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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种晶棒夹持工具-CN202222725766.9有效
发明人： 詹晨晨;廖和杰;刘火阳;马金峰;唐林锋 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体加工领域，公开了一种晶棒夹持工具。包括底座，所述底座的一端设置固定挡板，所述底座的上表面设置用于放置晶棒的防滑垫，所述底座上还设置将晶棒固定在防滑垫的紧固组件；所述固定挡板的一端抵接晶棒的端部，所述固定挡板的另一端设置与加工设备可拆卸固定的固定件。本实用新型的晶棒夹持工具结构简单，操作便捷，在使用过程中可降低晶棒的物料损耗，提高晶棒切割的质量。
一种夹持工具

[实用新型]一种雾化清洗机-CN202123432863.0有效
发明人：郑金龙;周铁军;马金峰;吴倩;詹晨晨 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种雾化清洗机，旨在提高晶片的清洗效率，其技术方案：一种雾化清洗机，包括机座，所述机座上设有一清洗筒，所述清洗筒的一端为开放端且其上设有一盖体；所述清洗筒内设有固定模块、药液输出装置，所述固定模块用于固定晶片，所述药液输出装置通过一管道与一供液模块连接将药液扩散输出到清洗筒内，所述固定模块通过一驱动模块驱动围绕着所述药液输出装置公转，属于晶片清洗技术领域。
一种雾化清洗

[发明专利]一种半导体晶片及其加工方法-CN201911064359.4有效
发明人：廖彬;周铁军;严卫东;陈勇;王金灵;马金峰;詹晨晨 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶片及其加工方法。本发明选用硬质透明塑料基片作为支撑基片，通过UV胶将待抛光加工的半导体晶片与基片贴合，固化后再对半导体晶片进行抛光处理，有效解决了90‑140μm厚的半导体晶片的加工过程中容易碎片，成品率较低的问题。本发明可批量生产90‑140μm厚的半导体晶片，减小了外延芯片过程中去除背面衬底材料的厚度，缩短了去除衬底材料的时间，节约了生产成本。
一种半导体晶片及其加工方法

[发明专利]一种晶片清洗工艺-CN202111655476.5在审
发明人：郑金龙;周铁军;马金峰;詹晨晨;资云玲 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片清洗工艺，旨在采用喷淋的方式来清洗晶片，使晶片依次经过碱洗、碱洗、酸洗和氧化，依次除去晶片表面的大颗粒杂质、小颗粒杂质和金属杂质，最后再形成氧化层来保护晶片表面，其技术方案：一种晶片清洗工艺，包括如下步骤：步骤1：将晶片布置成水平姿态并使其水平旋转；步骤2：依次使用第一碱液、第二碱液、酸液和氧化剂溶液这4种药液对旋转中的晶片进行喷淋；所述第一碱液为含有氢氧化钠乙醇水溶液，所述第二碱液为氢氧化铵水溶液；步骤3：使用热氮气对晶片表面进行吹扫，属于半导体晶片加工技术领域。
一种晶片清洗工艺

[发明专利]一种用于磷化铟表面孪晶识别的腐蚀液及腐蚀方法-CN201910885871.9有效
发明人：宋向荣;严卫东;周铁军;马金峰;刘火阳;詹晨晨 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于磷化铟表面孪晶识别的腐蚀液及腐蚀方法，属于半导体材料领域。本发明用于磷化铟表面孪晶识别的腐蚀液，包含如下体积百分比的组分：盐酸30％～70％、双氧水0％～35％、醋酸20％～70％。本发明用于磷化铟表面孪晶识别的腐蚀方法，包括以下步骤：(1)用酒精浸泡磷化铟晶片；(2)用去离子水冲洗磷化铟晶片表面；(3)将磷化铟晶片放入腐蚀液中浸泡；(4)用去离子水冲洗磷化铟晶片表面，并干燥磷化铟晶片；(5)在日光灯下观察磷化铟晶片表面并标注孪晶分布。采用本发明的腐蚀液及腐蚀方法用于磷化铟表面孪晶识别，稳定性高、重复性好、腐蚀速度可控。
一种用于磷化表面识别腐蚀方法

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