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[发明专利]包括在漂移区中波动分布的净掺杂的半导体器件-CN201510039578.2有效
发明人： E·法尔克;A·黑特尔;M·普法芬莱纳;F·J·桑托斯罗德里奎兹;D·施罗格尔;H-J·舒尔策;A·R·斯特格纳;J·G·拉文 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-01-27 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，其包括具有相对的第一侧和第二侧的半导体主体。该半导体器件进一步包括半导体主体中的、在第一侧和pn结之间的漂移区。在该第一侧和第二侧之间沿着所述漂移区的垂直延伸的至少50％，该漂移区的净掺杂的分布是波动的，并且包括在1x10¹³cm^‑3和5x10¹⁴cm^‑3之间的掺杂峰值。器件的阻断电压Vbr由pn结的击穿电压定义，该pn结位于漂移区和相反的导电类型的半导体区之间，该半导体区被电耦接至半导体主体的第一侧。
包括漂移波动分布掺杂半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410294978.3有效
发明人： G·施密特;M·米勒;F·J·桑托斯罗德里奎兹;D·施罗格尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。功率半导体器件包括半导体本体，半导体本体具有横向相互相邻的有源区域和高压外围区域，高压外围区域横向围绕有源区域。该器件进一步包括金属化层，在半导体本体的正面上并且连接至有源区域；第一阻挡层，包括高熔点金属或高熔点合金，在有源区域和金属化层之间；以及第二阻挡层，覆盖了外围区域的至少一部分，第二阻挡层包括非晶的半绝缘材料。第一阻挡层和第二阻挡层部分地重叠并且形成重叠区域。重叠区域延伸在有源区域的整个周界之上。也提供了一种用于制造该功率半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法