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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括行解码器的非易失性存储器件-CN201811195218.1有效
发明人： 金昶汎;金成勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开提供了包括行解码器的非易失性存储器件。一种非易失性存储器件包括：基板；存储单元阵列，以竖直堆叠结构形成在基板上；以及行解码器，配置为向存储单元阵列供应行线电压，该行解码器包括多个通过晶体管。行线电压通过将通过晶体管连接到存储单元阵列的多条行线供应。每条行线包括与基板的主表面平行的配线和垂直于基板的主表面的接触。所述多条行线当中的至少一条行线中的每个的配线包括多条导电线。
包括解码器非易失性存储器

[发明专利]具有外围上单元结构的存储器件和包括其的存储器封装-CN201710060999.2有效
发明人： 金昶汎;金成勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10B41/41 文献下载
摘要：本公开提供具有外围上单元结构的存储器件和包括其的存储器封装。一种存储器件包括衬底和设置在衬底的第一表面上的外围电路。外围电路包括第一晶体管。存储器件还包括设置在外围电路上的第一布线层、设置在第一布线层上的基底层、设置在基底层上的存储单元阵列、以及设置在存储单元阵列上的第二布线层。第二布线层包括配置为供应第一电压的第一电源布线、配置为供应第二电压的第二电源布线、以及电连接到第一晶体管的第一布线。第一布线配置为可电连接到第一电源布线或第二电源布线。
具有外围单元结构存储器件包括存储器封装

[发明专利]具有竖直结构的存储器件和包括存储器件的存储系统-CN202211224032.0在审
发明人： 金昶汎;金成勋;边大锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：一种存储器件包括第一下半导体层和第二下半导体层。第一下半导体层设置在包括第一存储单元阵列的第一上半导体层的下方。第一下半导体层包括与第一存储单元阵列电连接的第一页缓冲器。第二下半导体层设置在第二上半导体层的下方，该第二上半导体层包括第二存储单元阵列并在第一方向上与第一上半导体层相邻设置。第二下半导体层包括第二页缓冲器的第一部分，第二页缓冲器电连接到第二存储单元阵列并在第一方向上与第一下半导体层相邻设置。第一下半导体层还包括第二页缓冲器的第二部分，该第二部分与第一部分不同。
具有竖直结构存储器件包括存储系统

[发明专利]包括虚设元件的半导体器件和存储器件-CN202210063058.5在审
发明人： 金昶汎;金成勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：多个半导体元件，多个半导体元件中的每一个包括设置在衬底上的有源区、以及与有源区相交并沿平行于衬底的上表面的第一方向延伸的栅极结构；以及至少一个虚设元件，设置在多个半导体元件中的在与第一方向相交的第二方向上彼此相邻的一对半导体元件之间。虚设元件包括虚设有源区以及与虚设有源区相交并沿第一方向延伸的至少一个虚设栅极结构。在第二方向上，虚设有源区的长度小于该对半导体元件中的每一个中包括的有源区的长度。
包括虚设元件半导体器件存储器件

[发明专利]半导体装置-CN202111025821.7在审
发明人： 金昶汎;金成勳;边大锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：栅极线，沿平行于半导体基底的上表面的第一方向延伸；第一有源区，包括设置在栅极线下方的第一沟道区并且包括第一导电类型杂质；第二有源区，被设置成在第一方向上与第一有源区分离，包括设置在栅极线下方的第二沟道区，并且包括第一导电类型杂质；以及多条金属布线，设置在半导体基底上方的第一高度水平处，其中，所述多条金属布线之中的至少一条金属布线直接电连接到第一有源区，在第一高度水平处没有金属布线电连接到第二有源区，并且所述多条金属布线之中的至少一条金属布线被连接以接收施加到栅极线的信号。
半导体装置

[发明专利]光学邻近校正检验方法、设计堆叠存储器件的布局的方法及堆叠存储器件制造方法-CN201710075831.9有效
发明人： 金昶汎;金成勋;金祐呈;粱香子 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：光学邻近校正(OPC)检验方法包括：检查在堆叠存储器件的布局中的第一图案的第一位置；根据第一位置计算第一图案的偏移值；获得第一位置与通过对于第一图案的OPC而形成的第二图案的第二位置之间的差值；以及基于偏移值和差值确定是否将要再次执行OPC。
光学邻近校正检验方法设计堆叠存储器件布局制造

[发明专利]三维存储器装置-CN202010446737.1在审
发明人： 金昶汎;金成勳;金胜渊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：提供一种三维存储器装置，包括：第一存储器单元阵列，包括垂直堆叠在基底的顶表面的第一存储器单元阵列区域上的第一存储器单元；第二存储器单元阵列，包括垂直堆叠在顶表面的第二存储器单元阵列区域上的第二存储器单元；多条第一字线，连接到第一存储器单元并包括所述多条第一字线的子集和剩余的第一字线；多条第二字线，连接到第二存储器单元并包括所述多条第二字线的子集和剩余的第二字线；行解码器，包括多个合并传输晶体管，所述多个合并传输晶体管各自公共连接到所述多条第一字线的子集中的相应的一条第一字线和所述多条第二字线的子集中的相应的一条第二字线，行解码器设置在第一存储器单元阵列区域与第二存储器单元阵列区域之间的区域中。
三维存储器装置

[发明专利]竖直存储器件-CN201910379389.8在审
发明人： 金昶汎;金成勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一种竖直存储器件包括：栅线结构，其包括其中形成有竖直沟道结构的单元区；以及第一连接区和第二连接区，它们在第一方向上分别布置在单元区的第一端和第二端。第一连接区和第二连接区中的每一个包括第一栅线的第一突起和第二栅线的第二突起，所述第一突起和所述第二突起与衬底的顶表面平行并且在垂直于第一方向的第二方向上布置为台阶。第二连接区的第一突起和第一连接区的第一突起关于单元区的中心线对角地布置，所述中心线平行于第一方向。
连接区突起单元区竖直栅线平行存储器件沟道结构栅线结构对角第一端顶表面衬底垂直

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