专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于高深宽比结构的移除方法-CN202310498893.6在审
  • L·徐;陈智君;J·黄;王安川 - 应用材料公司
  • 2017-11-08 - 2023-08-08 - H01L21/3213
  • 示例性清洁或蚀刻方法可包括:使含氟前驱物流进半导体处理腔室的远程等离子体区域。方法可包括:在所述远程等离子体区域内形成等离子体,以生成所述含氟前驱物的等离子体流出物。所述方法还可包括:使所述等离子体流出物流进所述半导体处理腔室的处理区域。基板可定位在所述处理区域内,并且所述基板可包括被暴露的氧化物的区域。方法还可包括:将含氢前驱物提供至所述处理区域。所述方法可进一步包括:移除所述被暴露的氧化物的至少一部分,同时将所述处理区域内的相对湿度维持在低于约50%。在移除之后,所述方法可包括,将所述处理区域内的所述相对湿度增加至大于50%或为约50%。所述方法可进一步包括:移除额外量的所述被暴露的氧化物。
  • 用于高深结构方法

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