[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 200410082561.7 | 申请日: | 2004-09-20 |
公开(公告)号: | CN1601743A | 公开(公告)日: | 2005-03-30 |
发明(设计)人: | 海田孝行;清水龙;沖川满;三轮哲也;野间崇 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L23/48;H01L21/50;H01L21/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够简化制造工序的半导体装置。该半导体装置具有:与包含电路的半导体芯片的上面接触地形成的、由单一材料构成的第1绝缘膜;与第1绝缘膜的上面接触地形成的第1布线;从半导体芯片的侧面沿下面延伸地形成的、连接在通过去除第1绝缘膜的一部分而露出的第1布线的下面的第2布线。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,具有:第1绝缘膜,与包含电路的半导体芯片的上面接触地形成,由单一材料构成;第1布线,与上述第1绝缘膜的上面接触地形成;第2布线,从上述半导体芯片的侧面沿下面延伸地形成,连接在通过去除上述第1绝缘膜的一部分而露出的第1布线的下面。
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