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[实用新型]全耗尽铁电侧栅单根纳米线近红外光电探测器-CN201621120159.8有效
发明人：胡伟达;王建禄;郑定山;骆文锦;王鹏;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2016-10-13 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本专利公开了一种全耗尽铁电侧栅单根纳米线近红外光电探测器。器件制备步骤是将CVD生长的InP纳米线物理转移到有SiO2氧化层的Si衬底上，利用电子束曝光技术制作源、漏和侧栅电极，并旋涂铁电聚合物薄膜，制备成具有侧栅结构的铁电侧栅纳米线光电探测器。利用独特的侧栅器件结构，并通过铁电聚合物材料负向极化所产生的超强静电场来完全耗尽纳米线沟道中因缺陷或陷阱所产生的本征载流子，从而显著降低了探测器在无栅压下的暗电流，大幅提高了器件的信噪比和探测能力。铁电材料调控下的单根InP及CdS纳米线光电探测器在近红外及可见光波段均显示了超高的探测率。本专利的优点是暗电流低，探测率高，功耗低和响应快。
耗尽铁电侧栅单根纳米红外光电探测器

[实用新型]一种室温可调控的亚太赫兹波探测器件-CN201621119952.6有效
发明人：王林;刘昌龙;唐伟伟;郭万龙;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2016-10-13 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本专利公开了一种室温可调控的亚太赫兹波探测器，以具有高迁移率且载流子浓度可调的石墨烯场效应晶体管为基本结构单元，场效应晶体管具有一组亚太赫兹波耦合天线的源漏电极和劈裂栅极。所述探测器在蓝宝石衬底上集成对数周期天线以及相应的引线电极；在天线间距中转移的石墨烯导电沟道；在石墨烯导电沟道上有氧化铝栅介质层，最后，在石墨烯导电沟道的氧化铝栅介质层上集成劈裂栅极以及相应的引线电极，实现可调控的亚太赫兹波探测。本专利的优点在于高速、宽频、响应高且可调控的类光导与类光伏探测器；器件的集成度、工艺成熟及可重复性，为实现太赫兹探测器大规模应用奠定基础。
一种室温调控亚太赫兹探测器件

[发明专利]马达端盖压接机-CN201510190822.5有效
发明人：董明俊;顾强;陆卫 -专利权人：合肥凯邦电机有限公司;珠海格力电器股份有限公司;珠海凯邦电机制造有限公司
申请日： 2015-04-21 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H02K15/14 文献下载
摘要：本发明提供一种马达端盖压接机，包括支架、气液增压机、压接模具、定子传送装置、端盖传送装置、定子移栽装置、送料电缸、顶伸气缸和提升冶具；气液增压机设置在支架上；压接模具包括上模和下模，上模设置在气液增压机上，下模设置在支架上；定子移栽装置设置在支架，用于将定子传送装置传送的定子放置到下模；送料电缸设置在支架上，送料电缸水平运动；顶伸气缸设置在送料电缸上，与送料电缸同步运动，顶伸气缸用于上下运动；提升冶具设置在顶伸气缸上，与顶伸气缸同步上下运动，提升冶具用于接纳从端盖传送装置上滑落的马达端盖，顶伸气缸用于将马达端盖顶到由柱塞夹紧的上模中。其实现马达端盖、定子的自动传送和自动压接，实现减员增效。
马达端盖压接机

[发明专利]适用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面-CN201510607541.5有效
发明人：李志锋;景友亮;陆卫;李宁;陈效双;陈平平;李天信;王文娟;甄红楼;王少伟 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面。将等离激元微腔集成到QWIP焦平面像元，该微腔能够有效地捕获入射光子，将其局域在等离激元微腔内形成横向传播的法布里‑珀罗共振驻波，并且与微腔中的QWIP耦合转化为光电流从而提升焦平面器件的响应率性能。共振驻波的中心波长取决于微腔的几何尺寸，在不同的焦平面像元上设计制备不同尺寸的微腔将使像元的响应峰值波长也各不相同，形成像元的波段选择性响应。将所选择的波段与高光谱分光波段相对应地分布在焦平面像元上，使高光谱成像应用中各波段的像元响应率得的选择性提升，从而提升整个高光谱成像焦平面的探测灵敏度。
适用于光谱成像波段选择性增强量子红外平面

[发明专利]光通信用近红外滤光片-CN201410401844.7有效
发明人：王少伟;何松霖;陆卫;梁礼晔 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光通信用近红外滤光片，滤光片采用光学玻璃、宝石等透明或有色玻璃为衬底，在两面分别镀制带通滤光膜和增透膜，使其可以对760‑900nm高效透过，400‑760nm、900‑1100nm波段进行截止，确保近红外波段信号光高效透过外、其他波段(尤其是可见光)杂散光截止以获得高信噪比，该滤光片膜系光谱曲线的通带透过率高、通带形状逼近矩形、通带波纹小，带外截止深、截止范围宽，同时减少了膜系的定位要求，提高了成品率。通过本发明的膜系结构和制备方法所制备的光通信用近红外滤光片可以在获取尽可能多信号光的同时有效抑制其他波段杂散光的影响，显著提高了信噪比。
光通信红外滤光

[实用新型]一种医疗上专用的锐器收纳盒-CN201620538359.9有效
发明人：陆卫 -专利权人：南通市妇幼保健院
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： A61B50/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种医疗上专用的锐器收纳盒，包括箱体、万向轮、电池、开关、线缆、铁芯、线圈、隔断板、放置板、放置孔、喇叭孔、转轴、盖板、固定座、螺栓、刀片和把手；本实用新型结构简单、使用方便，可以对手术中的锐器进行存放，改变了传统中需小心谨慎的存放锐器的做法，降低了手术辅助作业的难度，提高了手术过程中的便利性，且避免锐器随意移动损坏盒体及自身，利于器材的完好保存，锐器放置在放置孔中，放置孔上端设有喇叭孔，呈倒口设计，可防止锐器倒下，给线圈通电，而线圈中设有铁芯，通过这样电磁铁的设计，可以牢牢吸住针头类的金属锐器，箱体上还设有刀片，可以对锐器上端以外的物品进行切割，只保留锐器。
一种医疗专用收纳

[实用新型]势垒级联量子阱红外探测器-CN201620558451.1有效
发明人：李宁;李梁;郑元辽;周玉伟;温洁;陈平平;甄红楼;周孝好;李志锋;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本专利公开了一种势垒级联量子阱红外探测器，它由一化合物半导体材料衬底，在衬底上交替生长七个宽度不一势垒层和量子阱层，并以此为一个周期，重复生长多个周期的多量子阱，再附加包含两组量子阱层与势垒层的辅助输运单元组成。由于本专利采用了级联隧穿结构，在低温状态下，在红外光的辐照下，它可以在量子阱区域形成比目前提出的量子阱红外探测器更强的光电信号，从而更加适用于量子阱红外焦平面器件用。
级联量子红外探测器

[实用新型]一种紫外和红外双色焦平面探测器阵列-CN201620559122.9有效
发明人：胡伟达;白杰;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本专利公开了一种紫外和红外双色焦平面探测器阵列。该结构单片集成了Pt/CdS紫外焦平面和InSb红外焦平面，Pt/CdS紫外焦平面受到正面入射，由于红外辐射可以透过CdS到达InSb吸收层，从而可以实现紫外辐射和红外辐射的同时探测。Pt/CdS紫外与InSb红外双色焦平面阵列的工作波段为300～550nm和2.9～5.7μm。本专利的优点在于，Pt/CdS紫外与InSb红外双色焦平面阵列结构中紫外焦平面与红外焦平面距离很近从而共焦，并且紫外红外光敏元上下对齐有利于光学系统的设计。本专利对于实际双色器件的优化设计和制备都有着十分重要的意义。
一种紫外红外双色焦平面探测器阵列

[实用新型]一种铁电局域场增强型二维半导体光电探测器-CN201620318427.0有效
发明人：王建禄;胡伟达;王旭东;孙璟兰;孟祥建;陈效双;陆卫;褚君浩 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本专利公开了一种铁电局域场增强型二维半导体光电探测器。其特征在于，器件结构自下而上依次为是衬底、二维半导体，金属源漏电极、铁电功能层和半透金属上电极。器件制备步骤是在衬底上制备过渡金属硫族化合物二维半导体，运用紫外光刻或电子束光刻的方法结合剥离工艺制备金属电极作为半导体沟道的源极和漏极，然后在该结构上制备铁电薄膜，随后在铁电薄膜上制备半透明或透明电极，形成二维半导体探测器结构。器件首先需要通过极化铁电材料，使得二维半导体沟道背景载流子完全耗尽，源极和漏极间施加一微小电压，通过测量光照下的电流信号变化，进而实现光电探测。该探测器具有高灵敏、快速响应、稳定性好、低功耗及宽光谱探测等特点。
一种局域增强二维半导体光电探测器

[实用新型]宽光谱量子级联红外探测器-CN201620319436.1有效
发明人：周孝好;李梁;温洁;郑元辽;周玉伟;李宁;李志锋;甄红楼;陈平平;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本专利公开了一种宽光谱量子级联红外探测器，它由一化合物半导体材料衬底，在衬底上交替生长八个宽度不一势垒层和量子阱层，并以此为一个周期，重复生长多个周期的多量子阱组成。由于本专利采用了微带结构做吸收区，在低温状态下，在红外光的辐照下，它可以在量子阱区域形成比目前提出的量子级联探测器有更宽的光响应谱，从而更加适于宽光谱探测应用。
光谱量子级联红外探测器

[发明专利]一种势垒级联量子阱红外探测器-CN201610407211.6在审
发明人：李宁;李梁;郑元辽;周玉伟;温洁;陈平平;甄红楼;周孝好;李志锋;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种势垒级联量子阱红外探测器，它由一化合物半导体材料衬底，在衬底上交替生长七个宽度不一势垒层和量子阱层，并以此为一个周期，重复生长多个周期的多量子阱，再附加包含两组量子阱层与势垒层的辅助输运单元组成。由于本发明采用了级联隧穿结构，在低温状态下，在红外光的辐照下，它可以在量子阱区域形成比目前提出的量子阱红外探测器更强的光电信号，从而更加适用于量子阱红外焦平面器件用。
一种级联量子红外探测器

[发明专利]一种宽光谱量子级联红外探测器-CN201610236249.1在审
发明人：周孝好;李梁;温洁;郑元辽;周玉伟;李宁;李志锋;甄红楼;陈平平;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽光谱量子级联红外探测器，它由一化合物半导体材料衬底，在衬底上交替生长八个宽度不一势垒层和量子阱层，并以此为一个周期，重复生长多个周期的多量子阱组成。由于本发明采用了微带结构做吸收区，在低温状态下，在红外光的辐照下，它可以在量子阱区域形成比目前提出的量子级联探测器有更宽的光响应谱，从而更加适于宽光谱探测应用。
一种光谱量子级联红外探测器

[发明专利]一种铁电局域场增强型二维半导体光电探测器及制备方法-CN201610236535.8在审
发明人：王建禄;胡伟达;王旭东;孙璟兰;孟祥建;陈效双;陆卫;褚君浩 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电局域场增强型二维半导体光电探测器及制备方法。其特征在于，器件结构自下而上依次为是衬底、二维半导体，金属源漏电极、铁电功能层和半透金属上电极。器件制备步骤是在衬底上制备过渡金属硫族化合物二维半导体，运用紫外光刻或电子束光刻的方法结合剥离工艺制备金属电极作为半导体沟道的源极和漏极，然后在该结构上制备铁电薄膜，随后在铁电薄膜上制备半透明或透明电极，形成二维半导体探测器结构。器件首先需要通过极化铁电材料，使得二维半导体沟道背景载流子完全耗尽，源极和漏极间施加一微小电压，通过测量光照下的电流信号变化，进而实现光电探测。该探测器具有高灵敏、快速响应、稳定性好、低功耗及宽光谱探测等特点。
一种局域增强二维半导体光电探测器制备方法

[实用新型]一种GaN基双异质结HEMT器件-CN201620030231.1有效
发明人：陈效双;姚路驰;王林;胡伟达;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本专利公开了一种GaN基双异质结HEMT器件，其结构依次为：蓝宝石衬底上依次形成的GaN缓冲层、AlInN势垒层、GaN沟道层、AlGaN隔离层、AlGaN势垒层，AlGaN栅介质层，AlGaN栅介质层上形成的源极、栅极和漏极，以及源极和栅极之间形成的Si₃N₄源栅绝缘层、源极和漏极之间形成的Si₃N₄漏栅绝缘层。其特征是，在传统GaN HEMT器件的GaN缓冲层和GaN沟道层之间加入一层AlInN势垒层，利用AlInN材料的压电极化性质降低器件的电流崩塌效应，并形成AlGaN/GaN/AlInN量子阱结构，进一步提高了对二维电子气的束缚力，从而降低电流坍塌效应。
一种 gan 基双异质结 hemt 器件

[实用新型]一种石墨烯室温太赫兹波探测器-CN201520979022.7有效
发明人：王林;刘昌龙;唐伟伟;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本专利公开一种石墨烯室温太赫兹波探测器，所述探测器件包括蓝宝石衬底和其上蒸镀对数周期天线结构以及引线电极，且太赫兹波耦合对数周期天线两边分别与对应的引线电极相连，在对数周期天线间距中转移具有载流子浓度可调和高迁移率的石墨烯导电沟道，保证石墨烯与两边对数周期天线互连。本专利的优点在于：器件的太赫兹响应高，可实现宽频、高速、高灵敏度、高信噪的太赫兹波探测；器件的集成度和小型化好，为实现太赫兹探测器大规模应用奠定基础。
一种石墨室温赫兹探测器