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[发明专利]一种基于sql语言的mongodb数据更新方法-CN202310824497.8在审
发明人：刘婷峰;姚志勇;李越峰;张萌;付学勇;高秀秀;王占名;张明 -专利权人：上海爱湃斯科技有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06F16/242 文献下载
摘要：本发明涉及数据库技术领域，提出了一种基于sql语言的mongodb数据更新方法，包括：获得元表、元字段表和主数据表，所述元表包括多条元表记录，任一条元表记录包括一个表名和至少一个表名属性；所述元字段表包括多条元字段记录，任一条元字段记录包括一个字段名和至少一个字段名属性；所述主数据表包括多条主数据记录，任一条主数据记录包括一个主数据值和至少一个主数据值属性；在识别到sql语句执行时，解析语法树提取出所述sql语句中的sql操作字、表名、字段名和主数据值；根据所述sql操作字、所述表名、所述字段名和所述主数据值将sql语句替换为对应的mongodb语句；执行所述mongodb语句。通过上述技术方案，解决了相关技术中Mongodb数据库操作不便的问题。
一种基于 sql 语言 mongodb 数据更新方法

[发明专利]一种碳化硅VDMOS器件的元胞结构及其制作方法-CN201911207080.7有效
发明人： 高秀秀;李诚瞻;齐放;戴小平 -专利权人：湖南国芯半导体科技有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅VDMOS器件的元胞结构及其制作方法，在第一导电类型衬底上设置第一导电类型漂移区，在其表面上设置有栅极绝缘层及在绝缘层上设置的栅极，在中心部位，第一导电类型漂移区表面向下设置有第一导电类型JFET注入区，在元胞结构的边缘部位，第一导电类型漂移区的表面设置有对称分布的若干栅结构。通过减少第二导电类型屏蔽区覆盖面积，并在JFET区新设置第一导电类型JFET注入区，以及进一步可设置的第一导电类型外延区，降低了第二导电类型屏蔽区/第一导电类型漂移区结的电容CDB，降低了寄生NPN管开启的概率，且不会降低dV/dt的能力，提升了器件的可靠性，还通过提高JFET区域的浓度降低了JFET区的通态电阻，大幅提高器件的导通能力。
一种碳化硅 vdmos 器件结构及其制作方法

[发明专利]一种功率半导体器件的元胞结构及其制造方法-CN202011187521.4有效
发明人： 高秀秀;邱乐山;李诚瞻;齐放;戴小平 -专利权人：湖南国芯半导体科技有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件的元胞结构及其制造方法，所述元胞结构包括：位于第一导电类型衬底表面上的第一导电类型外延层；位于外延层中部两侧预设结深的第二导电类型基区；位于第二导电类型基区表面之上并与外延层中部接触的沟道层；位于沟道层表面之上的势垒层；位于靠近外延层中部的势垒层之上的介质层以及介质层之上的栅极金属；位于远离外延层中部的势垒层之上的源极金属，其中源极金属与栅极金属之间采用绝缘层隔离；位于所述第一导电类型衬底底部的漏极金属。本发明通过设置AlGaN/GaN异质结，大幅增加了沟道载流子迁移率，减小了导通电阻，由于未设置栅极氧化层，避免了栅氧失效对器件可靠性影响，具有更高的耐压能力。
一种功率半导体器件结构及其制造方法

[发明专利]一种燃料电池膜用亲水改性ePTFE膜及其制备方法-CN202111496992.8有效
发明人：张尊彪;魏刚;李永哲;付绍娟;郭骞;高秀秀;王丽 -专利权人：山东东岳未来氢能材料股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C08J7/14 文献下载
摘要：本发明涉及膜材料表面处理技术领域，特别是指一种燃料电池膜用亲水改性ePTFE膜及其制备方法。本发明采用化学改性方法对ePTFE膜进行亲水改性，对膜依次进行超声处理、硅酸酸化，使ePTFE膜表面暴露大量的亲水性Si‑OH基团，然后将所得的硅酸酸化的ePTFE膜浸泡于一定浓度的含氟磺酸盐溶液中，使羟基亲水键与含氟磺酸盐聚合物中的磺酸基团进一步通过分子间氢键结合，得到亲水性能更好的ePTFE膜。本发明的ePTFE膜亲水改性方法不会破坏ePTFE膜自身结构，保持了ePTFE膜的化学稳定性；此外，该方法的副产物可用碱液吸收，环保无污染。
一种燃料电池膜用亲水改性 eptfe 及其制备方法

[发明专利]一种具有错位排列的超结P区的高压MOSFET及其制造方法-CN201610816169.3有效
发明人： 高秀秀;焦世龙;高耿辉;陈利 -专利权人：厦门元顺微电子技术有限公司;厦门吉顺芯微电子有限公司;友顺科技股份有限公司
申请日： 2016-09-12 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有错位排列的超结P区的高压MOSFET及其制造方法，包括金属层A、N+衬底、P串区、P柱区、第五层外延层、第六层外延层、栅氧化层、金属层B、多晶硅栅，金属层A、N+衬底、P串区、P柱区、第五层外延层、第六层外延层从下至上依次排列，多晶硅栅位于栅氧化层内部，金属层B引出S极，多晶硅栅引出G极，金属层A引出D极，第五层外延层内设有P埋层，所述P埋层为若干个离子注入区，所述若干个离子注入区呈错位交叉排列分布。本发明的高压MOSFET耐压值高，抗电荷偏移影响的能力增强，可靠性提高，其工艺简单，提高效率和功率器件的良品比例，降低成本。
一种具有错位排列高压 mosfet 及其制造方法

[实用新型]一种带场板和场限环的边缘终端-CN202221259251.8有效
发明人： 高秀秀;刘洪伟;戴小平 -专利权人：湖南国芯半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带场板和场限环的边缘终端，该边缘终端包括衬底和形成于衬底一侧的漂移区，漂移区的外侧形成有主结区和若干个场限环，若干个场限环依次环绕在主结区的外周，在场限环与主结区外侧的同一水平面上形成有钝化层整板，钝化层整板上形成场板整板，场板整板的材质为栅极金属。本实用新型带场板和场限环的边缘终端具有终端效率高、阻断电压高等优点，可广泛用于制造MOSFET、IGBT中，使用价值高，应用前景好，其对应的制造方法可以大幅降低操作难度以及简化操作步骤，因而更有利于提高性能的可靠性。
一种带场板场限环边缘终端

[实用新型]一种半导体功率器件的边缘终端和半导体功率器件-CN202220575578.X有效
发明人： 高秀秀;刘洪伟;李然;戴小平 -专利权人：湖南国芯半导体科技有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体功率器件的边缘终端和半导体功率器件，该边缘终端包括：N个浮空场限环，浮空场限环环绕半导体功率器件的主结区，其中第1个至第n个浮空场限环的结深与主结区的结深相同，第n+i个浮空场限环的结深大于第n个浮空场限环的结深，且从第n+1个浮空场限环开始，浮空场限环的结深逐渐增大，N、n、i为正整数，且2≤n＜n+i≤N。本实用新型半导体功率器件的边缘终端，通过优化浮空场限环的结深和掺杂分布，浮空场限环的曲率半径增大，提升了终端区的电场分布均匀性和面积，进而提升了终端效率和阻断电压。
一种半导体功率器件边缘终端

[发明专利]一种带场板和场限环的边缘终端及其制造方法和应用-CN202210569994.3在审
发明人： 高秀秀;刘洪伟;戴小平 -专利权人：湖南国芯半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种带场板和场限环的边缘终端及其制造方法和应用，该边缘终端包括衬底和形成于衬底一侧的漂移区，漂移区的外侧形成有主结区和若干个场限环，若干个场限环依次环绕在主结区的外周，在场限环与主结区外侧的同一水平面上形成有钝化层整板，钝化层整板上形成场板整板，场板整板的材质为栅极金属。其制造方法包括采用沉积、光刻和刻蚀工艺在衬底上制备以整片/整板的形式存在的钝化层和场板。本发明带场板和场限环的边缘终端具有终端效率高、阻断电压高等优点，可广泛用于制造MOSFET、IGBT中，使用价值高，应用前景好，其对应的制造方法可以大幅降低操作难度以及简化操作流程，因而更有利于提高性能的可靠性。
一种带场板场限环边缘终端及其制造方法应用

[发明专利]一种半导体功率器件的边缘终端及其制造方法和半导体功率器件-CN202210259525.1在审
发明人： 高秀秀;刘洪伟;李然;戴小平 -专利权人：湖南国芯半导体科技有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率器件的边缘终端及其制造方法和半导体功率器件，该边缘终端包括：N个浮空场限环，浮空场限环环绕半导体功率器件的主结区，其中第1个至第n个浮空场限环的结深与主结区的结深相同，第n+i个浮空场限环的结深大于第n个浮空场限环的结深，且从第n+1个浮空场限环开始，浮空场限环的结深逐渐增大，N、n、i为正整数，且2≤n＜n+i≤N。本发明边缘终端通过优化浮空场限环的结深和掺杂分布，浮空场限环的曲率半径增大，提升了终端区的电场分布均匀性和面积，进而提升了终端效率和阻断电压。
一种半导体功率器件边缘终端及其制造方法

[实用新型]功率半导体器件-CN202122837813.4有效
发明人： 高秀秀;柯攀;戴小平 -专利权人：湖南国芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率半导体器件，包括N型衬底，N型衬底上设有N型外延层下部分，N型外延层下部分上部形成P基区下部分，N型外延层下部分上面设有N型外延层上部分，N型外延层上部分上部设有两个P基区上部分，其中一个P基区上部分中设有N+源区和P+源区，N+源区两侧的P基区上部分形成沟道，另一个P基区上部分设有绝缘介质层，绝缘介质层上设有多晶硅，多晶硅上设有栅极金属，N+源区和P+源区上设有源极金属，N型衬底的背面设有漏极金属；其中非有源区或栅极焊盘靠近有源区的边缘处不存在源极金属。本实用新型具有减小漏源电容，规避有源区与非有源区边界的位移电流，提高器件dVDS/dt能力等优点。
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN202111371762.9在审
发明人： 高秀秀;柯攀;戴小平 -专利权人：湖南国芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件，包括N型衬底，N型衬底上设有N型外延层下部分，N型外延层下部分上部形成P基区下部分，N型外延层下部分上面设有N型外延层上部分，N型外延层上部分上部设有两个P基区上部分，其中一个P基区上部分中设有N+源区和P+源区，N+源区两侧的P基区上部分形成沟道，另一个P基区上部分设有绝缘介质层，绝缘介质层上设有多晶硅，多晶硅上设有栅极金属，N+源区和P+源区上设有源极金属，N型衬底的背面设有漏极金属；其中非有源区或栅极焊盘靠近有源区的边缘处不存在源极金属。本发明具有减小漏源电容，规避有源区与非有源区边界的位移电流，提高器件dVDS/dt能力等优点。
功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]新型碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法-CN201811267285.X有效
发明人：陶永洪;高秀秀;蔡文必 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了新型碳化硅结势垒肖特基二极管，包括层叠设置的第一导电类型碳化硅衬底，第一导电类型碳化硅外延层；所述第一导电类型碳化硅外延层的上表面由中心向外依次设置有有源区、保护环和第二导电类型终端场限环；所述有源区包括间隔设置的多个第二导电类型结势垒区；沿着保护环向有源区的中心的方向，相邻第二导电类型结势垒区的间距逐渐增大，且第二导电类型结势垒区的宽度逐渐减小。本发明还提供了上述的碳化硅结势垒肖特基二极管的制作方法。
新型碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法

[实用新型]一种燃料电池膜氢气透过率测试系统-CN202023237797.7有效
发明人：张尊彪;魏刚;高秀秀;郭骞;卢枫;王丽;张恒 -专利权人：山东东岳未来氢能材料股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种燃料电池膜氢气透过率测试系统，包括气体渗透装置、加热罐系统和氢气浓度检测装置，气体渗透装置包括结构相同的2个半腔夹具，2个半腔夹具连接处设置密封胶圈，密封胶圈内平铺设置燃料电池膜，加热罐系统包括结构相同的左加热罐和右加热罐，左加热罐和右加热罐内均设置加热棒和热电偶，左加热罐和右加热罐分别管道连接至2个半腔夹具；氢气浓度检测装置包含气相色谱仪和计算机，连接左加热罐的半腔夹具管道连接至气相色谱仪，气相色谱仪连接计算机，另一个半腔夹具设置排气管道。本实用新型通过加热罐系统调控膜渗透所需的不同温度和湿度条件，拓宽了膜的透氢测试范围，表征饱和湿度、不同温度下燃料电池膜的氢气透过性能。
一种燃料电池氢气透过测试系统

[发明专利]一种多功能立式内镜洗消转运车-CN202110565362.5在审
发明人：张永红;丁雅坤;曲波;李惠;高秀秀 -专利权人：哈尔滨医科大学
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： A61B50/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种多功能立式内镜洗消转运车，涉及内镜医疗辅助设备的技术领域，解决了内镜转运过程中取放内镜不方便的问题，包括：抽屉柜的上表面设有若干同一水平高度且并排设置的立式箱体、设于立式箱体内且与内镜相匹配的内镜箱体、设于抽屉柜下方带有锁死装置的万向轮、以及通过传动机构连接的盖子和脚踏踏板。内镜箱体的容置腔体与内镜相匹配，防止内镜在转运过程中由于碰撞导致损坏，利用脚踏踏板和传动机构开启盖子，便于医务人员双手取用内镜，带有锁死装置的万向轮有效防止取用过程中，转运车发生滑动产生碰撞，盖子闭合后，容置腔体处于密闭环境中，减少交叉感染。同时可以放置消毒液，便于床旁传染性内镜快速预消毒，降低暴露时间。
一种多功能立式内镜洗消转运

[发明专利]一种基于NB-IOT的智能垃圾分类系统-CN202110248580.6在审
发明人：董海;高秀秀;董一萱 -专利权人：沈阳大学
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： B07C5/34 文献下载
摘要：本文公开了一种基于NB‑IOT的智能垃圾分类系统，包括远程控制平台和智能垃圾桶。所述系统的智能垃圾桶包括智能分类模块，分类传送模块和分类存储模块，智能分类模块对投入垃圾进行智能分类识别，分类传送模块接收智能分类模块给出的分类指令并将垃圾传送至相应的分类存储模块内。所述系统的远程控制平台通过NB‑IOT集中管理指定区域内的智能垃圾桶群，接收智能垃圾桶的容量和分类异常信号，并将满容垃圾桶的具体位置发送到环卫工人的手机，同时对分类异常的垃圾进行人工在线识别。本发明基于BP神经网络实现垃圾智能分类，采用智能硬件代替人工分类，减少分拣的人工成本和风险，同时基于NB‑IOT实现远程控制平台对智能垃圾桶状态的实时在线监控，及时处理垃圾桶满容和分类异常问题，可以有效提高智能垃圾分类系统的工作柔性，合理安排工作人员的作业。
一种基于 nb iot 智能垃圾分类系统

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