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[发明专利]形成晶体管的方法、衬底图案化的方法及晶体管-CN201810939973.X有效
发明人： P·C·布兰特;F·J·桑托斯罗德里奎兹;A·R·斯特格纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及形成晶体管的方法、衬底图案化的方法及晶体管。一种形成包括栅极电极的晶体管的方法，包括：在半导体衬底(100)之上形成牺牲层(140)，在牺牲层(140)之上形成图案层(150)，将图案层(150)图案化为经图案化的结构，形成与经图案化的结构的侧壁相邻的间隔物(160)，去除经图案化的结构，使用间隔物(160)作为蚀刻掩模蚀刻穿过牺牲层(140)并蚀刻到半导体衬底(100)中，从而在半导体衬底(100)中形成沟槽，将导电材料(210)填充到半导体衬底(100)中的沟槽中以形成栅极电极。
形成晶体管方法衬底图案

[发明专利]半导体器件及其制造-CN201710297324.X有效
发明人： P·C·布兰特;T·奥尔;M·普法芬莱纳;F·D·普菲尔施;F·J·桑托斯罗德里奎兹;H-J·舒尔策;A·R·斯特格纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了半导体器件及其制造。半导体器件包括半导体本体，半导体本体包括：第一侧、在平行于第一侧的方向上界定半导体本体的边缘、有源区域、布置在有源区域和边缘之间的外围区域、从有源区域延伸到外围区域中的第一传导类型的第一半导体区域、与第一半导体区域形成pn结的第二传导类型的第二半导体区域、与第一半导体区域相邻并且布置在第一侧处并且在第二半导体区域与边缘之间的第二传导类型的第一边缘终止区域、以及布置在第一侧处并且在第一边缘终止区域和边缘之间的第一传导类型的第二边缘终止区域。第二边缘终止区域具有第一传导类型的变化的掺杂剂浓度，其至少在紧接第一边缘终止区域随着距第一边缘终止区域的距离的增加而实质上线性地增加。
半导体器件及其制造

[发明专利]用于加工晶片的方法和层堆叠-CN201710576639.8有效
发明人： F·J·桑托斯罗德里奎兹 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请涉及用于加工晶片的方法和层堆叠。根据不同的实施方式，用于加工晶片的方法可以包括下列：形成(200a)层堆叠(251)，其包括支撑层(202)和使用层以及在它们之间的牺牲区域(206)，该牺牲区域具有比该支撑层(202)和该使用层更小的相对于加工流体的机械耐抗性和/或化学耐抗性；穿过该支撑层(202)或者至少进入该支撑层中地形成(200b)凹陷(208)，其将牺牲区域(206)露出；在所露出的牺牲区域(206)中借助加工流体形成(200c)至少一个通道(210)，其中该通道(210)连接该凹陷(208)和该层堆叠(251)的外部。
用于加工晶片方法堆叠

[发明专利]用于减薄衬底的方法-CN201611018130.3有效
发明人： R·拉普;I·莫德;I·穆里;F·J·桑托斯罗德里奎兹;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：各种实施例涉及用于减薄衬底的方法。根据各种实施例，一种方法可以包括：提供具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的衬底；通过处理衬底的第一侧而在衬底中或上方中的至少一项形成掩埋层；将衬底从衬底的第二侧减薄，其中掩埋层包括与衬底相比对减薄具有较大抵抗性的固态化合物，并且其中减薄在掩埋层处停止。
用于衬底方法

[发明专利]制造多个玻璃件的方法、制造光学件的方法和玻璃件阵列-CN201610601876.0有效
发明人： A·布罗克迈尔;A·布雷梅瑟;F·J·桑托斯罗德里奎兹;C·冯克布林斯基;P·佐恩 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C03B19/00 文献下载
摘要：本公开涉及制造多个玻璃件的方法、制造光学件的方法以及玻璃衬底中的玻璃件的阵列。其中制造多个玻璃件的方法包括：使玻璃衬底的第一主面与第一模制衬底的第一工作表面接触，第一工作表面设置有多个第一凸起部；以及使玻璃衬底的第二主面与第二模制衬底的第二工作表面接触，第二工作表面设置有多个第二凸起部。该方法还包括：将玻璃衬底的温度控制到高于玻璃转化温度的温度以形成多个玻璃件；从玻璃衬底去除第一和第二模制衬底；以及分离多个玻璃件中相邻玻璃件。
玻璃件衬底工作表面玻璃制造第二模光学件凸起部主面玻璃转化衬底去除相邻玻璃第一模

[发明专利]半导体器件装置和用于形成半导体器件装置的方法-CN201510570663.1有效
发明人： F·J·桑托斯罗德里奎兹 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-09-09 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的各个实施例涉及半导体器件装置和用于形成半导体器件装置的方法。半导体器件装置包括半导体衬底，该半导体衬底包括半导体衬底正面和半导体衬底背面。半导体衬底包括形成在半导体衬底正面处的至少一个电学元件。半导体器件装置进一步包括形成在半导体衬底背面处的至少一个多孔半导体区域。
半导体器件装置用于形成方法

[发明专利]包括在漂移区中波动分布的净掺杂的半导体器件-CN201510039578.2有效
发明人： E·法尔克;A·黑特尔;M·普法芬莱纳;F·J·桑托斯罗德里奎兹;D·施罗格尔;H-J·舒尔策;A·R·斯特格纳;J·G·拉文 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-01-27 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，其包括具有相对的第一侧和第二侧的半导体主体。该半导体器件进一步包括半导体主体中的、在第一侧和pn结之间的漂移区。在该第一侧和第二侧之间沿着所述漂移区的垂直延伸的至少50％，该漂移区的净掺杂的分布是波动的，并且包括在1x10¹³cm^‑3和5x10¹⁴cm^‑3之间的掺杂峰值。器件的阻断电压Vbr由pn结的击穿电压定义，该pn结位于漂移区和相反的导电类型的半导体区之间，该半导体区被电耦接至半导体主体的第一侧。
包括漂移波动分布掺杂半导体器件

[发明专利]晶片装置和用于加工晶片的方法-CN201510601403.6有效
发明人： F·J·桑托斯罗德里奎兹;G·拉克纳;J·昂特韦格 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本申请涉及晶片装置及加工晶片的方法。根据不同实施例，晶片装置可以包括：晶片和晶片支撑环，其中所述晶片和所述晶片支撑环配置为彼此可释放地附接。
晶片装置用于加工方法

[发明专利]单晶衬底和微机械结构的加工方法-CN201710890273.1在审
发明人： A·布罗克迈尔;R·拉普;F·J·桑托斯罗德里奎兹 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：根据各种实施例，加工单晶衬底(102)的方法可以包括沿着主处理侧将衬底(102)分割(100b)成至少两个单晶衬底子块(102a，102b)；以及形成(100c)包括所述至少两个衬底子块(102a，102b)的单晶衬底子块的微机械结构(106)。
衬底微机结构加工方法

[发明专利]电池、集成电路和制造电池的方法-CN201510144873.4有效
发明人： R·K·乔施;A·布雷梅瑟;B·格勒;K·卡洛维斯基;F·J·桑托斯罗德里奎兹;P·佐恩 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：电池包括具有第一主表面的第一基板、由导电材料或半导体材料制成的第二基板、以及绝缘材料的载体。载体具有第一和第二主表面，第二基板被附接至载体的第一主表面。在载体的第二主表面中形成开口以使第二基板的第二主表面的一部分未被覆盖。载体的第二主表面被附接至第一基板，由此形成空腔。电池进一步包括设置在空腔中的电解质。
电池集成电路制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410146227.7有效
发明人： H-J·舒尔策;J·鲍姆加特尔;G·拉克纳;A·毛德;F·J·桑托斯罗德里奎兹 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：一种半导体器件包括器件载体以及附接至器件载体的半导体芯片。此外，半导体器件包括具有凹陷的盖体。盖体包括半导体材料并且附接至器件载体以使得半导体芯片容纳在凹陷中。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410294978.3有效
发明人： G·施密特;M·米勒;F·J·桑托斯罗德里奎兹;D·施罗格尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。功率半导体器件包括半导体本体，半导体本体具有横向相互相邻的有源区域和高压外围区域，高压外围区域横向围绕有源区域。该器件进一步包括金属化层，在半导体本体的正面上并且连接至有源区域；第一阻挡层，包括高熔点金属或高熔点合金，在有源区域和金属化层之间；以及第二阻挡层，覆盖了外围区域的至少一部分，第二阻挡层包括非晶的半绝缘材料。第一阻挡层和第二阻挡层部分地重叠并且形成重叠区域。重叠区域延伸在有源区域的整个周界之上。也提供了一种用于制造该功率半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]形成晶体管的方法、衬底图案化的方法及晶体管-CN201510634787.1在审
发明人： P·C·布兰特;F·J·桑托斯罗德里奎兹;A·R·斯特格纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种形成包括栅极电极的晶体管的方法，包括：在半导体衬底(100)之上形成牺牲层(140)，在牺牲层(140)之上形成图案层(150)，将图案层(150)图案化为经图案化的结构，形成与经图案化的结构的侧壁相邻的间隔物(160)，去除经图案化的结构，使用间隔物(160)作为蚀刻掩模蚀刻穿过牺牲层(140)并蚀刻到半导体衬底(100)中，从而在半导体衬底(100)中形成沟槽，将导电材料(210)填充到半导体衬底(100)中的沟槽中以形成栅极电极。
形成晶体管方法衬底图案

[发明专利]用于处理晶片的方法和晶片结构-CN201410524598.4在审
发明人： S·R·耶杜拉;K·H·加瑟;S·韦勒特;K·迈尔;F·J·桑托斯罗德里奎兹 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供用于处理晶片的方法和晶片结构。根据各种实施例的用于处理晶片的方法可包括：从晶片的内部部分去除晶片材料，以在所述晶片的边缘区形成至少部分地包围所述晶片的内部部分的结构；以及使用所述结构作为印刷掩模，将材料印刷到所述晶片的内部部分中。根据各种实施例的用于处理晶片的方法可包括：提供托架和晶片，所述晶片具有第一面和与所述第一面相对的第二面，其中所述晶片的所述第一面附着于所述托架，所述第二面具有位于所述晶片的边缘区的结构，所述结构至少部分地包围所述晶片的内部部分；以及，将材料印刷到所述晶片的所述第二面的至少一部分上。
用于处理晶片方法结构

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