[发明专利]半导体保护元件、半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提出了一种半导体保护元件，在其中热量不会以集中的方式产生，甚至将静电电流施加于具有高电阻值的区域上，而且半导体器件的面积没有增加。半导体保护元件由N型阱，具有其杂质浓度比N型阱的杂质浓度高的一对N+扩散层的P型半导体衬底，以及部分地形成于两个N+扩散层的每一个之上的硅化物层所构成。N型阱具有第一暴露区域，暴露于半导体衬底之上，并且硅化物层的形成使得两个N+扩散层中的每一个都部分地具有第二暴露区域，第二暴露区域被先后暴露出来，以便与第一暴露区域相接触。第一暴露区域被夹于两个N+扩散层中间。

主权项

1.一种半导体保护元件，包括：半导体衬底，具有第一杂质浓度的第一区域和第二杂质浓度的一对第二区域，第二区域的杂质浓度高于所述第一区域的杂质浓度；以及硅化物层，每个硅化物层的形成均是以与每一个所述第二区域的表面相接触的方式；其中所述第一区域具有不被所述硅化物层所覆盖的第一表面区域，所述第二区域具有不被所述硅化物层所覆盖的第二表面区域，并且所述第一表面区域被夹于两个所述第二表面区域之间；其中每一个所述硅化物层的形成均是以每一个所述第二表面区域以连续的方式与所述第一表面区域相接触并且暴露出每一个所述第二表面区域的方式；以及其中每一个所述硅化物层构成了具有相对低的电阻值的低电阻区，每一个所述第二表面区域构成了具有中间电阻值的中间电阻区域，并且所述第一表面区域构成了具有相对高电阻值的高电阻区域。