[发明专利]半导体显示器件及其制作方法有效
| 申请号： | 200410085055.3 | 申请日： | 2001-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1598677A | 公开（公告）日： | 2005-03-23 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;小山润;须泽英臣;小野幸治;荒尾达也 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/133;H01L21/00;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 龚海军;梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层具有沟道形成区、LDD区、以及源区和漏区，且LDD区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 显示 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种液晶显示器件，包括：像素TFT和驱动电路TFT，各具有：制作在绝缘表面上的半导体层；制作在所述半导体层上的栅绝缘膜；制作在所述栅绝缘膜上的第一栅电极；以及制作在所述第一栅电极上的第二栅电极；其中所述像素TFT的所述半导体层包含：与所述第二栅电极重叠的沟道形成区，所述栅绝缘膜夹于其间；与所述沟道形成区接触并与所述第一栅电极重叠的第一LDD区，所述栅绝缘膜夹于其间；与所述第一LDD区接触的第二LDD区；与所述第二LDD区接触的源区和漏区，其中所述驱动电路TFT的半导体层包含：与所述第二栅电极重叠的沟道形成区，所述栅绝缘膜夹于其间；与所述沟道形成区接触并与所述第一栅电极重叠的第三LDD区，所述栅绝缘膜夹于其间；与所述第三LDD区接触的源区和漏区，且其中所述第一栅电极沿所述沟道形成区纵向的宽度大于所述第二栅电极的宽度。
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