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[发明专利]激酶抑制剂及制造和使用方法-CN201880052620.6有效
发明人： V·泰勒;Y·陈;R·严 -专利权人：里格尔药品股份有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C07D401/14 文献下载
摘要：公开的实施方案涉及激酶抑制剂，例如白介素受体相关激酶(IRAK)抑制剂，以及包含此类抑制剂的组合物。还公开了制备和使用化合物和组合物的方法。所公开的化合物和/或组合物可以用于治疗或预防与激酶相关的疾病或病症，特别是与IRAK相关的疾病或病症。
激酶抑制剂制造使用方法

[发明专利]用于同轴测试插座和印刷电路板接口的系统和方法-CN202111135634.4在审
发明人： K·艾玛布蒂;R·严;周家春;刘德先;A·吴 -专利权人：史密斯互连美洲公司;安拓锐高新测试技术（苏州）有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01R13/652 文献下载
摘要：提供一种用于将集成电路(IC)芯片耦合到印刷电路板(PCB)的测试插座。该测试插座包括具有被配置为面向PCB的第一表面和被配置为面向IC芯片的第二表面的导电体。导电体限定从第一表面延伸到第二表面的信号腔和接地腔。该测试插座还包括设置在该信号腔中的信号探针。信号探针被配置成电连接到PCB的信号导体和IC芯片的信号焊盘。测试插座还包括设置在接地腔内的接地探针。接地探针被配置成电连接到PCB的接地导体和IC芯片的接地焊盘。接地探针进一步电连接至导电体。
用于同轴测试插座印刷电路板接口系统方法

[发明专利]用作IRAK抑制剂的吡唑酰胺化合物-CN202211335278.5在审
发明人： K·曹;李慧;陈燕;R·严;V·泰勒;T·赫克罗特;R·辛格;S·肖 -专利权人：里格尔药品股份有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： A61K31/497 文献下载
摘要：所公开的实施方案涉及式1的新型白介素受体相关激酶(IRAK)抑制剂和包含此类抑制剂的组合物。还公开了制备和使用该化合物和组合物的方法。所公开的化合物和/或组合物可用于治疗或预防IRAK相关疾病或病症。
用作 irak 抑制剂吡唑化合物

[发明专利]用作IRAK抑制剂的吡唑酰胺化合物-CN201780080550.0有效
发明人： K·曹;李慧;陈燕;R·严;V·泰勒;T·赫克罗特;R·辛格;S·肖 -专利权人：里格尔药品股份有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C07D401/14 文献下载
摘要：所公开的实施方案涉及式1的新型白介素受体相关激酶(IRAK)抑制剂和包含此类抑制剂的组合物。还公开了制备和使用该化合物和组合物的方法。所公开的化合物和/或组合物可用于治疗或预防IRAK相关疾病或病症。
用作 irak 抑制剂吡唑化合物

[发明专利]吡唑化合物以及制备和使用该化合物的方法-CN202110865696.4在审
发明人： R·凯利;李慧;T·赫克罗特;Y·陈;D·麦克默特里;K·曹;V·泰勒;R·辛格;R·严;J·芒 -专利权人：里格尔药品股份有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： A61K31/4439 文献下载
摘要：披露的以下化学式的实施例涉及新颖的白介素受体相关的激酶(IRAK)抑制剂和包含此类抑制剂的组合物。还披露的是制备和使用这些化合物和组合物的方法。所披露的化合物和/或组合物可以用于治疗或预防IRAK‑相关的疾病或病症。
吡唑化合物以及制备使用方法

[发明专利]吡唑化合物以及制备和使用该化合物的方法-CN201680021522.7有效
发明人： R·凯利;李慧;T·赫克罗特;Y·陈;D·麦克默特里;K·曹;V·泰勒;R·辛格;R·严;J·芒 -专利权人：里格尔药品股份有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C07D405/14 文献下载
摘要：披露的以下化学式的实施例涉及新颖的白介素受体相关的激酶(IRAK)抑制剂和包含此类抑制剂的组合物。还披露的是制备和使用这些化合物和组合物的方法。所披露的化合物和/或组合物可以用于治疗或预防IRAK‑相关的疾病或病症。
吡唑化合物以及制备使用方法

[发明专利]基于非晶化工艺及热处理在凹部中形成有内埋式应变诱发性材料的晶体管-CN201410050281.1有效
发明人： N·萨赛特;C·格拉斯;J·亨治尔;R·严;R·里克特 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2014-02-13 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于非晶化工艺及热处理在凹部中形成有内埋式应变诱发性材料的晶体管，其为了并入应变诱发性半导体材料而在半导体装置的主动区中形成凹部时，凹部可利用非晶化工艺及热处理得到改良型形状，以便选择性地修改主动区曝露部分的蚀刻行为，并且调整非晶区的形状。如此，凹部的基本配置可经过调整而具有高度弹性。因此，可改良应变诱发性技术的功效。
基于化工热处理凹部中形成有内埋式应变诱发材料晶体管

[发明专利]由杂质离子植入调整的通道半导体合金层成长-CN201410336601.X有效
发明人： R·严;J·舍尼凯斯;J·亨治尔 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2014-07-15 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及由杂质离子植入调整的通道半导体合金层成长，提供一种改良的方法，用于形成薄的半导体合金层在半导体层顶部上。所提出的方法是依靠在实行半导体合金薄膜沉积之前，适当的杂质物种的植入。对在沉积之后在该装置表面上实行湿式和干式蚀刻而言，该植入的物种使得该半导体合金层较为稳定。因此，若在实行该植入之后沉积该薄膜，可以实质地增加该半导体合金层薄膜的厚度均匀性。另一方面，已发现某些植入的杂质会降低该半导体合金层的成长速率。因此，通过选择性地植入适当的杂质在晶圆的预定区域中，可使用单一的沉积步骤来形成具有可以局部任意调整的厚度的半导体合金层。
杂质离子植入调整通道半导体合金成长

[发明专利]氟掺杂信道硅锗层-CN201410097863.5有效
发明人： N·萨赛特;R·严;J·亨治尔;S·Y·翁 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种氟掺杂信道硅锗层，其中，所揭示的是用于在信道硅锗(cSiGe)层具有改良型接口粗糙度的P型信道金属氧化物半导体场效晶体管(PMOSFET)的形成方法以及所产生的装置。具体实施例可包括在衬底中指定作为信道区的区域，在所指定信道区之上形成信道硅锗层，以及将氟直接植入到信道硅锗层内。具体实施例或可包括将氟植入到硅衬底中被指定为信道区的区域内，在所指定信道区之上形成信道硅锗层，以及加热硅衬底和信道硅锗层以将氟扩散到信道硅锗层内。
掺杂信道硅锗层

[发明专利]利用氟掺杂形成半导体设备结构的方法及半导体设备结构-CN201410250079.3有效
发明人： A·扎卡;R·严;N·萨赛特;E·M·巴齐齐;J·亨治尔 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及利用氟掺杂形成半导体设备结构的方法及半导体设备结构，提供形成在先进技术节点的半导体设备结构的方法以及在先进技术节点的各个半导体设备结构，亦即，小于100纳米。在一些示范具体实施例中，在图案化栅极电介层结构及多晶硅层用以形成栅极结构以及在栅极结构相对两侧植入源极及漏极区之前，执行氟植入制程用以至少于形成于电介层结构上方的多晶硅层中植入氟。
利用掺杂形成半导体设备结构方法

[发明专利]半导体装置制造时的低热预算方案-CN201410098728.2有效
发明人： N·萨赛特;J·亨治尔;T·巴尔策;R·严;A·扎卡 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置制造时的低热预算方案，在本发明的态样中，揭露的是形成半导体装置的方法，其中非晶区是形成于制造期间的早期阶段，并且非晶区是保存于后续处理过程顺序期间，以及具有非晶区的中间半导体装置结构是设于制造期间的早期阶段。本文中，栅极结构是设于半导体基底上方，并且非晶区是毗连栅极结构而成。源极/漏极扩展区或源极/漏极区是在非晶区中形成。在一些描述性具体实施例中，可将氟植入非晶区内。在形成源极/漏极扩展区及/或源极/漏极区后，进行快速热退火程序。
半导体装置制造低热预算方案

[发明专利]形成半导体装置的栅极电极的方法、半导体装置用的栅极电极结构及相符的半导体装置结构-CN201410098991.1无效
发明人： R·严;J·亨治尔;A·扎;N·萨赛特;M·特伦茨施;C·格拉斯 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及用于形成半导体装置的栅极电极的方法、半导体装置用的栅极电极结构及相符的半导体装置结构，其中，本揭露提供半导体装置用栅极电极结构的一些态样。在本文的一些描述性具体实施例中，栅极电极结构包含位于半导体衬底的第一主动区上方的第一高k介电层、以及位于所述第一介电层上的第二高k介电层。所述第一高k介电层具有金属物种加入其内，用于调整所述第一高k介电层的功函数。
形成半导体装置栅极电极方法结构相符

[发明专利]利用氟掺杂技术形成集成电路系统的方法-CN201410079169.0无效
发明人： J·亨治尔;T·巴尔策;R·严;N·萨赛特 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及利用氟掺杂技术形成集成电路系统的方法，提供一种用于形成半导体装置的方法，其包含下列步骤：提供栅极结构于半导体基板的有源区中，其中该栅极结构包含有高k材料的栅极绝缘层、栅极金属层及栅极电极层，形成邻近该栅极结构的侧壁间隔体，以及之后，执行氟植入工艺。也提供一种用于形成CMOS集成电路结构的方法，其包含下列步骤：提供有第一有源区及第二有源区的半导体基板，形成第一栅极结构于该第一有源区中以及第二栅极结构于该第二有源区中，其中每个栅极结构包含有高k材料的栅极绝缘层、栅极金属层及栅极电极层，形成邻近该第一及该第二栅极结构的每一个的侧壁间隔体，以及之后，执行氟植入工艺。
利用掺杂技术形成集成电路系统方法

[发明专利]栅极第一高介电常数金属栅极堆栈上无氧的快速热退火-CN201310470499.8在审
发明人： J·亨治尔;S·Y·翁;R·严 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2013-10-10 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明揭露一种栅极第一高介电常数金属栅极堆栈上无氧的快速热退火，其中，揭示一种改善临界电压(Vt)的半导体装置制造方法及所得的装置。具体实施例包含于衬底上形成高介电常数金属栅极堆栈；植入掺杂剂于衬底的主动区中；以及在氧气不超过30%的氮气环境中进行快速热退火。
栅极第一介电常数金属堆栈上无氧快速退火

[发明专利]抑制JAK途径的组合物和方法-CN201180036682.6有效
发明人：李慧;T·J·赫克罗特;陈燕;D·J·麦克默特里;V·泰勒;R·辛格;丁平羽;R·严 -专利权人：里格尔药品股份有限公司
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C07D413/12 文献下载
摘要：本发明公开了式I的化合物、包含其的组合物以及使用这些化合物和组合物治疗其中调节JAK途径或抑制JAK激酶(特别是JAK2和JAK3)有治疗作用的病症的方法。还公开了制备这些化合物的方法。
抑制 jak 途径组合方法

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