[发明专利]具有绝缘体上硅结构的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 01141512.6 | 申请日： | 2001-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1347146A | 公开（公告）日： | 2002-05-01 |
| 发明（设计）人： | 小林研也 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,方挺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括通过第一绝缘膜层叠在或键合于导电支撑衬底上的导电半导体衬底,将至少形成有所需器件的器件形成区与半导体衬底隔离的隔离沟槽,一隔离沟槽,以及半导体衬底不存在的衬底接触区。该半导体器件还包括第二绝缘膜,其填充上述隔离沟槽并覆盖衬底接触区的表面,在半导体衬底上形成的外部连接电极,以及一支撑衬底连接部分,其贯通衬底接触区中的第一绝缘膜和第二绝缘膜,以连接外部连接电极和支撑衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 绝缘体 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：通过第一绝缘膜层叠在或键合于导电支撑衬底上的导电半导体衬底；将至少形成有所需元件的器件形成区与所述半导体衬底分隔的隔离沟槽；隔离沟槽；其中不存在所述半导体衬底的衬底接触区；第二绝缘膜，其填充上述隔离沟槽并覆盖所述衬底接触区的表面；在所述半导体衬底上形成的外部连接电极；以及支撑衬底连接部分，其通过所述衬底接触区中的所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜，以连接所述外部连接电极和所述支撑衬底。
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- 半导体结构包括基板，基板具有冷却层、冷却通道、与冷却通道流体连通的冷却剂入口和出口，以及具有一个或多个连接点和器件层区域的冷却层上的器件层。器件层的热膨胀系数基本上等于冷却层的热膨胀系数。多个层压基板设置在器件层上并电气附接到器件层。叠压基板的热膨胀系数与器件层的热膨胀系数不同，每个层压基板小于其所附接的器件层部分，且每个层压基板包括相邻层压基板的侧面之间的间隙。层压基板在层压基板之间的间隙上不彼此电气或机械地连接，且层压基板足够小以防止由于热膨胀而导致的器件层、互连层和冷却层的翘曲和不可接受的应力。
- 在外延层中形成的集成沟槽电容器-201980009489.X
- 贾骄;H·林;刘运龙;M·贾因 - 德克萨斯仪器股份有限公司
- 2019-01-22 - 2020-09-04 - H01L21/70
- 一种沟槽电容器(150)包括在半导体衬底(102)上的至少一个外延半导体表面层(104a、104b)，该至少一个外延半导体表面层(104a、104b)具有的掺杂水平小于半导体衬底(102)的掺杂水平。穿过外延半导体表面层(104a、104b)的厚度的至少一半形成沟槽。外延半导体表面层(104a、104b)比沟槽的深度厚。至少一个电容器电介质层(110)衬于沟槽的表面。电介质层(110)上的至少一个沟槽填充层(112)填充沟槽。
- 一种印刷与化学还原法制备透明导电薄膜的方法-201910078289.1
- 王向伟;彭锐晖;于志伟;沙建军;吕永胜;杨高峰;荣先辉 - 青岛九维华盾科技研究院有限公司
- 2019-01-28 - 2020-07-24 - H01L21/70
- 本发明提供了一种印刷与化学还原法制备透明导电薄膜的方法，包括以下步骤：1)将含有特殊官能团的有机分子与可固化高分子在溶剂中混合，配制成能够丝网印刷或打印的油墨；2)将油墨丝网印刷或打印在透明基材上，形成特定线宽和线距的网络结构，然后进行热固化或光固化使网络结构能够牢固地粘结在透明基材上，形成线路前驱体；3)将形成线路前驱体的透明基材在金属盐溶液中进行浸泡，再转移到含有还原剂的金属盐溶液中进行氧化还原反应；4)将所得产品进行热处理，再进行超声清洗、烘干，即可得到透明导电薄膜。本申请实施过程简单方便，技术要求低，图案可调控，所形成的膜材性能优良，可通过调控油墨的配方实现功能化。
- 一种低成本且高效的柔性电路制造工艺-202010105433.9
- 侯波;黄勇;方燕;季炜;李嘉皓;王雯静;丘子妍;徐嘉仪 - 浙江水利水电学院
- 2020-02-20 - 2020-05-22 - H01L21/70
- 本发明提供一种低成本且高效的柔性电路制造工艺。低成本且高效的柔性电路制造工艺，包括以下步骤：S1：将金属导体层通过低粘度胶粘贴在刚性基板之上，然后在金属导体层上铺设保护层；S2：使用激光烧蚀法对保护层进行切割留下所需部分，并采用腐蚀工艺去除多余金属材料，在刚性基板上形成马蹄形导线结构；S3：在制得所需线形后将马蹄形导线结构从刚性基板上剥离下来，制得马蹄形导线；S4：将电子元件安放在设定好的位置上，并通过锡焊或导电粘合剂将其固定在岛上。本发明提供的低成本且高效的柔性电路制造工艺具有在FPC工艺流程的基础上进行创新，大大降低了制备过程中的耗时及制备难度，对设备的要求远低于FPC的优点。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
