗低。
- 一种硅光耦合结构-202310566605.6
- 汪帅;杨涛;杨晓光;吕尊仁;孟磊;柴宏宇;王胜林 - 中国科学院半导体研究所
- 2023-05-19 - 2023-07-28 - G02B6/13
- 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种硅光耦合结构，包括：衬底（1），其表面一选区内刻蚀形成外延槽；外延复合层（4），生长于外延槽内，包括第一外延层（41）和第二外延层（42），第一外延层（41）覆盖外延槽底部，第二外延层（42）位于第一外延层（41）的上表面的第一预定区域，第一预定区域的面积小于或等于第一外延层（41）的面积；顶波导层（6），设置于第二外延层（42）上，并延伸出外延槽。本发明的硅光耦合结构体积紧凑，工艺兼容性高，耦合效率高，同时具有灵活性和可拓展性。
- 一种基于飞秒光直写的金属剥离工艺制备波导方法-202310399651.1
- 程亚;陈锦明;刘招祥 - 华东师范大学
- 2023-04-14 - 2023-07-25 - G02B6/13
- 本发明公开了一种基于飞秒光直写的金属剥离工艺制备波导方法，利用飞秒光直写实现金属剥离来制备波导，其制备包括铌酸锂薄膜表面上镀二氧化硅薄膜、金属铬膜、飞秒激光直写铬膜层、反应离子刻蚀、磁控溅射镀铬膜和金膜、离子刻蚀、化学机械抛光等步骤。本发明方法制备流程利用金属剥离的方法实现厚金属掩模的制备，保证侧壁的光滑度，同时还结合了化学机械抛光技术侧壁光滑度以及离子刻蚀侧壁陡直度的优势，可实现性能优异的光波导结构的制备。
- 光纤维加工装置-202080017519.4
- 裵锡晚 - 裵锡晚
- 2020-01-28 - 2023-07-25 - G02B6/13
- 公开一种光纤维加工装置，其包括：光纤维加工头，其具有光纤维所穿过的纤维行进隧道以及在与所述隧道正交的方向上形成于所述进行隧道周围的多个加工杆插入孔；加工杆，其具有通过所述加工杆插入孔加工所述行进隧道内的光纤维的加工尖端；以及致动所述加工杆的致动器。
- 一种基于套刻的铌酸锂薄膜波导微环制备方法-202111250064.3
- 尹志军;叶志霖;崔国新;许志城 - 南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
- 2021-10-26 - 2023-07-21 - G02B6/13
- 本发明提供一种基于套刻技术的铌酸锂薄膜波导微环的制备方法。其基本方案为：采用紫外光刻、金属镀膜工艺，在铌酸锂薄膜基片上制备环波导掩膜；采用紫外光刻套刻、金属镀膜和lift‑off工艺，在铌酸锂薄膜基片上制备直波导掩膜；采用刻蚀法刻蚀铌酸锂薄膜基片，将金属掩膜图形转移到铌酸锂薄膜层；清洗去除掩膜，得到铌酸锂薄膜波导微环器件样品。采用本发明的方法，将工艺精度从普通的光刻精度优化至套刻精度，即使使用光刻线宽精度为1um以上的普通紫外光刻机，也可以实现间隙要求小于0.8um线宽的微环器件的制备，极大地降低了成本，提高了制备的效率。
- 薄膜制备方法、薄膜光栅光波导及增强现实装置-202310189829.X
- 黄皓坚 - 业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;业成光电（无锡）有限公司;英特盛科技股份有限公司
- 2023-03-02 - 2023-06-30 - G02B6/13
- 本申请涉及薄膜制备方法、薄膜光栅光波导及增强现实装置，所述薄膜制备方法包括步骤：提供基板，所述基板设有入射光栅区域、出射光栅区域及折叠光栅区域；采用导电粒子对入射光栅区域、出射光栅区域及折叠光栅区域进行涂布，通过电场控制涂布位置的线宽分布，以通过线宽分布而在涂布位置产生差异化的折射率，形成薄膜光栅；整体曝光，得到薄膜光波导。上述薄膜制备方法，通过对各自独立区域进行涂布光栅确认，每个独立区域可以分开确认光效率，并且利用带电涂布，将导电粒子分布堆叠后形成光栅，一方面有利于避免浪费传统旋转涂布方式所造成大量材料的流失问题，另一方面有利于精确控制特定区域的位置，保证了曝光效果。
- 一种金属基表面等离激元光波导、制备方法及应用-202310198366.3
- 丁涛;姚佳成;刘泽;方卉 - 武汉大学
- 2023-03-03 - 2023-06-30 - G02B6/13
- 本申请涉及一种金属基表面等离激元光波导、制备方法及应用，其包括：将抛光后的金属片堆叠在多孔模板上，并进行压载；脱除所述多孔模板，以得到含有金属纳米结构阵列的金属片；将含有金属纳米结构阵列的金属片置于溶剂中，并进行超声分散处理，然后滴涂在衬底上，得到单晶的金属基表面等离激元光波导。本申请采用金属限域超塑性形变的手段，将金属片在多孔模板上进行压载，在多孔模板的孔内形成单晶的金属纳米结构，相比化学方案而言，操作简单，减少了化学试剂的使用，降低了制造成本，均匀性好，稳定性极高，且对于提高光波导性能具有非常重要的作用。
- 一种基于电子束光刻胶的低损耗薄膜铌酸锂光波导制备方法-202310296381.1
- 孙军强;张文昱;杜竫 - 华中科技大学
- 2023-03-24 - 2023-06-27 - G02B6/13
- 本发明提出了一种基于电子束光刻胶的低损耗薄膜铌酸锂光波导制备方法，包括如下步骤：S1，提供预先制备的薄膜铌酸锂晶圆片作为衬底；S2，在薄膜铌酸锂层表面旋涂电子束光刻胶，并对光刻胶进行前烘；S3，在烘干后的光刻胶表面用电子束曝光工艺将掩膜图案转移到光刻胶上，并对样品进行后烘；S4，对烘干的光刻胶依次进行显影和定影形成光刻胶掩膜层，然后用电感耦合等离子刻蚀工艺对薄膜铌酸锂层进行刻蚀，将光刻胶上的图案转移至薄膜铌酸锂层，刻蚀气体为氩气；S5，去除薄膜铌酸锂层上残留的光刻胶，获得低损耗薄膜铌酸锂光波导。本发明不需要额外生长硬掩膜，加工精度高，不会产生氟化锂副产物沉积，有效减少波导的边缘粗糙度和波导传输损耗。
- 基于应力分散和裂纹阻挡图案的氮化硅器件制备方法-202310121948.1
- 余巨峰;杨荣;王庆;曾友宏;余明斌 - 上海铭锟半导体有限公司
- 2023-02-15 - 2023-06-23 - G02B6/13
- 本发明公开了一种基于应力分散和裂纹阻挡图案的氮化硅器件制备方法，包括以下步骤：在半导体衬底上通过热氧方式生长氧化硅层；在氧化硅层表面沉积非晶硅层作为硬掩膜；使用具有副图案的掩膜版进行光刻，副图案包括若干交错排布的矩形图案，矩形图案填充于主图案之外的空白区域处；刻蚀非晶硅层，将副图案以凹槽或凸出形状转移到非晶硅层上；刻蚀氧化硅层后，再去除非晶硅层；生长氮化硅膜层；若副图案为凹槽形状，则使用化学机械抛光工艺去除多余的氮化硅，形成氮化硅器件图案；若副图案为凸出形状，则使用器件层掩膜版进行光刻工艺，刻蚀氮化硅膜层，形成氮化硅器件图案。本发明可降低氮化硅的应力累积，降低裂纹的产生，阻挡裂纹的扩散。
- 二氧化硅光波导芯片性能的修正方法及装置-202310309165.6
- 崔鹏伟;王玥;张家顺;安俊明 - 中国科学院半导体研究所
- 2023-03-27 - 2023-06-23 - G02B6/13
- 本发明提供了一种二氧化硅光波导芯片性能的修正方法及装置，涉及光子集成领域，该方法包括：将图形掩膜版固定在二氧化硅光波导芯片的上方；在图形掩膜版上方施加光照；通过调节光照的参数来改变光波导结构的折射率，对二氧化硅光波导芯片的性能进行修正。该方法操作简单，能大幅度提升二氧化硅光波导芯片性能的修正效率。
- 光器件的形成方法-202111556569.2
- 冯霞;曾红林;陈晓军;吴家亨;殷霞革;张冬生 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 2021-12-17 - 2023-06-20 - G02B6/13
- 一种光器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一基底、位于第一基底上的埋氧层以及位于埋氧层上的第二基底；在第二基底内形成初始第三波导以及对应的初始第三凹槽，初始第三波导包括初始第三起始区；在初始第三凹槽内和初始第三波导上形成第一介质层；去除部分第一介质层和部分初始第三波导，在第二基底内形成第三波导和对应的第三凹槽，第三波导包括第三起始区，所述第三起始区在衬底表面的投影面积小于所述初始第三起始区在所述衬底表面的投影面积。所形成的光器件能够有效减小回波损耗。
- 用于制造波导单元的系统和方法-202310214467.5
- J·D·沃德恩;R·莫拉德;A·J·格兰特;何斯慧;S·阿布拉哈姆;M·M·波波维奇 - 迪吉伦斯公司
- 2018-11-28 - 2023-06-06 - G02B6/13
- 公开了用于制造波导单元的系统和方法。可以以许多不同的方式来配置和实现根据各种实施例的用于波导单元的制造的系统。在许多实施例中，各种沉积机构被用于将光学记录材料的(一个或多个)层沉积到透明基板上。可以提供第二透明基板，并且可以层压三个层以形成波导单元。合适的光学记录材料可以取决于给定的应用而广泛地变化。在一些实施例中，沉积的光学记录材料在整个层中具有相似的成分。在许多实施例中，光学记录材料在成分上空间地变化，从而允许具有变化特性的光学元件的形成。无论光学记录材料的成分如何，都可以利用将光学记录材料放置或沉积到基板上的任何方法。
- 一种基于飞秒直写氟铟基玻璃低损耗波导的制备方法-202310226442.7
- 王鹏飞;贾世杰;蒋勇;张志;王瑞聪 - 哈尔滨工程大学
- 2023-03-10 - 2023-06-06 - G02B6/13
- 本发明公开了一种基于飞秒直写氟铟基玻璃低损耗波导的制备方法，涉及光电技术领域，利用飞秒激光直写技术对稀土掺杂的氟化铟玻璃进行单线刻写、多次扫描的方法，根据光学特性确定波导形成需要的飞秒激光脉冲能量和刻写速度的参数范围，最终制备氟铟基玻璃低损耗波导。本发明提出一种基于飞秒激光直接写入技术在氟化铟衬底上制备通道波导的方案，找到了获得低损耗波导形成的参数，并从模式廓线、波导损耗和有源特性等方面对其进行了描述，在氟铟基玻璃材料上制备低损耗波导是一种出色发展中红外集成光学器件的候选方案，对中红外波导集成光学器件的发展具有特殊意义。
- 量子电路、量子计算机和量子电路的制造方法-202080105873.2
- 宫武哲也 - 富士通株式会社
- 2020-12-01 - 2023-06-06 - G02B6/13
- 量子电路的制造方法具有形成光波导的工序，该光波导在具有第1主面和第2主面且包含色心的金刚石层中与所述色心光耦合，所述光波导具有：包含所述色心的芯区域；以及设置于所述芯区域的周围的光封闭区域，所述光封闭区域的折射率低于所述芯区域的折射率，所述形成光波导的工序具有以下工序：在所述金刚石层上形成具备与所述色心分开的倾斜面；在所述倾斜面上形成反射膜；对所述反射膜的一部分照射飞秒激光，使被所述反射膜反射的飞秒激光会聚于所述色心的所述第1主面侧而使所述金刚石层的一部分的折射率降低，由此在所述色心的所述第1主面侧形成第1区域；对所述反射膜的另一部分照射飞秒激光，使被所述反射膜反射的飞秒激光会聚于所述色心的所述第2主面侧而使所述金刚石层的另一部分的折射率降低，由此在所述色心的所述第2主面侧形成第2区域；对所述第1主面的一部分照射飞秒激光，使飞秒激光在与所述第1主面平行的第1方向上会聚于所述芯区域的一侧而使所述金刚石层的另一部分的折射率降低，由此在所述芯区域的所述一侧形成第3区域；以及对所述第1主面的另一部分照射飞秒激光，使飞秒激光在所述第1方向上会聚于所述芯区域的另一侧而使所述金刚石层的另一部分的折射率降低，由此在所述芯区域的所述另一侧形成第4区域。
- 一种面向（S+C+L）波段的聚合物基光波导放大器及其制备方法-202211555238.1
- 赵丹;裴震;符越吾;秦伟平;王菲;秦冠仕;贾志旭;孟凡超;李俊;唐迎 - 吉林大学
- 2022-12-06 - 2023-05-23 - G02B6/13
- 本发明公开了一种面向(S+C+L)波段的聚合物基光波导放大器及其制备方法，属于聚合物光波导器件的制备技术领域，本发明通过制备掺杂Er
- 绝缘体上III-V族半导体集成光子器件及其制备方法-202310161511.0
- 赵前程;李毅;程炜仁;杨亚涛 - 南方科技大学
- 2023-02-14 - 2023-05-16 - G02B6/13
- 一种绝缘体上III‑V族半导体集成光子器件及其制备方法，属于半导体技术领域。绝缘体上III‑V族半导体集成光子器件的制备方法包括：在第一晶片上生长基于III‑V族半导体材料的外延层，对外延层进行图案化处理形成微纳图案，以得到图案化后的光波导器件层；在光波导器件层上沉积第一光学介质层作为波导器件的包层；将第一光学介质层与第二晶片进行键合形成异质集成晶片。先对外延生长的III‑V族半导体材料外延层进行图案化处理形成光波导器件层，然后再进行键合处理，可以避免后续的键合操作对外延层的图案化处理产生影响，进而能够提高异质集成晶片上光波导器件的成品率，提高异质集成晶片上光波导器件的集成度。
- 具有波导和蚀刻连接器的激光图案化适配器-201980052028.0
- 威普库马·帕特尔;马修·J·特拉韦尔索;阿什利·J·马克尔;乔克·T·博文顿 - 思科技术公司
- 2019-08-05 - 2023-05-09 - G02B6/13
- 通过针对给定材料的基板中的光子元件(110)确定对准点；经由根据对准点与光子元件对准的激光器，将蚀刻图案施加到光子元件(110)，以在光子元件中产生图案化区域(113)和未图案化区域(114)，其中施加蚀刻图案针对光子元件的图案化区域(113)改变了给定材料中的化学键，这相对于未图案化区域(114)的反应性提高了给定材料对蚀刻剂的反应性，并且其中图案化区域(113)限定了未图案化区域中的接合特征(111)，该接合特征被配置为与光子集成电路(120)上的配合特征(121)接合；以及经由蚀刻剂从光子元件中去除图案化区域，各种系统和方法可以采用光学组件中的激光图案化来使能光学器件与芯片的对准。
- 光电子器件及其制造方法-202180056459.1
- A·J·齐尔克;H·尼卡宁;F·皮特斯;C·S-C·蔡;余国民 - 洛克利光子有限公司
- 2021-06-09 - 2023-05-05 - G02B6/13
- 公开了一种光电子器件。所述器件包括：绝缘体上硅平台，所述绝缘体上硅平台包括形成在硅器件层中的硅波导、硅衬底和腔；基于III‑V族半导体的器件，所述基于III‑V族半导体的器件位于所述绝缘体上硅平台的所述腔内并包含耦合到所述硅波导的基于III‑V族半导体的波导。位于所述基于III‑V族半导体的器件与所述衬底之间的所述腔的床的区域包括图案化表面，所述图案化表面被配置为与所述基于III‑V族半导体的器件的所述基于III‑V族半导体的波导内的光信号相互作用。
- 制造对称光导光学元件的方法-202080007825.X
- 阿米特·马齐尔 - 鲁姆斯有限公司
- 2020-01-15 - 2023-04-18 - G02B6/13
- 公开了对称光导光学元件(“LOE”)及其制造方法。该方法包括：提供多个透明板，每个板具有两个平行表面；将多个板的第一子集堆叠在透明基块上以形成板的第一堆叠；在第一堆叠板和基块的一侧形成倾斜表面；将多个板的第二子集堆叠在倾斜表面上以形成板的第二堆叠；以及提取第一堆叠、基块和第二堆叠的片，使得片包括基块的插入在第一堆叠的板与第二堆叠的板之间的至少一部分。
- 光子电路制造中的损耗监测-202011294845.8
- E·J·诺伯格;梁睿;B·M·柯廷;J·鲍特斯 - 无盖灯光电公司
- 2020-11-18 - 2023-04-18 - G02B6/13
- 本公开的实施例涉及光子电路制造中的损耗监测。光学制造监测器结构可以被包括在由掩模或制造光罩在晶片上进行制造的设计中。第一组件集合可以在初始制造周期中被形成，其中第一组件集合包括功能性组件和监测器结构。第二组件集合可以通过后续制造过程形成，后续制造过程可能潜在地导致第一组件集合的错误或损坏。监测器结构可以在制造期间(例如，在洁净室中)被实现，以在不会拉出或报废晶片的情况下，检测制造错误。
- 专利分类
