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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN201880021352.1有效
发明人：田村隆博;根本道生 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其具有漂移区；晶体管部，其具有集电区；二极管部，其具有阴极区；以及边界部，其在半导体基板的上表面配置于晶体管部与二极管部之间，且具有集电区，在晶体管部的台面部和边界部的台面部设置有发射区和基区，基区在设置有发射区的台面部中具有基区与栅极沟槽部接触的部分即沟道部，将沟道部投影于边界部的台面部的上表面而得的区域在台面部的上表面中的密度比向晶体管部的台面部的上表面投影沟道部而得的区域的密度小。
半导体装置

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN202180005478.1在审
发明人：洼内源宜;吉村尚;泷下博;内田美佐稀;根本道生 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，并包含体施主；第一导电型的缓冲区，其配置在半导体基板的下表面侧，并包含氢施主，并且半导体基板的深度方向上的掺杂浓度分布具有单个的第一掺杂浓度峰；第一导电型的高浓度区，其配置在缓冲区与半导体基板的上表面之间，并包含氢施主，并且施主浓度比体施主浓度高；第一导电型或第二导电型的下表面区，其配置在缓冲区与半导体基板的下表面之间，掺杂浓度比高浓度区的掺杂浓度高。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202180005544.5在审
发明人：内田美佐稀;吉村尚;泷下博;洼内源宜;根本道生 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的缓冲区，其配置于半导体基板的下表面侧，并具有两个以上的掺杂浓度峰；第一导电型的高浓度区，其配置于缓冲区与半导体基板的上表面之间，在深度方向上具有50μm以上的长度，且施主浓度比体施主浓度高；以及第一导电型或第二导电型的下表面区域，其配置于缓冲区与半导体基板的下表面之间，且掺杂浓度比高浓度区的掺杂浓度高，缓冲区的掺杂浓度峰中的最接近半导体基板的下表面的最浅掺杂浓度峰是浓度比其他的掺杂浓度峰高的氢施主的浓度峰，最浅掺杂浓度峰的峰浓度A与其他的掺杂浓度峰的平均峰浓度B之比A/B为200以下。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN202080038918.9在审
发明人：吉田浩介;吉村尚;泷下博;内田美佐稀;根本道生;菅沼奈央;洼内源宜 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，且包含氧；氢化学浓度的第一峰，其配置在半导体基板的下表面侧；以及平坦部，其配置于比第一峰更靠半导体基板的上表面侧的位置，并包含氢施主，且在半导体基板的深度方向上的施主浓度分布实质上(大致)为平坦，表示氧的氧化学浓度中有助于生成氢施主的氧化学浓度的比例的氧贡献率为1×10‑5以上且7×10‑4以下，在平坦部中，有助于生成氢施主的氧的浓度低于氢化学浓度，平坦部的氢施主浓度为2×1012/cm3以上且5×1014/cm3以下。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN202080024662.6在审
发明人：阿形泰典;吉村尚;泷下博;目黑美佐稀;根本道生;安喰彻;小野泽勇一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其具备具有上表面和下表面并包含体施主的半导体基板，半导体基板的深度方向上的氢化学浓度分布除了设置有局部的氢浓度峰的部分以外，从下表面到上表面为止是平坦的且单调地增加或单调地减小，半导体基板的施主浓度遍及从上表面到下表面为止的整个半导体基板而高于体施主浓度。可以以在深度方向上贯穿半导体基板的方式从半导体基板的上表面或下表面照射氢离子。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202080005857.6在审
发明人：泷下博;吉村尚;目黑美佐稀;根本道生 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备设置有N型区的半导体基板，N型区是包括半导体基板的深度方向上的中央位置的区域，N型区在中央位置包含浓度为载流子浓度的0.001倍以上的受主。半导体装置能够通过如下制造方法制造，该制造方法具备：准备P型的半导体基板的准备步骤、以及通过向P型的半导体基板注入N型的杂质并进行热处理，从而形成包括半导体基板的深度方向上的中央位置的N型区的第一反转步骤。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件以及用于制造半导体器件的方法-CN201510906782.X有效
发明人： 根本道生;吉村尚 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2010-11-02 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L29/32 文献下载
摘要：在n^‑漂移层(1)的一个主表面上形成p阳极层(2)。在n^‑漂移层(1)的另一主表面上形成杂质浓度大于n^‑漂移层(1)的n⁺阴极层(3)。在p阳极层(2)的表面上形成阳极电极(4)。在n⁺阴极层(3)的表面上形成阴极电极(5)。在n^‑漂移层(1)中形成净掺杂浓度大于晶片的体杂质浓度且小于n⁺阴极层(3)的体杂质浓度的n型宽缓冲区(6)。n^‑漂移层(1)的电阻率ρ₀相对于额定电压V₀满足0.12V₀≤ρ₀≤0.25V₀。宽缓冲区(6)的净掺杂浓度总量大于或等于4.8×10¹¹原子/cm²且小于或等于1.0×10¹²原子/cm²。
半导体器件以及用于制造方法

[发明专利]半导体器件以及用于制造半导体器件的方法-CN201410809118.9有效
发明人： 根本道生;吉村尚 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2010-11-02 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：在n‑漂移层(1)的一个主表面上形成p阳极层(2)。在n‑漂移层(1)的另一主表面上形成杂质浓度大于n‑漂移层(1)的n+阴极层(3)。在p阳极层(2)的表面上形成阳极电极(4)。在n+阴极层(3)的表面上形成阴极电极(5)。在n‑漂移层(1)中形成净掺杂浓度大于晶片的体杂质浓度且小于n+阴极层(3)的体杂质浓度的n型宽缓冲区(6)。n‑漂移层(1)的电阻率ρ0相对于额定电压V0满足0.12V0≤ρ0≤0.25V0。宽缓冲区(6)的净掺杂浓度总量大于或等于4.8×1011原子/cm2且小于或等于1.0×1012原子/cm2。
半导体器件以及用于制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210567582.2有效
发明人： 根本道生;中泽治雄 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2009-01-22 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供一种其中在防止半导体基板断裂的同时可防止元件被快回现象毁坏的半导体器件。在MOS栅极结构在FZ晶片的正面形成之后，研磨FZ晶片的背面。然后，用质子照射并且用不同波长的两种类型的激光束同时照射经研磨的表面，从而形成N＋第一缓冲层2以及N第二缓冲层12。然后，P＋集电极层3以及集电电极9在经质子照射表面形成。从N＋第一缓冲层2的净掺杂浓度被局部最大化的位置到P＋集电极层3与N第二缓冲层12之间界面的距离被设置为在大于等于5μm且小于等于30μm的范围内。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件以及用于制造半导体器件的方法-CN201080049553.6有效
发明人： 根本道生;吉村尚 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2010-11-02 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：在n-漂移层(1)的一个主表面上形成p阳极层(2)。在n-漂移层(1)的另一主表面上形成杂质浓度大于n-漂移层(1)的n+阴极层(3)。在p阳极层(2)的表面上形成阳极电极(4)。在n+阴极层(3)的表面上形成阴极电极(5)。在n-漂移层(1)中形成净掺杂浓度大于晶片的体杂质浓度且小于n+阴极层(3)的体杂质浓度的n型宽缓冲区(6)。n-漂移层(1)的电阻率ρ0相对于额定电压V0满足0.12V0≤ρ0≤0.25V0。宽缓冲区(6)的净掺杂浓度总量大于或等于4.8×1011原子/cm2且小于或等于1.0×1012原子/cm2。
半导体器件以及用于制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910009888.4有效
发明人： 根本道生;中泽治雄 -专利权人：富士电机电子技术株式会社
申请日： 2009-01-22 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种其中在防止半导体基板断裂的同时可防止元件被快回现象毁坏的半导体器件。在MOS栅极结构在FZ晶片的正面形成之后，研磨FZ晶片的背面。然后，用质子照射并且用不同波长的两种类型的激光束同时照射经研磨的表面，从而形成N⁺第一缓冲层2以及N第二缓冲层12。然后，P⁺集电极层3以及集电电极9在经质子照射表面形成。从N⁺第一缓冲层2的净掺杂浓度被局部最大化的位置到P⁺集电极层3与N第二缓冲层12之间界面的距离被设置为在大于等于5μm且小于等于30μm的范围内。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200680042224.2有效
发明人： 根本道生 -专利权人：富士电机电子技术株式会社
申请日： 2006-11-13 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：在将氧引入作为N^－型第一半导体层的N^－型FZ晶片(10)后，P型第二半导体层(2)和阳极(4)在该FZ晶片(10)的表面上形成。该FZ晶片(10)从该阳极(4)一侧进行质子辐照，从而将晶格缺陷(12)引入该FZ晶片(10)。通过执行热处理恢复在该FZ晶片(10)中的晶格缺陷(12)，使在第一半导体层中一部分的净掺杂浓度比FZ晶片(10)的初始净掺杂浓度高，且形成所期望的宽缓冲结构。用这种方法，可以使用FZ体晶片便宜地制造具有快速运行和低的损耗，且具有软开关特性的半导体器件，且具有好的可控性和产率。
半导体器件及其制造方法

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