[发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法

摘要

在对浮置栅极进行刻蚀之际，刻蚀的控制是困难的。在各个存储单元MC中，在半导体衬底11的表面上，形成栅极氧化膜12，在该栅极氧化膜12的上边形成构成浮置栅极FG的第1浮置栅极13a。在该第1浮置栅极13a的上边，形成第2浮置栅极13b。绝缘膜14起着对构成第2浮置栅极13b的多晶硅进行刻蚀之际的阻挡层的作用。

主权项

1.一种具有存储单元的非易失性半导体存储装置，上述存储单元具有在浮置栅极和控制栅极之间通过第1绝缘膜进行叠层的2层栅极构造，其特征是：上述浮置栅极由第1浮置栅极、该第1浮置栅极上形成的第2绝缘膜和该第2绝缘膜上形成的第2浮置栅极构成，上述第2浮置栅极和上述控制栅极之间为上述第1绝缘膜。