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[发明专利]半导体装置-CN201880035669.0有效
发明人：田村隆博;小野沢勇一;高桥美咲;三塚要;尾崎大辅;兼武昭徳 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置，其具有半导体基板，半导体基板具备二极管区、晶体管区和位于二极管区与晶体管区之间的边界区，边界区包括在半导体基板的正面侧的预先确定的深度位置从与二极管区邻接的端部起向晶体管区侧延伸设置的缺陷区，且边界区的至少一部分不具有在半导体基板的正面露出的第1导电型的发射区，晶体管区在夹在相邻的2个沟槽部之间且具有发射区的台面部中的最靠近边界区的台面部的下方不具有缺陷区。
半导体装置

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管-CN202280016726.7在审
发明人：山田拓弥;野口晴司;樱井洋辅;浜崎竜太郎;尾崎大辅 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管具备：基区，其设置于发射区与漂移区之间；蓄积区，其设置于基区与漂移区之间，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高；栅极沟槽部，其从半导体基板的上表面设置到比蓄积区更靠下方的位置为止；以及下端区域，其与栅极沟槽部的下端接触而设置，蓄积区具有掺杂浓度在深度方向上呈现最大值的第一浓度峰，第一浓度峰与下端区域之间在深度方向上的距离比第一浓度峰与基区之间在所述深度方向上的距离小。
绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]无线通信装置及方法-CN201910861664.X有效
发明人： 尾崎大辅 -专利权人：阿尔派株式会社
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H04W28/02 文献下载
摘要：提供通过根据收发数据的重要度而对通信限制进行调整从而能够防止重要的数据的发送延迟的无线通信装置及方法。无线通信装置(100)具备：RF前端(110)，以2个线路进行数据的收发；基带处理部(120)等；通信优先级储存部(160)，储存表示按所通信的每个数据类别的发送及接收的优先级的优先级信息；优先级比较部(154)，在一方的线路中发送数据，同时在另一方的线路中接收数据的情况下，基于优先级信息对发送对象的数据类别的优先级和接收对象的数据类别的优先级进行比较；以及发送限制部(156)，在通过优先级比较部得到了表示接收对象的数据类别的优先级高的比较结果时，对一方的线路中的数据发送的通信量进行限制。
无线通信装置方法

[发明专利]半导体装置-CN202211675712.4在审
发明人：樱井洋辅;山野彰生;野口晴司;浜崎竜太郎;山田拓弥;尾崎大辅 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，降低半导体装置的导通损耗。与栅极沟槽部接触的两个台面部中的一个台面部是掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度的第一导电型的发射区与栅极沟槽部接触地配置的有源台面部，与栅极沟槽部接触的两个台面部中的另一个台面部是不具有发射区的虚设台面部，虚设台面部与发射电极之间的电阻即虚设接触电阻是有源台面部与发射电极之间的电阻即有源接触电阻的1000倍以上。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201980011408.X有效
发明人： 尾崎大辅;兼武昭德;白川彻;樱井洋辅 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备设置有晶体管部的半导体基板，晶体管部中的半导体基板具备：第一导电型的漂移区、设置于漂移区与半导体基板的上表面之间且掺杂浓度高于漂移区的第一导电型的积累区、设置于半导体基板的下表面与漂移区之间的第二导电型的集电区、以及从半导体基板的上表面起设置到比积累区深的位置并在半导体基板的上表面沿预先设定的延伸方向延伸而设置且沿与延伸方向正交的排列方向排列的多个栅极沟槽部和多个虚设沟槽部，晶体管部具有包括栅极沟槽部的第一区域和在排列方向上的单位长度内配置的虚设沟槽部的数量比第一区域多的第二区域。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及制造方法-CN202280007098.6在审
发明人：野口晴司;浜崎竜太郎;尾崎大辅;樱井洋辅;山田拓弥 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置(100)，其具备：第一导电型的发射区(12)，其与栅极沟槽部(40)接触；第二导电型的接触区(15)，其在栅极沟槽部的长度方向上与发射区交替地配置；第一沟槽接触部(54-1)，其设置到接触区的内部；第二沟槽接触部(54-2)，其设置到发射区的内部；第二导电型的第一插塞部(201)，其被设置为与第一沟槽接触部的下端接触，且浓度比基区的浓度高；以及第二导电型的第二插塞部(202)，其被设置为与第二沟槽接触部的下端接触，并设置到比第一插塞部更靠下表面侧的位置，且浓度比基区的浓度高。
半导体装置制造方法

[发明专利]用于生产层压体及用于喷墨印刷方法的可固化液体组合物-CN202011237428.X有效
发明人：有田学;尾崎大辅 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B41M5/00 文献下载
摘要：本发明的名称为层压体及生产其的方法、可固化液体组合物组、喷墨印刷设备和喷墨印刷方法。一种生产包括第一可固化液体组合物和第二可固化液体组合物的层压体的方法，该方法包括：形成由第一可固化液体组合物形成的第一液体层；将第二可固化液体组合物冲击到第一液体层上，以在其中用于第二液滴层的第二液滴冲击到第一液体层的方向上在第一液体层内部或在第一液体层的下部形成由第二可固化液体组合物形成的第二液滴层；并且使第一液体层和第二液滴层固化。
用于生产层压喷墨印刷方法固化液体组合

[发明专利]半导体装置-CN202180046974.1在审
发明人： 尾崎大辅;野口晴司;樱井洋辅;浜崎竜太郎;山田拓弥;伊仓巧裕 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-10-04 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备半导体基板，半导体基板具有有源部、外周阱区和沟槽部，有源部具有中央部和包围中央部的外周部，中央部具有第一导电型的发射区，中央部具有遍及至少两个沟槽部的底部而设置的第二导电型的有源侧底部区域，外周部具有与外周阱区电连接且朝向有源侧底部区域且设置于沟槽部的底部的第二导电型的外周侧底部区域，有源侧底部区域和外周侧底部区域分开地设置。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202080047040.5在审
发明人： 尾崎大辅;白川彻;阿形泰典 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备半导体基板，该半导体基板具有晶体管部和二极管部，在晶体管部的俯视半导体基板时的二极管部侧的端部具有抑制第二导电型载流子注入的注入抑制区，二极管部具有包含寿命抑制剂的寿命控制区。晶体管部和二极管部双方在半导体基板的表面具有第二导电型的基区，晶体管部在半导体基板的表面还具有第一导电型的发射区和掺杂浓度高于基区的掺杂浓度的第二导电型的抽出区，在注入抑制区不设置发射区和抽出区。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202080047123.4在审
发明人：白川彻;尾崎大辅;阿形泰典 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体装置，其具备具有晶体管部和二极管部的半导体基板，在晶体管部的俯视半导体基板时的二极管部侧的端部，晶体管部具有抑制第二导电型载流子的注入的注入抑制区。晶体管部和二极管部两者在半导体基板的正面具有第二导电型的基区，晶体管部在半导体基板的正面还具有第一导电型的发射区和掺杂浓度比基区的掺杂浓度高的第二导电型的抽出区，在注入抑制区未设置发射区和抽出区。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201780039689.0有效
发明人： 尾崎大辅;河野凉一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供具备有源部和终端结构部的半导体装置。所述半导体装置具备：设置于半导体基板的有源部以及设置于半导体基板的正面侧的终端且缓和终端的电场的终端结构部。在施加额定电压时，对于终端结构部的正面侧的电场分布而言，有源部侧的端部的电场可以比正面侧的电场分布的最大值小。另外，终端结构部的电场分布在比终端结构部的中心靠近与有源部相反的边缘侧的位置可以具有电场的最大峰。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201680004883.0有效
发明人：阿形泰典;高桥英纪;御田村直树;岛村亚希;尾崎大辅 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：提供如下一种半导体装置：即使在作为初始材料的母材晶圆所含有的碳、氧的杂质浓度不同的情况下，也能够使照射电子射线后的处理晶圆之间的能级不同的各种复合缺陷的构成比率成为同等，从而器件特性的偏差的调整变得容易。例如具备：第一导电型的漂移区(11)，其具有通过电子射线等的照射而产生的晶体缺陷；第一导电型的第一主电极区(13)，其配置于漂移区(11)的一部分，该第一主电极区的杂质浓度比漂移区(11)的杂质浓度高；以及第二导电型的第二主电极区(12)，其以与第一主电极区13相离的方式配置于漂移区(11)的另一部分，其中，晶体缺陷包括由空位和氧构成的第一复合缺陷以及由碳和氧构成的第二复合缺陷，该晶体缺陷的缺陷密度被设定为：在深能级瞬态谱法的测定中鉴定的第一复合缺陷的能级的信号峰强度为第二复合缺陷的能级的信号峰强度的5倍以上。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201610702029.3有效
发明人：吉村尚;栗林秀直;小野泽勇一;仲野逸人;尾崎大辅 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：n型FS层(14)具有使在施加额定电压时扩散的耗尽层停止于n型FS层(14)内部的总杂质量，并具有n^‑型漂移层(1)的总杂质量。此外，n型FS层(14)具有如下的浓度梯度，即n型FS层(14)的杂质浓度从p⁺型集电极层(15)向p型基极层(5)减少，且其扩散深度为大于或等于20μm。并且，在n型FS层(14)与p⁺型集电极层(15)之间包括n⁺型缓冲层(13)，该n⁺型缓冲层(13)的峰值杂质浓度比n型FS层(14)的峰值杂质浓度要高，为大于或等于6×10¹⁵cm^‑3，且小于或等于p⁺型集电极层(15)的峰值杂质浓度的十分之一。因此，能够提供一种场阻断(FS)绝缘栅双极晶体管，兼顾改善发生短路时对元器件损坏的耐受性以及抑制热失控损坏，并且，能减少导通电压的变化。
半导体装置制造方法

[发明专利]传热管寿命估算装置-CN201410515865.1有效
发明人： 尾崎大辅;江间重幸;户田信一;今井达也;白土透 -专利权人：川崎重工业株式会社
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本申请案的传热管寿命估算装置(1)包括传热管温度变化曲线校正单元(7‑1)，用来基于传热管外壁面的温度即传热管温度，对表示传热管温度的经时变化的传热管温度时间变化曲线进行校正；及传热管温度推移预测单元(9)，用来基于经校正后的传热管温度时间变化曲线，对传热管温度的推移进行预测。根据本装置，可以在锅炉运转过程中实时地估算锅炉传热管的寿命。
传热寿命估算装置

[发明专利]无电刷DC电机的无传感器控制装置-CN201210210624.7有效
发明人：三浦悠一;狮子原祐树;尾崎大辅 -专利权人：株式会社捷太格特
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H02P6/14 文献下载
摘要：本发明提供一种无电刷DC电机的无传感器控制装置。其中，设定指令转速＝初始转速（S2）来开始强制换流模式（S3）。在强制换流模式（S3）下，以规定上升幅度来增加转速（S5）直至达到设定转速（S4）。然后，当转速达到设定转速（S4）并且能够检测出转子位置时（S6），移向无传感器控制模式（S7）。
电刷 dc 电机传感器控制装置

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