[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410097321.4 | 申请日： | 2004-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1722414A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 藤泽哲也;生云雅光 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/48;H01L23/29;H01L23/52;H01L21/50 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑特强;经志强 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括框架，该框架设置于衬底上，以在该衬底上形成半导体芯片容纳部分。半导体芯片设置于该半导体芯片容纳部分中。有机绝缘层设置为覆盖该半导体芯片和该框架。布线层设置于该有机绝缘层上。在该半导体器件中，该框架包括在该框架的纵向方向上排列的间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：框架，设置于衬底上，以在该衬底上形成半导体芯片容纳部分；半导体芯片，设置于该半导体芯片容纳部分中；有机绝缘层，被设置用以覆盖该半导体芯片和该框架；以及布线层，设置于该有机绝缘层上，该框架包括在该框架的纵向方向上排列的间隙。
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