[实用新型]嵌入式功率半导体封装结构无效

专利信息
申请号: 01223844.9 申请日: 2001-05-16
公开(公告)号: CN2484636Y 公开(公告)日: 2002-04-03
发明(设计)人: 沈长庚 申请(专利权)人: 朋程科技股份有限公司
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L23/28;H01L23/48
代理公司: 隆天国际专利商标代理有限公司 代理人: 潘培坤,陈红
地址: 中国*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 实用新型涉及一种嵌入式功率半导体封装结构,其包括一半导体组件及一杯体,其中,该半导体组件一侧连结于引线体,该杯体则连结于该半导体组件的另一侧,且该杯底部设有导角及环状凹槽,其外侧形成具有两个以上斜面的嵌合部,又该杯体含有一与该半导体组件相连接的散热区及一圆锥内壁,该圆锥内壁以该散热区为界,且该圆锥内壁设有模锁,借助上述结构的设计,可减少压入时龟裂及压入时对不准的情形发生,并可耐热疲劳和高温操作。
搜索关键词: 嵌入式 功率 半导体 封装 结构
【主权项】:
1.一种嵌入式功率半导体封装结构,该封装结构包括一半导体组件与一杯体,其特征在于:所述半导体组件的一侧连结于引线体;所述杯体连结于所述半导体组件的另一侧,且该杯体底部设有导角及环状凹槽,该杯体外侧形成具有两个以上斜面的嵌合部,该杯体含有一散热区及一圆锥内壁,该散热区与所述半导体组件相连接,该圆锥内壁以散热区为界,且该圆锥内壁设有模锁。
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