“元孝植”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果15个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]集成电路、设计集成电路的计算系统和计算机实施的方法-CN201711114373.1有效
发明人： 元孝植;张铭洙;朴炫洙;曹多演 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：计算机实施的方法包括基于定义集成电路的设计数据来放置标准单元。通过执行无色布线来生成集成电路的布局。基于间隔约束，将包括在四重图案化光刻(QPL)层中的第一图案、第二图案、第三图案和第四图案布置在所放置的标准单元上。所生成的布局被存储到计算机可读存储介质。间隔约束定义了第一图案、第二图案、第三图案和第四图案之间的最小间隔。该方法包括将第一颜色、第二颜色、第三颜色和第四颜色分别地分配给第一图案、第二图案、第三图案和第四图案。基于布局生成掩膜。通过使用所生成的掩膜来制造半导体器件。第一图案、第二图案、第三图案和第四图案中的两个图案之间的间隔小于间隔约束中的相对应的间隔约束指示颜色违规。
集成电路设计计算系统计算机实施方法

[发明专利]集成电路、以及用于设计集成电路的计算系统和方法-CN201711320090.2有效
发明人： 元孝植;张铭洙;朴炫洙;曹多演 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：一种计算机实施的方法。标准单元基于定义集成电路(IC)的设计数据被放置。IC的布局通过执行无色布线来被生成，在三重图案化光刻(TPL)层中的第一图案至第三图案通过该无色布线被布置在所放置的标准单元上。该布置基于空间约束。所生成的布局被存储到计算机可读存储介质。空间约束定义第一图案至第三图案之间的最小空间。颜色违规在第一图案至第三图案之间不会发生。基于布局生成第一掩模、第二掩模和第三掩模。通过使用所生成的第一掩模、第二掩模和第三掩模来制造半导体器件。
集成电路以及用于设计计算系统方法

[发明专利]集成电路、基于集成电路的半导体装置和标准单元库-CN201910079668.2有效
发明人：白尚训;吴祥奎;都桢湖;朴善暎;李昇映;元孝植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
集成电路基于半导体装置标准单元

[发明专利]用于减小电力轨道中欧姆压降的集成电路-CN201711284528.6有效
发明人： 元孝植;申赞煜;郑光钰;姜权七 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本申请提供了一种集成电路，所述集成电路包括多个电力轨道对和电路链。多个电力轨道对中的每一对包括多个高电力轨道中的一个以及多个低电力轨道中的一个，高电力轨道被构造为提供第一供电电压，低电力轨道被构造为提供低于第一供电电压的第二供电电压。电路链包括级联连接的多个单元电路，使得前一单元电路的输出被提供为下一单元电路的输入。多个单元电路分布式地连接到多个电力轨道对。
用于减小电力轨道欧姆集成电路

[发明专利]集成电路和制造集成电路的计算机实现方法-CN201710070632.9有效
发明人：柳星民;元孝植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：提供了一种制造集成电路的计算机实现方法、集成电路和限定集成电路的标准单元。制造集成电路的计算机实现方法包括：对限定集成电路的多个标准单元进行布局；从包括在布局的标准单元中的多个时序路径之中选择时序关键路径；以及从包括在时序关键路径中的多条线之中选择至少一条线作为至少一条时序关键线。所述计算机实现方法还包括：用气隙层对至少一条时序关键线进行预布线；对未选择的线进行布线；使用预布线的至少一条时序关键线和布线的未选择的线来生成布图；基于布图制造集成电路。
集成电路制造计算机实现方法

[发明专利]用于测试大量器件的半导体装置及其构成方法和测试方法-CN201510599734.0有效
发明人： 元孝植;玄大埈;郑光钰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供了一种用于测试半导体装置的多个晶体管的方法。所述方法包括利用前段制程(FEOL)工艺形成多个元件或多个逻辑单元；利用多个元件或多个逻辑单元中的至少一个来形成选择逻辑器；使选择逻辑器与多个晶体管连接，形成用于使选择逻辑器的输入端子与多个晶体管的漏极端子或源极端子连接的焊盘；利用选择逻辑器顺序地选择多个晶体管并测量所述多个晶体管之中的所选择的晶体管的电特性。
用于测试大量器件半导体装置及其构成方法

[发明专利]集成电路、基于集成电路的半导体装置和标准单元库-CN201510434904.X有效
发明人：白尚训;吴祥奎;都桢湖;朴善暎;李昇映;元孝植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
集成电路基于半导体装置标准单元

[发明专利]基于集成电路的半导体装置-CN201710397056.9有效
发明人：白尚训;吴祥奎;都桢湖;朴善暎;李昇映;元孝植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
集成电路基于半导体装置标准单元

[发明专利]集成电路、基于集成电路的半导体装置和标准单元库-CN201710387771.4有效
发明人：白尚训;吴祥奎;都桢湖;朴善暎;李昇映;元孝植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
集成电路基于半导体装置标准单元

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201711462980.7在审
发明人： 元孝植;吴祥奎;吴星珉;郑光钰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：在测试晶片的单元区域中形成晶体管；在单元区域中的第一测试单元上形成第一测试图案，第一测试图案电连接到晶体管；以及使用电子束扫描第一测试图案。在单元区域中形成晶体管包括图案化测试晶片的上部以形成有源图案、在有源图案上形成源极/漏极区域、形成交叉有源图案延伸的栅电极、形成联接到源极/漏极区域的有源接触、以及形成联接到栅电极的栅极接触。
测试图案单元区域源图案晶体管源极/漏极区域半导体器件测试晶片栅电极电子束扫描测试单元栅极接触电连接图案化源接触制造延伸

[发明专利]包括无抽头标准单元的片上系统及其设计方法和设计系统-CN201310014808.0有效
发明人：金亨沃;全宰汉;崔晶然;金基涉;元孝植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：在设计包括施加体偏置的无抽头标准单元的片上系统的方法中，调整慢角时序参数，以通过反映正向体偏置来增加片上系统的运行速度分布的慢角，以及调整快角时序参数，以通过反映反向体偏置来减小片上系统的运行速度分布的快角。基于对应于增加的慢角的调整的慢角时序参数和对应于减小的快角的调整的快角时序参数来实现包括无抽头标准单元的片上系统。慢角时序参数对应于片上系统的运行速度设计窗口的最小值，并且快角时序参数对应于片上系统的运行速度设计窗口的最大值。
包括抽头标准单元系统及其设计方法

[发明专利]芯片上系统及其温度控制方法-CN201310316370.1在审
发明人：金亨沃;金郁;西门浚;吴忠基;全宰汉;都炅兑;崔晶然;元孝植;金基涉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G05D23/20 文献下载
摘要：提出了一种半导体器件的温度控制方法。该温度控制方法包括：检测半导体器件的温度；当检测的温度高于第一温度水平时激活反向体偏置操作，在所述反向体偏置操作中对施加至半导体器件的功能模块的体偏置电压进行调节；以及当检测的温度高于与第一温度水平不同的第二温度水平时，激活热节流操作，在所述热节流操作中对提供给半导体器件的功能模块的驱动时钟频率以及施加至半导体器件的功能模块的驱动电压中的至少一个进行调节。
芯片系统及其温度控制方法

[发明专利]电源控制电路、包括其的半导体器件-CN201210344606.8有效
发明人：金亨沃;全宰汉;崔晶然;元孝植;崔奎明 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：一种电源控制电路连接在电源电压与逻辑电路之间以切换供应给逻辑电路的电源。该电源控制电路包括：多个第一电源选通单元（PGC），其并行接收外部模式改变信号；至少一个第二PGC，其与一个第一PGC连接；至少一个第三PGC，其与该至少一个第二PGC连接；以及至少一个第四PGC，其与该至少一个第三PGC连接。第二电源选通单元、第三PGC、和/或第四PGC可以包括多个电源选通单元。第二、第三、和第四多个PGC的至少之一具有串联连接的电源选通单元。第一到第四PGC的每一个切换响应于模式改变信号而切换供应的电源。
电源控制电路包括半导体器件

[发明专利]估计半导体装置中的泄漏电流的方法-CN200910170609.2有效
发明人：都炅兑;崔晶然;李奉炫;金颖焕;元孝植;金郁 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-08-28 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种估计半导体装置中的泄漏电流的方法。在估计半导体装置的泄漏电流的方法中，通过网格模型将包括多个单元的芯片划分为段。空间相关性被确定为涉及每个单元中的泄漏电流的工艺参数之间的空间相关性。通过算术地运算实际泄漏特性函数来产生单元的虚拟单元泄漏特性函数。通过算术地运算段中的每个单元的虚拟单元泄漏特性函数来产生段泄漏特性函数。然后，通过以统计学方式运算芯片中的每个段的段泄漏特性函数来产生全芯片泄漏特性函数。因此，可以显著地减小用于产生全芯片泄漏特性函数的Wilkinson的方法的计算负荷。
估计半导体装置中的泄漏电流方法

[发明专利]多阈值电压互补金属氧化物半导体触发器及其电路及方法-CN200510068440.1有效
发明人： 元孝植;郑光钰;金颍焕;李奉炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-04-28 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：公开了多阈值电压互补金属氧化物半导体(MTCMOS)触发器、包括MTCMOS触发器的电路、和形成MTCMOS触发器的方法。所述MTCMOS触发器在休眠模式期间切断泄漏电流路径以保持输出数据信号。所述MTCMOS触发器通常还使用数据反馈单元来保持输出数据信号。
阈值电压互补金属氧化物半导体触发器及其电路方法

1
共 15 条