专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于处理半导体晶片的方法-CN201510350426.4有效
  • J·G·拉文;H-J·舒尔策;S·福斯;A·布雷梅瑟;A·苏斯蒂;刘书海;H·奥弗纳 - 英飞凌科技股份有限公司
  • 2015-06-23 - 2019-02-01 - H01L21/265
  • 本公开涉及用于处理半导体晶片的方法。通过经由第二侧将第一粒子注入到半导体晶片中以在半导体晶片中形成晶体缺陷,来处理磁性提拉法半导体晶片,磁性提拉法半导体晶片具有在第一垂直方向上彼此远离布置的第一侧和第二侧。晶体缺陷在第一深度处具有最大缺陷浓度。在第一热工艺中对半导体晶片进行加热,以形成辐射引发施主。选择注入能量和剂量,使得半导体晶片在第一热工艺之后具有布置在第二侧与第一深度之间的n掺杂半导体区域,并且n掺杂半导体区域在第一垂直方向上具有在第一深度与第二侧之间的净掺杂浓度的局部最大值和在第一深度与第一最大值之间的净掺杂浓度的局部最小值。
  • 用于处理半导体晶片方法

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