[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

半导体装置及制法是在形成在半导体基板上的第1和第2场效应管上堆积第1保护绝缘膜,在该第1保护绝缘膜形成容量下部电极、由绝缘性金属氧化膜构成容量绝缘膜以及容量上部电极构成的电容元件。容量下部电极和第1场效应管的杂质扩散层与形成在第1保护绝缘膜上的第1导电芯柱连接,容量上部电极和第2场效应管的杂质扩散层与形成在第1保护绝缘膜上的第2导电芯柱连接。该装置能防止容量绝缘膜的还原和电容元件的特性变化。

主权项

1.一种半导体装置，其特征是包括在形成了第1场效应管以及第2场效应管的半导体基板上堆积的保护绝缘膜、在所述保护绝缘膜上由从下依次形成的容量下部电极、由绝缘性金属氧化物所构成的容量绝缘膜以及容量上部电极所构成的电容元件、与在所述保护绝缘膜上形成并且成为所述第1场效应管的源极区域或漏极区域的杂质扩散层和所述容量下部电极直接连接的第1导电芯柱、与在所述保护绝缘膜上形成并且成为所述第2场效应管的源极区域或漏极区域的杂质扩散层和所述容量上部电极直接连接的第2导电芯柱。