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[发明专利]生物催化剂胶结强化电动修复重金属污染土的方法及系统-CN202310061040.6在审
发明人： 郑文杰;吕鑫江;王琳;胡文乐 -专利权人：西安建筑科技大学
申请日： 2023-01-14 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： B09C1/08 文献下载
摘要：本发明公开生物催化剂胶结强化电动修复重金属污染土的方法及系统，该方法包括：步骤一、配制试样；步骤二、安装连接生物催化剂多相胶结强化电动修复系统，具体包括：步骤201、安装阻隔板；步骤202、安装电极；步骤203、加入电解液；步骤204、将阳极电解液槽和阳极电解池连通，将阴极电渗液槽和阴极电解池连通；步骤205、将壳聚糖溶解于醋酸溶液中，调节pH为5.5～6，搅拌至无肉眼可见颗粒，得到壳聚糖溶液；步骤206、启动电源，将壳聚糖溶液置于可渗透反应物容置区中后加入脲酶和尿素，得到可渗透反应物，运行至预设电动修复时间。本发明的方法具有重金属电解修复效率高的特点，可有效避免阴极附近生成氢氧化物沉淀聚集。
生物催化剂胶结强化电动修复重金属污染方法系统

[发明专利]一种分布式光伏设备远程监控系统-CN202310454121.2在审
发明人：曾瑞江;黄曙;李志勇;刘宇豪;林江龙;黄缙华;杨世哲;卢建刚;余志文;郑文杰;骆洁艺;代仕勇;吴跃隆;汪绪先;陈永秋;陆荟颖;张彬;章坚 -专利权人：广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H02J13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种分布式光伏设备远程监控系统，包括设备数据采集模块、数据存储模块和数据分析模块；设备数据采集模块分别与数据存储模块和数据分析模块连接；数据存储模块与数据分析模块连接；设备数据采集模块用于远程采集分布式光伏设备的运行数据，运行数据包括电压数据和电流数据；用于采集分布式光伏设备硬件的图像监控数据；数据存储模块，用于存储设备数据采集模块采集得到的运行数据和图像监控数据；数据分析模块用于结合分布式光伏设备的运行数据和图像监控数据，分析分布式光伏设备的运行状态；用于根据运行数据对分布式光伏设备并网电力数据进行计量。本发明能够有效提高对分布式设备的监控效率。
一种分布式设备远程监控系统

[实用新型]便携式夹具-CN202223600820.3有效
发明人：赵伟华;洪礼;郑文杰 -专利权人：无锡光伟环保科技有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及便携式夹具，所述便携式夹具包括第一盖板以及与所述第一盖板连接的第二盖板，第一盖板具有第一孔，第二盖板具有第二孔，所述第二孔与所述第一孔同轴，弹片可活动地设置于第二盖板内部，所述弹片具有第三孔，当所述弹片活动至第一位置时，第三孔与第二孔、第一孔同轴，使便携式夹具可从夹盘轴部脱离；当弹片活动至第二位置时，第三孔与第二孔、第一孔非同轴，使便携式夹具与夹盘轴部卡紧。本实用新型通过在第二盖板内可活动的设置弹片，通过弹片的活动实现弹片中第三孔与第一孔、第二孔的同轴或非同轴设置，以实现对夹盘轴部的卡紧或非卡紧，与现有技术相比不在需要通过调节螺丝的方式实现手动锁紧，省时省力。
便携式夹具

[发明专利]一种智能化盾构堵塞调控系统及方法-CN202310179801.8在审
发明人：白雪冬;郑文杰;武斌;周志伟 -专利权人：西安建筑科技大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G06F18/2411 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能化盾构堵塞调控系统及方法，系统包括历史数据库模块，用于建立不同含水率土样在盾构掘进设备上的黏附强度的信息；智能化盾构堵塞识别模块，根据盾构掘进设备的切向黏结强度和正应力建立扭矩与推力的关系，对堵塞类型土进行智能化识别；智能化刀盘电渗模块，用于对堵塞类型土施加电渗减黏。本发明的调控系统设计合理，实现方便，结合调控方法，能够有效应用在隧道与地下空间工程的实际施工中，便于识别盾构施工堵塞，把握施工参数变化规律，实现实时减黏，使用效果好，便于推广使用。
一种智能化盾构堵塞调控系统方法

[发明专利]多媒体文件的处理方法、装置、介质及电子设备-CN201910405442.7有效
发明人：熊作婷;谢萧;刘烁兰;庄奕峰;黄立圣;欧瑞清;郑文杰 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G06F16/41 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种多媒体文件的处理方法、装置、介质及电子设备。该多媒体文件的处理方法包括：获取待传输的多媒体文件和所述多媒体文件的接收地；根据所述多媒体文件的接收地从分布式系统中选择与所述接收地相对应的分布式设备；将所述多媒体文件通过网络专线传输至与所述接收地相对应的分布式设备，以便在所述接收地从所述分布式设备上调用所述多媒体文件。本申请实施例的技术方案可以实现多媒体文件的快速传输，提高了多媒体文件的传输效率。
多媒体文件处理方法装置介质电子设备

[发明专利]一种高效发光二极管外延片及制备方法-CN202310366837.7在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种高效发光二极管外延片及制备方法，发光二极管外延片包括衬底，以及依次沉积在衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、N型电子阻挡层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；N型电子阻挡层包括依次沉积在N型GaN层上的SiN层、AlaSi1‑aN层以及超晶格层，超晶格层包括按预设周期依次交替沉积的Si掺AlbGa1‑bN层和非掺AlxInyGa1‑x‑yN层。本发明通过在在N型GaN层与多量子阱层之间插入了一层N型电子阻挡层，降低电子的移动速度，有效的减少N型GaN层中电子冲过多量子阱层到达P型GaN层与空穴发生非辐射复合，提高电子与空穴在量子阱层辐射复合效率。
一种高效发光二极管外延制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法-CN202310066474.5在审
发明人： 郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法，外延片包括：依次层叠的衬底、低温GaN缓冲层、未掺杂的高温GaN缓冲层、n型GaN层、发光层、电子阻挡层、p型GaN层、p型接触层；发光层由第一多量子阱垒层、n型隔离层、应力补偿层、第二多量子阱垒层、p型隔离层、第三多量子阱垒层依次层叠组成；第一多量子阱垒层的各垒层中In组分的含量均沿外延生长方向由大到小线性渐变、Al组分的含量均沿外延生长方向由小到大线性渐变，第二多量子阱垒层的各垒层中In组分的含量均沿外延生长方向由小到大线性渐变、Al组分的含量均沿外延生长方向由大到小线性渐变。
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种基于数据驱动的虚拟电厂优化调度方法及系统-CN202310140244.9在审
发明人：余志文;郑文杰;谭慧娟;卢建刚;赵瑞锋;林玥廷 -专利权人：广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司电力调度控制中心
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G06Q10/0631 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于数据驱动的虚拟电厂优化调度方法及系统，该方法包括：获取虚拟电厂的响应调节指标体系；对响应调节指标体系进行预处理，获取指标数据；基于数据驱动方法对指标数据进行变换，获取因子变量；对因子变量进行综合定权并计算虚拟电厂综合评价得分；基于预设的基准指标和虚拟电厂综合评价得分对虚拟电厂进行优化调度。本发明提出的一种基于数据驱动的虚拟电厂优化调度方法，通过数据驱动方法对虚拟电厂的指标数据进行变换，实现对虚拟电厂调度数据的客观量化，优化虚拟电厂的调度过程，有效提高虚拟电厂响应成功率。
一种基于数据驱动虚拟电厂优化调度方法系统

[发明专利]一种超高强度耐蚀经济型钢及其制备方法-CN202211606863.4在审
发明人：何建国;丰涵;朱玉亮;郑文杰;宋志刚;吕杰晟 -专利权人：钢铁研究总院有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C22C33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高强度耐蚀经济型钢及其制备方法，属于耐蚀钢技术领域，解决了现有技术中耐蚀钢成本较高、高强度和高耐蚀性能难以匹配的问题。超高强度耐蚀经济型钢的制备方法包括：步骤1：将原材料熔炼成钢水；步骤2：采用连铸或模铸的方法将钢水冶炼成连铸坯或铸锭；步骤3：将连铸坯或铸锭加热并保温，进行锻造开坯，制成锻坯；将锻坯通过多道次热轧成热轧板；步骤4：将热轧板固溶热处理；步骤5：将固溶热处理后的热轧板进行10％～30％变形量的冷轧，最终制得超高强度耐蚀经济型钢；超高强度耐蚀经济型钢的组织为：铁素体含量30％～55％，马氏体含量20％～40％，奥氏体含量15％～30％。本发明的超高强度耐蚀经济型钢具有高强度、良好的塑韧性以及优异的耐腐蚀性能。
一种超高强度经济型钢及其制备方法

[发明专利]一种外延片、外延片制备方法及发光二极管-CN202310266386.X有效
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种外延片、外延片制备方法及发光二极管，外延片包括：多量子阱层，多量子阱层包括交替堆叠的量子阱层和量子垒层，量子垒层包括依次层叠的第一量子垒子层、第二量子垒子层、第三量子垒子层、第四量子垒子层以及第五量子垒子层；第一量子垒子层为N型InGaN层、第二量子垒子层和第四量子垒子层均为非掺GaN层、第三量子垒子层为P型AlInGaN层、以及第五量子垒子层为P型InGaN层，第一量子垒子层的In组分由靠近量子阱层的一端向另一端逐渐降低，第五量子垒子层的In组分由靠近量子阱层的一端向另一端逐渐升高。本发明解决了现有技术中的外延片由于量子阱层与量子垒层晶格失配增大而导致发光效率低的问题。
一种外延制备方法发光二极管

[发明专利]一种AlGaN基紫外发光二极管及其制备方法-CN202310146521.7有效
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;程金连;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN基紫外发光二极管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该二极管包括衬底及设于衬底之上的N型半导体层，二极管还包括：依次层叠于N型半导体层之上的低温应力释放层、阱前电子阻挡层、阱前电子减速层、量子阱发光层、空穴储备层、P型半导体层与P型欧姆接触层；其中，阱前电子阻挡层为组分阶梯变化的AlGaN多层结构，阱前电子减速层为AlGaN/AlGaN超晶格结构，空穴储备层为多阶组分阶梯递减的AlGaN/AlGaN超晶格结构。本发明解决了现有技术中发光二极管中有源区内空穴浓度较低，有源区内电子与空穴浓度不匹配，导致发光二极管发光效率较低的技术问题。
一种 algan 紫外发光二极管及其制备方法

[发明专利]高光效的发光二极管外延片及其制备方法-CN202310498156.6在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种高光效的发光二极管外延片及其制备方法，该发光二极管外延片包括衬底以及在所述衬底上依次层叠设置的缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层，在所述非掺杂GaN层和所述n型GaN层之间设有翘曲调控层，所述翘曲调控层包括张应变调控层和V型坑翘曲调变层。本发明通过沉积张应变调控层，将GaN外延层与异质衬底产生的应力抵消，降低极化效应；沉积V型坑翘曲调变层，可以缓冲有源区的失配应力。
高光效发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]氮化镓功率器件及其制备方法-CN202310248346.2有效
发明人： 郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓功率器件及其制备方法，所述氮化镓功率器件包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、应力补偿层、高阻层、沟道层、势垒层、GaN帽层；所述应力补偿层包括依次层叠于所述缓冲层上的第一复合层和AlN/AlxGa1‑xN超晶格层，所述第一复合层包括掺杂Ge的AlN层和掺杂Mo的X层，所述X层包括BN层、MgN层、AlN层和ZnN层中的一种或多种。本发明提供的氮化镓功率器件能够减少晶格失配及热失配，降低缺陷密度。
氮化功率器件及其制备方法

[发明专利]深紫外发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202310345163.2有效
发明人： 郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述深紫外发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、极化缓解层、发光层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；所述极化缓解层包括依次层叠于所述N型AlGaN层上的第一缓解层和第二缓解层，所述第一缓解层包括交替层叠的AlxDyGaN层和DyGa1‑yN层，所述第二缓解层包括交替层叠的AlaGa1‑aN层和氮化物层。本发明提供的深紫外发光二极管外延片能够缓解晶格失配和极化效应。
深紫发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310123906.1在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述非掺杂GaN层依次包括设于所述缓冲层上的第一GaN层、阵列于所述第一GaN层上的多个微镜柱和包裹于所述微镜柱上的第二GaN层；其中，每个微镜柱为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的Ta2O5层和SiO2层，周期数为1～20；每个微镜柱的宽度为0.1～10μm，高度为0.1～6μm，相邻微镜柱之间的距离为0.3～8μm。实施本发明，可提升发光二极管外延片的光提取效率。
发光二极管外延及其制备方法