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[发明专利]使用半良块的存储器装置虚拟块-CN202110995374.1在审
发明人： S·R·纳马拉;辉俊胜;J·黄;A·马尔谢;罗贤钢 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请案涉及使用半良块的存储器装置虚拟块。在一些实例中公开用于使用在不同部分上存在缺陷的存储器块的无缺陷部分的方法、系统、装置、存储器装置和机器可读媒体。替代停用整个块，所述系统可仅停用所述块的一部分(例如，所述块的第一叠组)且挽救所述块的不同部分(例如，所述块的第二叠组)。
使用半良块存储器装置虚拟

[发明专利]半导体器件中的场板的对称布置-CN202110736273.2在审
发明人： J·A·康塔罗夫斯基;R·克里希纳萨米;S·P·埃杜苏米利;S·本特利;M·J·谢拉克;J·黄 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本公开大体上涉及半导体器件中的结构及其形成方法。更具体地，本公开涉及具有围绕栅极对称地布置的场板的半导体器件。本公开提供了一种半导体器件，其包括：位于衬底上方的有源区域；与有源区域接触的源电极和漏电极；位于有源区域上方并且横向地位于源电极与漏电极之间的栅极；位于源电极与栅极之间的第一场板；位于漏电极与栅极之间的第二场板，其中，栅极与第一场板和第二场板横向地并且基本上等距地间隔开。
半导体器件中的对称布置

[发明专利]用于富集样本中的靶细胞的系统和方法-CN201680085349.7有效
发明人： A·A·S·巴加特;A·E-T·吴;J·黄;G·关;S·超;Y·L·高;Y·李;M·C·梁 -专利权人：明测生物医疗有限公司
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：揭示了一种用于富集样本中的靶细胞的系统。该系统包括微流体芯片，其包括样本入口、样本出口、废物出口和微流体通道，样本入口耦合至微流体通道的上游端，而样本出口和废物出口耦合至微流体通道的下游端，微流体芯片被配置成使得靶细胞被定向至样本出口而非靶细胞被定向至废物出口；样本输入泵，其被配置成将样本引入到微流体芯片的样本入口中；输出流速检测器，其被配置成测量微流体芯片的样本出口和/或废物出口处的流速；样本收集开关阀，其具有可在第一配置与第二配置之间切换的配置，在第一配置中，微流体芯片的样本输出耦合至样本输出容器，而在第二配置中，微流体芯片的样本输出耦合至废物输出容器；以及控制器，其被配置成使用由输出流速检测器测量的流速来控制样本收集开关阀的配置。
用于富集样本中的靶细胞系统方法

[发明专利]用于装载液体的集装箱衬里-CN202080044922.6在审
发明人：袁丽;J·黄;B·范登埃舍特;崔胜明 -专利权人： SABIC环球技术有限责任公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： B32B27/32 文献下载
摘要：本发明涉及用于装载液体物品的集装箱衬里，其中该衬里包含含有一个或多个层的膜，其中所述层的至少之一为包含以下的L1层：(a)相对于该L1层的总重量的≥20.0wt％，优选≥20.0且≤80.0wt％的具有以下的聚乙烯P1：·900且915kg/m3，优选905且913kg/m3的密度，依据ASTM D1505(2010)测定；·≥0.1且≤5.0g/10min，优选≥0.5且≤2.0g/10min的熔体质量流动速率，依据ISO 1133‑1(2011)在190℃采用2.16kg的载荷测定；以及(b)相对于该L1层的总重量的≥20.0wt％，优选≥20.0且≤80.0wt％的具有以下的聚乙烯塑性体P2：·880且905kg/m3，优选890且904kg/m3的密度，依据ASTM D1505(2010)测定；·≥0.1且≤5.0g/10min，优选≥0.5且≤2.0g/10min的熔体质量流动速率，依据ISO 1133‑1(2011)在190℃采用2.16kg的载荷测定。这样的集装箱衬里表现出令人期望的高耐挠曲性，并结合了高落镖冲击耐受性，以及高拉伸强度。
用于装载液体集装箱衬里

[发明专利]异质结双极型晶体管-CN202110613776.0在审
发明人： H·L·小奥尔德里奇;A·K·斯坦珀;J·黄;J·A·康塔洛夫斯基 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及异质结双极型晶体管及制造方法。该结构包括：第一半导体层，其包括器件区域；第二半导体层，其位于第一半导体层下方；导电材料层，其位于第一半导体层和第二半导体层之间；至少一个接触，其延伸到导电材料层并与导电材料层接触；以及器件，其位于导电材料层上方的器件区域中。
异质结双极型晶体管

[发明专利]使用以位置为基础的属性的干扰减少-CN201880051308.5有效
发明人： B·布拉尔;J·黄;高理升 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：揭示提供例如包含一或多个金属线的半导体图像的图像中的干扰减少的方法及系统。潜在缺陷与两个垂直轴线的像素灰阶强度图相关。沿所述两个轴线确定所述潜在缺陷相对于例如金属线的图案的位置。所述潜在缺陷可分类为所关注缺陷或干扰事件。
使用位置基础属性干扰减少

[发明专利]一种用于鉴定样品中的含有靶核苷酸序列的一个或多个核酸分子的方法-CN202110785131.5在审
发明人： F·巴拉尼;J·W·爱夫卡维茨;C·鲁伊斯·卢埃达;J·黄;P·B·菲恩伯格 -专利权人：康奈尔大学
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C12Q1/6827 文献下载
摘要：本发明涉及用于鉴定和定量的方法和装置，包括低丰度的核苷酸碱基突变、插入、缺失、易位、剪接变体、miRNA变体、可变转录物、可变起始位点、可变编码序列、可变非编码序列、可变剪接、外显子插入、外显子缺失、内含子插入、或基因组水平上的其他重排和/或甲基化核苷酸碱基。
一种用于鉴定样品中的含有核苷酸序列一个核酸分子方法

[发明专利]跨越高速外围互连总线的视频渲染-CN201710860732.1有效
发明人： J·程;T·拉维奥莱特;J·黄;R·扎布聚茨;J·朗;X·翁;S·马林科维奇;P·穆玛;M·简;M·特里西德;R·萨尔特切瓦;G·谢;I·利特奇马诺夫 -专利权人： ATI技术无限责任公司
申请日： 2008-12-01 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G09G5/36 文献下载
摘要：本发明涉及跨越高速外围互连总线的视频渲染。由一个图形处理器产生的图形经由高速互连总线而传送至帧缓冲器。来自该帧缓冲器的该渲染过的帧经由与该帧缓冲器通信的显示器接口而呈现在显示器上。另一个存在的(例如，集成的)图形适配器/子系统的显示器接口可用来将该渲染过的帧呈现于互连的显示器上。
跨越高速外围互连总线视频渲染

[发明专利]存储器装置页面程序序列-CN202110164112.0在审
发明人： K·坦派罗;J·黄;T·O·伊瓦萨基;K·K·姆奇尔拉;P·S·菲利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G06F12/1009 文献下载
摘要：本文中描述的各种实施例为例如“与非”NAND型存储器装置的存储器装置的块提供页面程序序列，其中所述字线在字线关于下一组页面类型(例如UP及XP页面)进行编程前关于一组给定页面类型(例如LP页面)进行编程。
存储器装置页面程序序列

[发明专利]衬底和具有3D几何图形上的2D材料沟道的晶体管-CN201680039906.1有效
发明人： V·莫洛兹;J·黄;J·卡瓦 -专利权人：美商新思科技有限公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：粗略地描述，晶体管形成有共形地包裹在3D结构的至少一部分上的半导体2D材料层。所述3D结构可以是例如由电介质材料制成或者由与半导体或传导材料纵向交替的电介质材料制成的脊。可替代地，所述3D结构可以是树形。其他形状也是可能的。各方面还包括用于制造此类结构的方法、以及限定此类结构的集成电路布局和用于开发此类布局的方法、存储包括限定此类结构和布局的一些设计条目的设计条目的机器可读数据存储介质、用于开发此类设计条目的方法。各方面还包括被制备为用于制造集成电路中的中间产品的皱褶状晶片，所述集成电路具有共形地设置在3D结构上的半导体2D材料层。
衬底具有几何图形材料沟道晶体管

[发明专利]具有独立子模块的可重新配置的多频带基站天线-CN201980074377.2在审
发明人： S·派特尔;A·卡斯塔;邓刚毅;侯晓华;唐诚成;J·黄 -专利权人：康普技术有限责任公司
申请日： 2019-10-04 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01Q1/42 文献下载
摘要：基站天线包括具有第一背板的主模块，所述第一背板包括第一反射器。第一辐射元件的竖直延伸阵列安装成从第一反射器向前延伸，并且至少一个第一RF端口联接到第一辐射元件的竖直延伸阵列。这些天线进一步包括附接到第一背板的子模块。子模块包括第二背板，第二背板具有与第一反射器分开的第二反射器。第二辐射元件的竖直延伸阵列安装成从第二反射器向前延伸，并且与第一辐射元件的竖直延伸阵列横向间隔开。多个第二RF端口联接到第二辐射元件的竖直延伸阵列。第一辐射元件的竖直延伸阵列和第二辐射元件的竖直延伸阵列构造成服务于基站的共同扇区。
具有独立模块重新配置频带基站天线

[发明专利]用于检测工具的装置和方法-CN201680071653.6有效
发明人： A·普塔黑里安;H·H·M·科斯滕;N·米哈伊洛维奇;J·黄;P·H·N·德维特 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： A61B8/08 文献下载
摘要：一种装置适于基于由3D超声成像系统获得的3D图像来检测工具。所述装置包括图像处理单元，所述图像处理单元包括被配置为执行工具检测流程的工具检测模块。所述工具检测流程涉及识别所述工具在3D图像中的阴影，以及计算所述3D图像中表示所述工具的整个长度的“工具平面截面”的位置。
用于检测工具装置方法

[发明专利]半导体肖特基整流器装置-CN202110041612.5在审
发明人： K·赵;J·黄 -专利权人：达尔科技股份有限公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：构建于衬底上方的外延半导体层中的半导体肖特基整流器具有从外延层的表面延伸的阳极结构及阴极结构。所述阳极接触结构具有在所述外延层附近的沟槽结构及覆盖有栅极氧化物层的垂直侧壁表面。所述阴极结构进一步包括邻近所述栅极氧化物层的多晶硅元件。
半导体肖特基整流器装置

[发明专利]一种用于鉴定样品中的含有靶核苷酸序列的一个或多个核酸分子的方法-CN201580066531.3有效
发明人： F·巴拉尼;J·W·爱夫卡维茨;C·鲁伊斯·卢埃达;J·黄;P·B·菲恩伯格 -专利权人：康奈尔大学
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： C12Q1/6886 文献下载
摘要：本发明涉及用于鉴定和定量的方法和装置，包括低丰度的核苷酸碱基突变、插入、缺失、易位、剪接变体、miRNA变体、可变转录物、可变起始位点、可变编码序列、可变非编码序列、可变剪接、外显子插入、外显子缺失、内含子插入、或基因组水平上的其他重排和/或甲基化核苷酸碱基。
一种用于鉴定样品中的含有核苷酸序列一个核酸分子方法

[发明专利]存储器子系统中多平面奇偶校验数据的存储管理-CN202011603068.0在审
发明人：罗贤钢;J·黄;L·K·K·瓦卡缇;H·R·桑吉迪 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本申请涉及存储器子系统中多平面奇偶校验数据的存储管理。接收待写入到包含存储器装置的一组多个平面的存储区域的主机数据。基于所述主机数据的所述一组多个平面的一部分执行第一奇偶校验生成操作以生成一组多平面奇偶校验数据。将所述一组多平面奇偶校验数据存储在存储器子系统的控制器的高速缓冲存储器中。基于所述主机数据的所述一组所述多个平面执行第二奇偶校验生成操作以生成一组多页面奇偶校验数据。将所述一组多页面奇偶校验数据存储在所述存储器子系统的所述控制器的所述高速缓冲存储器中。基于所述一组多平面奇偶校验数据和所述一组多页面奇偶校验数据执行数据恢复操作。
存储器子系统平面奇偶校验数据存储管理