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[发明专利]一种地下连续墙成槽全过程试验方法及其模拟装置-CN201810625961.X在审
发明人：史培新;陆卫;朱宁;朱桂春;侯冠斐;郭享;刘杨 -专利权人：苏州大学;苏州市轨道交通集团有限公司
申请日： 2018-06-18 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： G09B25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种地下连续墙成槽全过程试验方法及其模拟装置。模拟装置包括模型箱，上水箱，下水箱，地下连续墙开挖土体模型。模型箱的底面和一个侧面均采用钢板整体焊接而成，其余三个侧面采用透明的钢化玻璃进行围护，模型箱内填砂土；采用上、下两个水箱，模拟地下连续墙成槽过程中的泥浆护壁。地下连续墙开挖土体模型由蜂巢铝板块体使用承插式制成，由千斤顶控制模块的升降。本发明采用简易的材料完成地下连续墙成槽全过程的模拟，试验模拟装置按比例缩小了现场的一些地形地貌，并能对各种变量进行控制，不需要在实地进行复杂的全尺寸试验；试验方法得到的结果比数值模型法更直观、真实，同时还具有试验过程成本低廉等优势。
地下连续墙成槽模拟装置全过程试验土体模型模型箱钢化玻璃开挖蜂巢砂土试验模拟装置按比例缩小千斤顶控制地形地貌泥浆护壁试验过程数值模型整体焊接侧面板块体承插式上水箱透明的下水箱水箱底面试验围护钢板升降简易直观

[发明专利]压缩机电机冷却系统-CN201710233919.9在审
发明人：谢鹏;陆卫;徐伟峰 -专利权人：上海汉钟精机股份有限公司
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： F25B31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种压缩机电机冷却系统，其特征在于，其包括压缩机电机、膨胀阀控制器、膨胀阀、温度传感器和一喷液管路，其中，所述膨胀阀分别与所述压缩机电机的喷液口以及所述喷液管路连接，所述压缩机电机内部设置有所述温度传感器，所述膨胀阀控制器分别与所述膨胀阀和所述温度传感器电连接。本发明的积极进步效果在于：本发明的膨胀阀控制器根据感测的压缩机电机温度实时控制压缩机喷液量，使得电机温度趋于设定值，减少结霜现象发生2、机组无需专门编辑控制逻辑，由膨胀阀控制器全自动控制电机温度，减少系统复杂性。
压缩机电机膨胀阀控制器温度传感器膨胀阀冷却系统喷液管路电机全自动控制编辑控制减少系统进步效果内部设置实时控制电连接喷液口喷液量压缩机感测结霜机组

[实用新型]一种室温纳米线光子数可分辨探测器-CN201820160569.8有效
发明人：胡伟达;骆文锦;王鹏;龙明生;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本专利公开了一种室温纳米线光子数可分辨探测器。器件结构自下而上依次为是衬底、氧化物层、纳米线半导体和金属源漏电极。器件制备步骤是将CVD生长的具有丰富表面态纳米线转移到衬底上，运用紫外光刻或电子束光刻的方法结合传统剥离工艺制备金属电极作为源极和漏极，形成纳米线半导体场效应晶体管结构。器件首先需要在源极和栅极间施加负向栅压，使得场效应晶体管达到跨导最大处，通过纳米线的丰富表面态可以长时间俘获光生空穴，形成光栅效应，使得电流信号发生跳变，进而实现可分辨光子数探测。该光子探测器具有室温工作、光子数可分辨、高灵敏、响应快、稳定性好及低功耗等特点。
纳米线光子数分辨丰富表面探测器衬底源极半导体场效应晶体管场效应晶体管金属源漏电极制备金属电极电子束光刻光子探测器纳米线转移剥离工艺电流信号光生空穴光栅效应器件结构器件制备氧化物层紫外光刻低功耗最大处俘获负向漏极跳变栅压半导体灵敏探测施加响应

[发明专利]面内非对称局域场调控的低维纳米光电探测器及制备方法-CN201810091051.8在审
发明人：胡伟达;汪洋;龙明生;王现英;王鹏;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种面内非对称局域场调控的低维纳米光电探测器及制备方法。器件结构自下而上依次为衬底、氧化物层、纳米半导体、源漏电极和介质层。器件制备步骤是将用CVD方法生长出的超薄氧化锌(ZnO)纳米片转移到具有氧化物层的硅衬底上，利用电子束曝光和热蒸发等工艺制作源、漏电极，然后再利用电子束曝光和原子层沉积等工艺制作二氧化铪(HfO2)介质层，制备成低维纳米光电探测器。通过引入非对称HfO2，形成带电气体分子对纳米片的部分吸附，来调控氧化锌纳米片两边载流子的浓度，从而形成面内非对称局域场，最终来加快器件的响应速度，并且器件还展现了超高的探测率。本发明的优点是制备简单，响应速度快，暗电流低，探测率高和功耗小。
非对称制备纳米光电探测器局域场低维电子束曝光工艺制作氧化物层介质层纳米片探测率调控载流子氧化锌纳米片纳米半导体原子层沉积带电气体二氧化铪器件结构器件制备源漏电极暗电流硅衬底漏电极热蒸发形成面氧化锌再利用响应衬底功耗吸附两边生长引入

[发明专利]一种室温纳米线光子数可分辨探测器及制备方法-CN201810092865.3在审
发明人：胡伟达;骆文锦;王鹏;龙明生;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种室温纳米线光子数可分辨探测器及制备方法。其特征在于，器件结构自下而上依次为是衬底、氧化物层、纳米线半导体和金属源漏电极。器件制备步骤是将CVD生长的具有丰富表面态纳米线转移到衬底上，运用紫外光刻或电子束光刻的方法结合传统剥离工艺制备金属电极作为源极和漏极，形成纳米线半导体场效应晶体管结构。器件首先需要在源极和栅极间施加负向栅压，使得场效应晶体管达到跨导最大处，通过纳米线的丰富表面态可以长时间俘获光生空穴，形成光栅效应，使得电流信号发生跳变，进而实现可分辨光子数探测。该光子探测器具有室温工作、光子数可分辨、高灵敏、响应快、稳定性好及低功耗等特点。
纳米线光子数分辨丰富表面探测器衬底源极制备半导体场效应晶体管场效应晶体管金属源漏电极制备金属电极电子束光刻光子探测器纳米线转移剥离工艺电流信号光生空穴光栅效应器件结构器件制备氧化物层紫外光刻低功耗最大处俘获负向漏极跳变栅压半导体灵敏探测施加响应

[发明专利]一种室温可调控的亚太赫兹波探测器及制备方法-CN201610894003.3有效
发明人：王林;刘昌龙;唐伟伟;郭万龙;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2016-10-13 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明公开了一种室温可调控的亚太赫兹波探测器及制备方法，以具有高迁移率且载流子浓度可调的石墨烯场效应晶体管为基本结构单元，场效应晶体管具有一组亚太赫兹波耦合天线的源漏电极和劈裂栅极。所述探测器在蓝宝石衬底上集成对数周期天线以及相应的引线电极；在天线间距中转移的石墨烯导电沟道；在石墨烯导电沟道上有氧化铝栅介质层，最后，在石墨烯导电沟道的氧化铝栅介质层上集成劈裂栅极以及相应的引线电极，实现可调控的亚太赫兹波探测。本发明的优点在于：高速、宽频、响应高且可调控的类光导与类光伏探测器；器件的集成度、工艺成熟及可重复性，为实现太赫兹探测器大规模应用奠定基础。
可调控导电沟道石墨烯探测器引线电极栅介质层氧化铝劈裂制备载流子石墨烯场效应晶体管场效应晶体管对数周期天线基本结构单元太赫兹探测器大规模应用光伏探测器高迁移率可重复性源漏电极耦合天线蓝宝石集成度可调的衬底光导宽频天线探测响应成熟

[外观设计]床-CN201730368565.X有效
发明人：陆卫 -专利权人：陆卫
申请日： 2017-08-12 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： 06-02 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称床。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于休息。3．本外观设计产品的设计要点产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片立体图。
床

[实用新型]基于二维材料垂直肖特基结近红外探测器-CN201720838173.X有效
发明人：胡伟达;龚帆;骆文锦;王鹏;龙明生;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本专利公开了一种基于二维材料垂直肖特基结近红外探测器。器件制备步骤是将二硫化钼大片晶体运用机械剥离的方法，通过胶带转移到PDMS,然后利用定点转移技术，把PDMS上的二硫化钼转移到金底电极的正上方，然后使用电子束曝光和磁控溅射等工艺制作ITO顶电极，制备成具有垂直结构的二维材料近红外探测器。利用二硫化钼和金形成的肖特基结，从而显著降低了探测器的暗电流和加速光生载流子的分离来增强了器件的响应速度，大幅提高了器件的零偏压的情况下信噪比和探测能力。二硫化钼垂直肖特基结近红外探测器在近红外及可见光波段均显示了超高的探测能力。本专利的优点是响应速度快，暗电流低和功耗小。
基于二维材料垂直肖特基结近红外探测器

[实用新型]压缩机电机冷却系统-CN201720376181.7有效
发明人：谢鹏;陆卫;徐伟峰 -专利权人：上海汉钟精机股份有限公司
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： F25B31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种压缩机电机冷却系统，其特征在于，其包括压缩机电机、膨胀阀控制器、膨胀阀、温度传感器和一喷液管路，其中，所述膨胀阀分别与所述压缩机电机的喷液口以及所述喷液管路连接，所述压缩机电机内部设置有所述温度传感器，所述膨胀阀控制器分别与所述膨胀阀和所述温度传感器电连接。本实用新型的积极进步效果在于本实用新型的膨胀阀控制器根据感测的压缩机电机温度实时控制压缩机喷液量，使得电机温度趋于设定值，减少结霜现象发生2、机组无需专门编辑控制逻辑，由膨胀阀控制器全自动控制电机温度，减少系统复杂性。
压缩机电机冷却系统

[发明专利]全耗尽铁电侧栅单根纳米线近红外光电探测器及制备方法-CN201610893709.8有效
发明人：胡伟达;王建禄;郑定山;骆文锦;王鹏;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2016-10-13 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种全耗尽铁电侧栅单根纳米线近红外光电探测器及制备方法。器件制备步骤是将CVD生长的InP纳米线物理转移到有SiO2氧化层的Si衬底上，利用电子束曝光技术制作源、漏和侧栅电极，并旋涂铁电聚合物薄膜，制备成具有侧栅结构的铁电侧栅纳米线光电探测器。利用独特的侧栅器件结构，并通过铁电聚合物材料负向极化所产生的超强静电场来完全耗尽纳米线沟道中因缺陷或陷阱所产生的本征载流子，从而显著降低了探测器在无栅压下的暗电流，大幅提高了器件的信噪比和探测能力。铁电材料调控下的单根InP及CdS纳米线光电探测器在近红外及可见光波段均显示了超高的探测率。本发明的优点是暗电流低，探测率高，功耗低和响应快。
耗尽铁电侧栅单根纳米红外光电探测器制备方法

[发明专利]一种同时获取薄膜厚度与折射率的标准干涉片拟合法-CN201510606559.3有效
发明人：王少伟;刘星星;冀若楠;陈飞良;陆卫;陈效双 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种同时获取薄膜折射率与厚度的双标准干涉片拟合法，它只需将待测薄膜镀制在两种镀有一层已经形成干涉但不同折射率薄膜的标准干涉片上，即可通过同时拟合两种标准干涉片镀膜前后的透(或反)射光谱，同时精确地获取待测薄膜的厚度与折射率，膜厚测量极限高达1nm，相对于传统方法30nm测量极限具有很大提高。另外，该方法由于同时对两种标准干涉片进行拟合，可以极大地减小测试系统的误差，显著降低对测试系统性能的要求和成本。而且，本发明方法适用于镀膜系统的在线检测与监控，可以在工业生产或者科学研究中推广使用。
一种同时获取薄膜厚度折射率标准干涉拟合

[发明专利]一种室温纳米线光子数可分辨探测器及制备方法-CN201710563628.6在审
发明人：胡伟达;骆文锦;王鹏;龙明生;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种室温纳米线光子数可分辨探测器及制备方法。其特征在于，器件结构自下而上依次为是衬底、氧化物层、纳米线半导体和金属源漏电极。器件制备步骤是将CVD生长的具有丰富表面态纳米线转移到衬底上，运用紫外光刻或电子束光刻的方法结合传统剥离工艺制备金属电极作为源极和漏极，形成纳米线半导体场效应晶体管结构。器件首先需要在源极和栅极间施加负向栅压，使得场效应晶体管达到跨导最大处，通过纳米线的丰富表面态可以长时间俘获光生空穴，形成光栅效应，使得电流信号发生跳变，进而实现可分辨光子数探测。该光子探测器具有室温工作、光子数可分辨、高灵敏、响应快、稳定性好及低功耗等特点。
一种室温纳米光子分辨探测器制备方法

[发明专利]一种陷光滤波器及其制备方法-CN201510618029.0有效
发明人：王少伟;张轶;陈飞良;李华芬;陆卫;陈效双 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： G02B5/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种陷光滤波器件及其制备方法。该膜系自基底向上依次包括镀制在任意基底上的挡光层金属或类金属膜、吸收薄膜以及窄带滤光膜。本发明的陷光滤波器可以通过波导结构多次吸收使对特定波长的吸收率接近100％(剩余不足10‑5)，而对于其他波长光的损失小于1％。本发明的陷光波长可以按需求通过窄带滤光膜的设计来灵活选择，膜系可直接通过工业化磁控溅射和光学薄膜制备方法在大面积基底上制备，易于实现低成本、大规模工业化生产。
一种滤波器及其制备方法

[发明专利]渐变螺旋金属手性超材料圆偏振器-CN201510607566.5有效
发明人：王少伟;冀若楠;刘星星;陆卫;陈效双 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种渐变螺旋金属手性超材料圆偏振器，本发明的渐变螺旋金属手性超材料圆偏振器，包括衬底和均匀沉积在衬底上的渐变螺旋金属线阵列；螺旋线阵列由周期性排布的螺旋金属线单元构成；每个螺旋线单元由旋向相同的上下两部分螺旋线相连而成，上层部分螺旋线半径自上而下依次变大，下半部分螺旋线等径。相较于等径螺旋圆偏振器，渐变螺旋圆偏振器可以有效耦合入射光，减少非匹配极化方向的圆偏振光的透过率，而对于与螺旋旋向匹配的极化方向圆偏振光的共振更强，因而具有更高的消光比(高达105)。相比于传统圆偏振器，该结构具有高消光比，且体积小、波段宽，可实现微型圆偏振阵列制备，适合于偏振成像探测、显示和激光等领域。
渐变螺旋金属手性材料偏振

[发明专利]紫外红外双色焦平面探测器阵列及其性能设计和制备方法-CN201610406753.1有效
发明人：胡伟达;白杰;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外红外双色焦平面探测器阵列及其性能设计和制备方法。该结构单片集成了Pt/CdS紫外焦平面和InSb红外焦平面，Pt/CdS紫外焦平面受到正面入射，由于红外辐射可以透过CdS到达InSb吸收层，从而可以实现紫外辐射和红外辐射的同时探测。Pt/CdS紫外与InSb红外双色焦平面阵列的工作波段为300～550nm和2.9～5.7μm。本发明的优点在于，Pt/CdS紫外与InSb红外双色焦平面阵列结构中紫外焦平面与红外焦平面距离很近从而共焦，并且紫外红外光敏元上下对齐有利于光学系统的设计。本发明对于实际双色器件的优化设计和制备都有着十分重要的意义。
紫外红外双色焦平面探测器阵列及其性能设计制备方法