“型浮空”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2318328个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于浮空器的多点系留装置及其放飞方法-CN201610120386.9在审
发明人：赵海涛;王晓亮;周平方 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： B64B1/66 文献下载
摘要：一种用于浮空器的多点系留装置及其放飞方法，包括：系留绳、地锚和U型卸扣，其中：系留绳均匀分布于所述浮空器的四周，系留绳一端与U型卸扣相连，另一端与所述浮空器或U型卸扣相连；U型卸扣与地锚相连；系留绳包括：临时绳和升空绳，升空绳一端与U型卸扣相连，另一端与浮空器相连；地锚通过钢钎固定设置于地面，U型卸扣与地锚相连；放飞时，交替放松临时绳和升空绳，在所述浮空器的吊舱离地时取下临时绳，并松开升空绳，放飞浮空器
用于浮空器多点装置及其放飞方法

[发明专利]一种具有N型浮空埋层的RESURF HEMT器件-CN201710137633.0有效
发明人：罗小蓉;彭富;杨超;吴俊峰;魏杰;邓思宇;张波;李肇基 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有N型浮空埋层RESURF HEMT器件。本发明的技术方案，通过引入P型缓冲层及N型浮空埋层，P型缓冲层与沟道处2DEG形成RESURF效应，调制器件横向电场；N型浮空埋层与P型缓冲层形成PN结，阻断状态时，N型浮空埋层调制体内电场分布，并有效改善了漏电极端的电场集中效应，且不会引入附加寄生电容；同时，在N型浮空埋层左侧末端会引入一个新的电场尖峰，使得器件表面电场分布更加均匀，从而提高器件的击穿电压。
一种具有型浮空埋层 resurfhemt 器件

[发明专利]一种沟槽栅IGBT器件及其制备方法-CN202011474978.3有效
发明人：梁利晓;覃荣震;朱利恒;宁旭斌;刘葳 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：器件及其制备方法，所述器件包括：第一导电类型衬底；设置于所述第一导电类型衬底上的第一沟槽栅和第二沟槽栅，所述第一沟槽栅和第二沟槽栅相互平行且均沿第一方向延伸；以及设置于所述第一沟槽栅和第二沟槽栅之间的浮空区，所述浮空区包括沿所述第一方向交替间隔排布的P型浮空块和N型浮空块；其中，每个所述P型浮空块的掺杂量与相邻的每个所述N型浮空块的掺杂量相等。本发明对栅氧非沟道一侧的掺杂区提出了优化设计，通过分区域进行不同类型的掺杂实现内置二极管；该二极管可以对浮空P区进行钳位，从而降低浮空P区对栅极的充电电流，提升器件的SCSOA。
一种沟槽 igbt 器件及其制备方法

[发明专利]基于介质定位的浮空场限环功率器件及制备方法-CN202311019567.9在审
发明人：姚佳飞;林琰琰;李昂;胡子伟;姚清;郭宇锋;蔡志匡;李曼;杨可萌;张珺;陈静;张茂林 -专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了基于介质定位的浮空场限环功率器件及制备方法，包括器件主体、高K介质槽区和P型浮空场限环；器件主体包括N型掺杂的半导体漂移区；高K介质槽区等间距布设在半导体漂移区的顶部中心，且包括凹槽和填充在凹槽内的高K介质；位于高K介质槽区之间的有源层形成为半导体岛区；半导体岛区通过P型掺杂形成P型浮空场限环，且P型浮空场限环的结深大于高K介质槽区的深度。本发明的P型浮空场限环基于介质凹槽进行定位，能减少掩膜等工艺步骤，凹槽内淀积的高K介质能有效调制表面电场并避免表面电荷对P型浮空场限环的影响，从而提高击穿电压，同时提高漂移区浓度，降低器件导通电阻。
基于介质定位空场功率器件制备方法

[实用新型]一种基于STM32的节能型多功能浮空气球-CN202023021779.5有效
发明人：何永海;刘超;刘庆星;侯煜之;王硕;何永洋 -专利权人：何永海
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： B64B1/40 文献下载
摘要：本实用新型涉及浮空气球领域，且公开了一种基于STM32的节能型多功能浮空气球，包括浮空气球、电源和电机，所述浮空气球为方形结构气球，且浮空气球侧边位置开设有通道，四组所述通道相互贯通，所述浮空气球上下两侧安装有护板，所述护板贴合于浮空气球外侧，所述浮空气球侧边位置安装有支架，所述支架与护板一体成型，所述支架中心位置远离浮空气球的一侧安装有电机。该基于STM32的节能型多功能浮空气球，在浮空气球中开辟强风通道，当任意一面正面来风时，飞行器的当风面积较小，从而对飞行器的姿态影响比较小；飞行器将会自动调整角度使飞行器的四面正对当风面，从而实现自动调整角度减小飞行器的当风面面积以此减小强风对飞行器的姿态干扰
一种基于 stm32 节能型多功能气球

[发明专利]一种浮空器结冰特性计算方法和计算模型-CN201911084224.4在审
发明人：刘强;崔燕香;杨燕初;祝榕辰;才晶晶;赵凯彬 -专利权人：中国科学院光电研究院
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明涉及一种浮空器结冰特性计算方法和计算模型，所述计算模型包括：浮空器温度场‑流场特性计算模块，浮空器过冷水滴撞击特性计算模块，浮空器表面冰型生长计算模块。通过所述计算方法和计算模型可以准确估算浮空器表面的结冰厚度和结冰分布，为浮空器试验的设计提供数据支撑，保障试验的顺利进行。
一种浮空器结冰特性计算方法计算模型

[发明专利]一种含有背面槽栅及浮空环的逆导型IGBT-CN201911212434.7在审
发明人：黄铭敏;李芸;谢长江 -专利权人：四川大学
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管（Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor，RC‑IGBT）器件，其含有背面槽型栅极结构。所述背面槽型栅极结构的顶部有第二导电类型的浮空环。所述浮空环与所述漂移区的内建电势差使两个所述浮空环之间的漂移区耗尽，从而抑制折回（snap‑back）现象。
一种含有背面浮空环逆导型 igbt

[发明专利]具有纵向浮空场板的器件及其制造方法-CN201910819933.6在审
发明人：章文通;何俊卿;杨昆;王睿;张森;乔明;张波;李肇基 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-31 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种具有纵向浮空场板的器件及制造方法，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，且第一介质氧化层包围浮空场板多晶硅电极，所述纵向浮空场板分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空场板阵列；本发明在器件关态引入全域MIS耗尽机制，浮空纵向场板在N型半导体材料中积累电子，在P型半导体材料中积累空穴；当纵向浮空场板插入衬底时，场板能同时对第一导电类型半导体衬底和第二导电类型漂移区进行耗尽，使得器件漂移区与衬底的电荷平衡部分独立，并通过金属条形成体内等势环以调制电场，提高器件耐压，同时，在器件开态时，浮空场板表面能够形成积累层，降低比导通电阻，并提高饱和电流。
场板浮空漂移区衬底多晶硅电极导电类型氧化层耗尽第一导电类型空穴比导通电阻电场饱和电流电荷平衡积累层金属条纵向场等势关态开态耐压全域调制积累半导体体内包围引入制造

[发明专利]一种含有背面槽型介质及浮空区的逆导型IGBT-CN201911264332.X在审
发明人：黄铭敏 -专利权人：四川大学
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管（Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor，RC‑IGBT）器件，其含有背面槽型绝缘介质。所述背面槽型绝缘介质侧面与第二导电类型的浮空区直接接触，所述背面槽型绝缘介质的顶部与第二导电类型的浮空区或第一导电类型的终止环直接接触。所述浮空区用于抑制折回（snap‑back）现象。
一种含有背面介质浮空区逆导型 igbt

[发明专利]高维持低阻均匀导通双向可控硅静电防护器件及制作方法-CN202211324316.7在审
发明人：董鹏;余博;汪洋;李幸;骆生辉 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种高维持低阻均匀导通双向可控硅静电防护器件及制作方法，第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区与第三N+注入区通过导线直接相连作为器件的阳极，第二P+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区与第六N+注入区通过导线直接相连并作为器件的阴极；第一浮空P+注入区设置于第一P阱内的第三N+注入区右侧，第四浮空P+注入区设置于第二P阱内的第四N+注入区左侧；所述第一P阱和第二P阱之间设有N型阱，N型阱中间位置设有浮空N+注入区，第二浮空P+注入区和第三浮空P+注入区分别设置横跨在第一P阱、N型阱和第二P阱中间位置，第二浮空P+注入区和浮空N+注入区之间设有第一栅极，第三浮空P+注入区和浮空N+注入区之间设有第二栅极。
维持均匀双向可控硅静电防护器件制作方法

[发明专利]一种含有浮空区包围背面槽栅的逆导型IGBT-CN201911185204.6在审
发明人：杨治美;黄铭敏;刘薇 -专利权人：四川大学
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管（Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor，RC‑IGBT）器件，其含有背面槽型栅极结构。所述背面槽型栅极结构与第一导电类型的漂移区通过第二导电类型的浮空区间接接触。所述浮空区与所述漂移区的内建电势差使两个所述浮空区之间的漂移区耗尽，从而抑制折回（snap‑back）现象。
一种含有浮空区包围背面逆导型 igbt

[实用新型]一种大型浮空器囊体体积测量装置-CN201620833537.0有效
发明人：王勤俭;吴平;程杨;阳志勇 -专利权人：湖南航天机电设备与特种材料研究所
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种大型浮空器囊体体积测量装置,包括测量型照相机，安装在浮空器外周；通讯模块组，与各测量型照相机连接，用于控制测量型照相机的拍摄，并接收和存储拍摄数据。本实用新型的有益效果是可以解决大型浮空器囊体体积测量的难题，过程简单，易操作，节省了人力和物力，结果准确。
一种大型浮空器囊体体积测量装置

[发明专利]体内场调制的体硅LDMOS器件-CN201010579333.6无效
发明人：梁涛;罗波;孙镇 -专利权人：四川长虹电器股份有限公司
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明解决了现有常规体硅LDMOS器件只关注该器件表面电场优化的问题，提供了一种体内场调制的体硅LDMOS器件，其技术方案可概括为：体内场调制的体硅LDMOS器件，其在第一型杂质衬底中水平设置有第二型杂质浮空层，第二型杂质浮空层与第二型杂质外延层之间的垂直距离大于零。本发明的有益效果是，其在第一型杂质衬底中引入第二型杂质浮空层电荷，所引入的电荷与第一型杂质衬底相互作用会增加该器件的表面场，同时其促使耗尽层向第一型杂质衬底延伸，减小该器件纵向电场强度，且第二型杂质浮空层能够对于器件漂移区中横向电场与纵向电场进行调制
体内调制 ldmos 器件

[发明专利]能降低米勒电容的沟槽型IGBT器件-CN201910773779.3有效
发明人：陈钱;许生根;张金平;姜梅 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种能降低米勒电容的沟槽型IGBT器件，其通过浮空第二导电类型区能提高IGBT发射极侧的载流子浓度，浮空第二导电类型区结深大于元胞沟槽的深度，浮空第二导电类型区还包覆元胞沟槽的部分底部，降低元胞沟槽角落处的电场在浮空第二导电类型区内设置一个或多个浮空区沟槽，浮空区沟槽的深度小于所述浮空第二导电类型区的结深，浮空区沟槽的宽度不小于元胞沟槽的宽度，浮空区沟槽内的浮空沟槽多晶硅与发射极金属欧姆接触，从而屏蔽元胞栅极多晶硅的电压变化
降低米勒电容沟槽 igbt 器件

[发明专利]一种浮空器模态测试方法及系统-CN201610425437.9在审
发明人：何泽青;宋林;付强;秦玉梅;张冬辉 -专利权人：中国科学院光电研究院
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： G01M7/02 文献下载
摘要：本发明涉及浮空器模态测试技术领域，尤其涉及一种浮空器模态测试方法及系统。该方法至少包括：将浮空器吊起悬挂在封闭空间内；分别选取所述浮空器的鼻锥位置和吊舱位置作为激励点；将所述浮空器分为多个截面，在每个截面上布置若干传感器；分别对鼻锥位置和吊舱位置的激励点进行激励；对激励过程中产生的激励信号和振动信号进行采集本发明用于确定浮空器的固有频率和振型，能够使浮空器在设计过程中避免共振，同时明确浮空器对于不同动力载荷的响应情况。
一种浮空器模态测试方法系统

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条