[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 00128546.7 | 申请日： | 2000-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1297256A | 公开（公告）日： | 2001-05-30 |
| 发明（设计）人： | 牛久幸広 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/06;H01L21/8249;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在集成具有多个SOI－Si层的半导体器件的半导体装置中,其器件隔离区13从半导体衬底算起的表面高度实质上一致。再适宜地形成多个表面高度不同的SOI－Si层14、15。在可以得到从半导体衬底算起的表面高度实质上一样的器件隔离区13的同时还可以形成SOI－Si层厚度不同的所希望的器件区。要想使单晶硅膜(SOI－Si层)的膜厚适宜地变化,除此之外,还可以在淀积非晶硅膜并用热处理形成了外延层之后,除去不要的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体装置，具备：半导体衬底；在上述半导体衬底上形成的埋层绝缘膜；在上述埋层绝缘膜上边形成，且已分别形成了半导体器件的多个单晶半导体层；在上述多个单晶半导体层的相互间形成的器件隔离区；在上述器件隔离区内形成的器件隔离绝缘膜，其特征是：上述器件隔离绝缘膜彼此之间，从上述半导体衬底算起的其表面高度实质上构成同一平面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
