[发明专利]半导体存储器

摘要

本发明的课题是得到使抗软错误的性能提高的半导体存储器。在构成SRAM存储单元的PMOS晶体管P1和P12中,使用高介电常数材料来形成其栅绝缘膜。由此,使存储节点NA和NB的电容增加,使软错误发生的概率下降。

主权项

1.一种半导体存储器，具备下述部分而构成：第1倒相器，包含第1导电型的第1MOS晶体管和与上述第1导电型不同的第2导电型的第2MOS晶体管而构成，同时将输出点定为第1存储节点，将输入点定为第2存储节点；第2倒相器，包含上述第1导电型的第3MOS晶体管和与上述第2导电型的第4MOS晶体管而构成，同时将输出点连接到上述第2存储节点上，将输入点连接到上述第1存储节点上；上述第2导电型的第5MOS晶体管，其漏连接到上述第1存储节点上，其源连接到一对位线的一方上，其栅连接到字线上；以及上述第2导电型的第6MOS晶体管，其漏连接到上述第2存储节点上，其源连接到一对位线的另一方上，其栅连接到上述字线上，其特征在于：上述第1MOS晶体管和上述第3MOS晶体管的栅绝缘膜的相对介电常数比上述第5MOS晶体管和上述第6MOS晶体管的栅绝缘膜的相对介电常数高。