[实用新型]半导体基材构造无效
| 申请号： | 200420077984.5 | 申请日： | 2004-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN2718778Y | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 汪秉龙;庄峰辉;黄惠燕 | 申请（专利权）人： | 宏齐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H05K1/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体基材构造，利用填充高分子材料于传统基材的方法来改善基材特性；该半导体基材构造包含有基材，具有穿透孔及沟槽；其中该穿透孔及沟槽内填充有高分子材料及复合材料。本实用新型具有高平整度及切割不易生毛边的优点，且不易变形，增加了产品封装的良率及品质，而使用发光二极管的芯片或一般IC集成电路芯片封装时，会易于达成电子芯片所需的封装需求，而且比公知的基材构造成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基材 构造 | ||
【主权项】：
1、一种半导体基材构造，其特征在于，包含：基材，具有穿透孔沟槽；该穿透孔沟槽内填充有高分子复合材料；该基材具有导电材料层；该穿透孔槽内的高分子复合材料高度少于该导电材料层。
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