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[发明专利]半导体装置-CN201711444099.4有效
发明人： 阿形泰典 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明期望调整电位梯度的变化，以便不会因电阻膜的电场而在位于电阻膜下的半导体基板产生雪崩。本发明提供半导体装置，该半导体装置具备半导体基板，半导体基板具有：边缘终端部，其包含外缘区域，所述外缘区域在半导体基板的表面的端部设置于预定的深度范围且是杂质区域；以及有源部，其包含阱区，所述阱区在半导体基板的表面的比外缘区域靠内侧的位置设置于预定的深度范围且是导电型与半导体基板的漂移区的导电型不同的杂质区域，半导体装置还具备：绝缘膜，其在半导体基板的表面上，至少设置于外缘区域与阱区之间，且具有锥形部；以及电阻膜，其设置于绝缘膜上，将外缘区域与阱区电连接，绝缘膜的锥形部的锥角为60度以下。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202180016458.4在审
发明人：白川彻;阿形泰典;三枝直树;三塚要 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其具备半导体基板，该半导体装置包括：感测部，其设置于半导体基板，且检测预先确定的物理信息；感测焊盘部，其设置于半导体基板的上表面的上方，并且与感测部连接；栅极流道，其设置在半导体基板的上表面的上方，且被施加栅极电位；以及分离导电部，其设置在感测焊盘部与半导体基板之间，且与栅极流道分离。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202180016753.X在审
发明人：白川彻;阿形泰典;三枝直树 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，包括：焊盘部，其设置于半导体基板的上表面的上方，并且与发射电极分离；导线布线部，其与焊盘部的上表面的连接区域连接；布线层，其设置在半导体基板和焊盘部之间，且包括与连接区域重叠的区域；层间绝缘膜，其设置在布线层和焊盘部之间，且在连接区域的下方具有贯通孔；钨部，其设置在贯通孔的内部，且将布线层和焊盘部电连接，所述钨部包含钨；以及阻挡金属层，其设置为在连接区域的下方覆盖层间绝缘膜的上表面，且所述阻挡金属层包含钛。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202180007761.8在审
发明人： 阿形泰典;白川彻 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其包括：第一导电型的漂移区，设置于半导体基板；第一导电型的场截止区，设置于漂移区的下方，具有一个或多个峰；以及第二导电型的集电极区，设置于场截止区的下方，在将集电极区的积分浓度设为x[cm‑2]，将一个或多个峰中的从半导体基板的背面起算最浅的第一峰的深度设为y1[μm]，并设线A1：y1＝(‑7.4699E‑01)ln(x)+(2.7810E+01)、线B1：y1＝(‑4.7772E‑01)ln(x)+(1.7960E+01)的情况下，第一峰的深度和积分浓度处于线A1与线B1之间的范围。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202080047040.5在审
发明人：尾崎大辅;白川彻;阿形泰典 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备半导体基板，该半导体基板具有晶体管部和二极管部，在晶体管部的俯视半导体基板时的二极管部侧的端部具有抑制第二导电型载流子注入的注入抑制区，二极管部具有包含寿命抑制剂的寿命控制区。晶体管部和二极管部双方在半导体基板的表面具有第二导电型的基区，晶体管部在半导体基板的表面还具有第一导电型的发射区和掺杂浓度高于基区的掺杂浓度的第二导电型的抽出区，在注入抑制区不设置发射区和抽出区。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202080047123.4在审
发明人：白川彻;尾崎大辅;阿形泰典 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体装置，其具备具有晶体管部和二极管部的半导体基板，在晶体管部的俯视半导体基板时的二极管部侧的端部，晶体管部具有抑制第二导电型载流子的注入的注入抑制区。晶体管部和二极管部两者在半导体基板的正面具有第二导电型的基区，晶体管部在半导体基板的正面还具有第一导电型的发射区和掺杂浓度比基区的掺杂浓度高的第二导电型的抽出区，在注入抑制区未设置发射区和抽出区。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202110575884.3在审
发明人：白川彻;阿形泰典;三塚要 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其适当地调整有源区中的耐压。所述半导体装置具备有源区和边缘区域，并且具备：第1导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第2导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第2导电型的第1集电区，其在有源区中设置于漂移区的下方；以及第2导电型的第2集电区，其在边缘区域中设置于漂移区的下方，第1集电区的掺杂浓度大于第2集电区的掺杂浓度，在俯视时，第1集电区的面积与第2集电区的面积相同或大于第2集电区的面积。
半导体装置

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN202080026129.3在审
发明人： 阿形泰典 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备具有上表面和下表面的半导体基板，半导体基板的深度方向上的氢化学浓度分布具有第一氢浓度峰以及配置于比第一氢浓度峰更靠半导体基板的下表面侧的位置的第二氢浓度峰，第一氢浓度峰和第二氢浓度峰之间的中间施主浓度与第一氢浓度峰和半导体基板的上表面之间的上表面侧施主浓度以及第二氢浓度峰和半导体基板的下表面之间的下表面侧施主浓度都不同。中间施主浓度可以比上表面侧施主浓度和下表面侧施主浓度都高。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN202080024662.6在审
发明人： 阿形泰典;吉村尚;泷下博;目黑美佐稀;根本道生;安喰彻;小野泽勇一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其具备具有上表面和下表面并包含体施主的半导体基板，半导体基板的深度方向上的氢化学浓度分布除了设置有局部的氢浓度峰的部分以外，从下表面到上表面为止是平坦的且单调地增加或单调地减小，半导体基板的施主浓度遍及从上表面到下表面为止的整个半导体基板而高于体施主浓度。可以以在深度方向上贯穿半导体基板的方式从半导体基板的上表面或下表面照射氢离子。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201880002603.1有效
发明人： 阿形泰典;吉村尚;泷下博 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供具有缓冲区的半导体装置。半导体装置具备：第一导电型的半导体基板；第一导电型的漂移层，其设置于半导体基板；以及缓冲区，其设置于漂移层，具有多个第一导电型的掺杂浓度的峰，缓冲区具有：第一峰，其具有预先确定的掺杂浓度，且在多个峰中设置于最靠近半导体基板的背面侧的位置；以及高浓度峰，其具有比第一峰的掺杂浓度高的掺杂浓度，设置于比第一峰靠半导体基板的上表面侧的位置。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及制造方法-CN201980034474.9在审
发明人：目黒美佐稀;吉村尚;泷下博;儿玉奈绪子;阿形泰典 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：高精度地控制通过结晶缺陷与氢结合而产生的施主区域的范围和施主浓度。提供一种半导体装置，其在深度方向上，氢浓度分布具有氢浓度峰，氦浓度分布具有氦浓度峰，施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，氢浓度峰和第一施主浓度峰配置于第一深度，氦浓度峰和第二施主浓度峰配置于第二深度，以该半导体装置的下表面为基准时，所述第二深度比第一深度深，各浓度峰具有浓度值随着从下表面朝向上表面而增大的上行斜坡，用氦浓度峰的上行斜坡的斜率将第二施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第一施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及制造方法-CN201980028305.4在审
发明人： 阿形泰典;田村隆博;安喰彻 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种具备半导体基板的半导体装置，半导体基板具有含有氢的含氢区域，含氢区域在至少一部分区域含有氦，含氢区域的深度方向上的氢化学浓度分布具有1个以上的氢浓度谷部，在各氢浓度谷部中，氢化学浓度是氧化学浓度的1/10以上。在至少一个氢浓度谷部中，氢化学浓度可以是氦化学浓度以上。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及制造方法-CN201980021045.8在审
发明人： 阿形泰典;吉村尚;泷下博;目黑美佐稀;儿玉奈绪子;伊仓巧裕;野口晴司;原田祐一;樱井洋辅 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，在深度方向上，氢浓度分布具有第一氢浓度峰和第二氢浓度峰，施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，第一氢浓度峰和第一施主浓度峰配置于第一深度，第二氢浓度峰和第二施主浓度峰配置于第二深度，该第二深度以下表面为基准时比第一深度深，各浓度峰具有浓度值随着从下表面朝向上表面而增大的上行斜坡，用第二氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第二施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用第一氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第一施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201680004883.0有效
发明人： 阿形泰典;高桥英纪;御田村直树;岛村亚希;尾崎大辅 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：提供如下一种半导体装置：即使在作为初始材料的母材晶圆所含有的碳、氧的杂质浓度不同的情况下，也能够使照射电子射线后的处理晶圆之间的能级不同的各种复合缺陷的构成比率成为同等，从而器件特性的偏差的调整变得容易。例如具备：第一导电型的漂移区(11)，其具有通过电子射线等的照射而产生的晶体缺陷；第一导电型的第一主电极区(13)，其配置于漂移区(11)的一部分，该第一主电极区的杂质浓度比漂移区(11)的杂质浓度高；以及第二导电型的第二主电极区(12)，其以与第一主电极区13相离的方式配置于漂移区(11)的另一部分，其中，晶体缺陷包括由空位和氧构成的第一复合缺陷以及由碳和氧构成的第二复合缺陷，该晶体缺陷的缺陷密度被设定为：在深能级瞬态谱法的测定中鉴定的第一复合缺陷的能级的信号峰强度为第二复合缺陷的能级的信号峰强度的5倍以上。
半导体装置及其制造方法

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