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[发明专利]一种钛酸钡纳米粉体及其制备方法-CN202310827452.6在审
发明人： 赵昀云;岳敬森;上官明楠;张秀云;朱归胜;徐华蕊 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明公开一种钛酸钡纳米粉体及其制备方法，属于介电材料纳米粉体技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：(1)将酒石酸钡和偏钛酸进行混合得到混合物料，加入水充分搅拌，在所得的混合料液中加入分散剂和碱溶液，经过球磨处理，得到混合浆料；(2)将所得的混合浆料依次进行洗涤、抽滤、烘干和研磨，得到前驱体粉体；(3)将所得的前驱体粉体进行高温煅烧，经过研磨后，得到钛酸钡纳米粉体。本发明制得的钛酸钡纳米粉体中四方相含量高，性能优异，团聚少，粒径小(50～200nm)，均匀性和分散性好，具有很好的实际应用价值。同时，该制备工艺简单，操作简单易行，对设备要求低，能耗低，生产成本低，安全无污染，适合大批量生产。
一种钛酸钡纳米及其制备方法

[发明专利]一种巨介电常数BaTiO3-CN202210690327.0有效
发明人：朱归胜;徐堃;徐华蕊;赵昀云;张秀云;蒋坤朋 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种巨介电常数BaTiO3陶瓷及制备方法，所述BaTiO3陶瓷在结构中具有Vo··‑2Ti′Ti缺陷构型，所述制备方法包括：(1)将20‑200nm尺寸的BaTiO3粉体压制成陶瓷生坯；(2)在还原气氛的混合气体条件下烧结，所述混合气体由0.5‑5％的还原性气体和95‑99.5％的惰性气体组成；(3)在温度1150‑1400℃下烧结，保温时间0.5‑4小时。本发明提供了一种获得巨介电常数BaTiO3陶瓷材料的新方案。
一种介电常数 batio base sub

[发明专利]一种硫化钴铜纳米片及制备方法-CN202211003223.4有效
发明人：朱归胜;郑志强;徐华蕊;王君;蒋坤朋;赵昀云 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种超级电容器用的硫化钴铜纳米片材料及制备方法，所述硫化钴铜纳米片呈片状分级多孔结构，所述分级多孔结构由大孔径和介孔构成，大孔结构尺寸为167±30nm，介孔结构尺寸为2～15nm，所述硫化钴铜纳米片由9.5±1mmol的CuCl2·2H2O、15±1.5mmol的CoCl2·6H2O、12±1.2mmol的NH4F和18±2mmol的尿素经水热反应制得前驱体后再与过量的浓度为0.1M的Na2S·9H2O溶液反应制得。本发明在提升超级电容器性能的同时，使得制备方法简单化，利于降低电容器材料的生产成本。
一种硫化纳米制备方法

[发明专利]一种镍掺杂钼酸锰包覆二硫化钼材料的制备方法及应用-CN202211705330.1在审
发明人：朱归胜;徐欣圆;徐华蕊;蒋坤朋;赵昀云;张富榕 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍掺杂钼酸锰包覆二硫化钼材料的制备方法及应用，本方法是通过在二硫化钼基体上原位生长金属氧化物前驱体，然后通过煅烧得到目标产物，避免使用粘结剂，从而提高了该复合材料的导电性，弥补了二硫化钼材料易团聚的缺陷；同时采用了镍原子的共掺杂与二硫化钼进行复合，镍原子提供了更多的活性位点，改善了离子电导率，从而提高电极的赝电容，使其发挥出双金属氧化物自身的高电容和高效的循环稳定性的优势，本方法采用常规设备、成本低、资源丰富、环境友好、操作过程简单高效，有利于产业化生产。
一种掺杂钼酸锰包覆二硫化钼材料制备方法应用

[发明专利]一种MoS2-CN202211706004.2在审
发明人：朱归胜;徐欣圆;徐华蕊;蒋坤朋;赵昀云;张富榕 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种MoS2/Co LDHs材料的制备方法及在超级电容器中的应用，本方法是通过一步共沉淀法在二硫化钼基体上原位生长金属氢氧化物，Co LDHs通过ZIF‑67制备方案改良合成，具有原子厚度、丰富氧空位和三维多孔结构层状，具有开放配位的边缘形成了更多的活性中心，同时提高了电子电导率。提供了大比表面积的多孔结构，进一步提高了复合材料的导电性能，并有效改善二硫化钼易团聚、易塌陷的缺陷。本发明方法操作简便有效，合成成本低，具有可观的商业价值。
一种 mos base sub

[发明专利]一种无机-有机复合固态电解质锂电池及其制备方法-CN202211285613.5在审
发明人：朱归胜;张富榕;徐华蕊;蒋坤朋;赵昀云;庞鹏飞 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01M10/056 文献下载
摘要：本发明公开一种无机‑有机复合固态电解质锂电池及其制备方法，复合固态电解质由聚氧化乙烯、复合无机填料、锂盐、离子液体组成。复合无机填料为SiO2包覆的ZIF‑8(ZIF‑8@SiO2),将锂盐溶解于1‑乙基‑3‑甲基咪唑双(三氟甲基磺酰)亚胺获得锂离子液体，将ZIF‑8@SiO2粉末与锂离子液体研磨至均匀，真空干燥后得到ZIF‑8@SiO2/IL填料。将ZIF‑8@SiO2/IL填料在溶剂中混合后，加入聚合物和锂盐，经成膜，晾干，干燥，即得复合固态电解质。本发明的复合固态电解质能够提供超过10‑4S·cm‑1的室温离子电子电导率、宽的电化学窗口和高离子迁移数，将其应用于固态锂电池体系，电池容量高且循环稳定性好。
一种无机有机复合固态电解质锂电池及其制备方法

[发明专利]一种氟化钙透明陶瓷及低温制备方法-CN202210921589.3在审
发明人：朱归胜;郭宁杰;徐华蕊;赵昀云;张秀云;蒋坤朋 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C04B35/553 文献下载
摘要：本发明公开了一种氟化钙透明陶瓷及低温制备方法，以纯CaF2粉体、Nd1‑5at%：CaF2粉体或Yb1‑5at%：CaF2粉体为制品的成型原料，在设定温度、压力下保温保压0.5‑2小时于加压成型模具中成型，升温速率10℃/min，温度范围300‑400℃，压力范围300‑600Mpa，粉体成型原料的粒度20‑200nm，水份控制在1‑15wt%。本发明直接采用高压方式，成型、烧结一次顺序完成，获得更为致密、晶粒细小均匀且透光率高的CaF2基透明陶瓷。本发明具有烧结温度低、工艺简单、节约能源的优势，同时减小产品变形量，有利于保障产品品质。
一种氟化钙透明陶瓷低温制备方法

[发明专利]一种多层复合ITO薄膜-CN202210659042.0在审
发明人：朱归胜;焦培文;徐华蕊;赵昀云;蒋坤朋;汪坤喆 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层复合ITO薄膜，所述多层复合ITO薄膜包括两ITO层和一M层，其中所述M层位于两ITO层之间，M层的In含量为≥In2O3中In含量的含In层，以保障M层与两层ITO层之间相互结合的稳定性而保障所述多层复合ITO薄膜的结构稳定性；所述M层具有8nm～16nm的厚度，M层并与两层ITO层具有200nm～600nm的总厚度，以保障所述多层复合ITO薄膜的透光性的同时降低所述多层复合ITO薄膜的片阻。
一种多层复合 ito 薄膜

[发明专利]一种多层复合ITO薄膜的制备方法-CN202210659052.4在审
发明人：朱归胜;焦培文;徐华蕊;赵昀云;蒋坤朋;汪坤喆 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种多层复合ITO薄膜的制备方法，所述多层复合ITO薄膜包括以氩气为工作气体，在1Pa～2Pa的腔压环境，通过磁控溅射方式在一基片上溅射的一层ITO层；并以上述腔压环境，通过磁控溅射方式在ITO层上溅射的一层M层，其中M层为In含量≥In2O3中In含量的含In层；以及以上述腔压环境，通过磁控溅射方式在M层上溅射的另一层ITO层，其中对两层ITO层和M层的溅射满足所述M层具有8nm～16nm的厚度，并与两层ITO层具有200nm～600nm的总厚度，以保障多层复合ITO薄膜的透光性的同时降低所述多层复合ITO薄膜的片阻。
一种多层复合 ito 薄膜制备方法

[发明专利]一种水热法制备陶瓷装置的方法-CN202010178071.6有效
发明人：朱归胜;韦婷婷;龙神峰;徐华蕊;赵昀云;张秀云;颜东亮 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2020-03-14 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： B01J6/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种水热法制备陶瓷装置的方法，水热法制备陶瓷装置中，内壳位于外壳内，且与外壳形成空腔，釜盖覆盖空腔，载物台位于内壳内，陶瓷生坯放置于载物台上，釜盖具有进口和出口，导管与进口和压力泵连通，气体流量调节阀与导管固定连接，安全泄压阀与釜盖固定连接，并与出口连通，温度传感器和压力传感器均固定于内壳内，加热组件环绕内壳四周于空腔内，压力泵、气体流量调节阀、安全泄压阀、温度传感器、压力传感器、加热组件均与控制器电连接。利用水热烧结，将陶瓷生坯在低于400℃的温度下，通过控制压力和保温时间，实现对陶瓷体的水热致密化，获得相对密度大于90%的陶瓷体，具有精准可控、低耗能、可规模化生产的特点。
一种法制陶瓷装置方法

[发明专利]一种高密度ITO靶材的制备方法-CN202110684703.0在审
发明人：朱归胜;龙神峰;徐华蕊;赵昀云 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明公开了一种高密度ITO靶材的制备方法，通过配制预设浓度的溶液；向ITO粉体中添加预设质量百分比的溶液，并经研磨分散得到ITO粉体的浆料；将浆料放入模具中，施加超声波振荡压力，同时将模具升温加热至预设温度，并保温保压特定时间，得到致密ITO靶材。上述工艺在≤400℃下制备出相对密度高于93％的靶材，有利于得到晶粒细小的靶材(＜100nm,晶粒尺寸，电阻率10‑4Ω˙cm2)，本发明较传统高温烧结降低了1000℃，有效降低了能源的消耗，缩短了ITO靶材的制备周期。
一种高密度 ito 制备方法

[发明专利]一种四方相钛酸钡粉体的制备方法及产品-CN201811530238.X有效
发明人：朱归胜;徐华蕊;章秋晨;钱浩宇;赵昀云;张秀云 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种四方相钛酸钡粉体的制备方法及产品，属于介电陶瓷材料技术领域，该方法中，首先将钡盐或钡的氢氧化物和钛的氧化物或氢氧化物分开球磨或砂磨，分别获得钡盐或钡的氢氧化物浆料和钛的氧化物或氢氧化物浆料，然后将两种浆料在20‑40℃下混匀后进行喷雾干燥，获得混合粉体，再向该混合粉体中加入混合粉体总质量5‑90％的陶瓷材料，再次混匀后进行微波处理，最终制得粉体晶粒细小，粒径均匀，分散性良好的四方相钛酸钡粉体。该制备方法工艺简单，易操作，且成本低，适合工业化生产。
一种四方钛酸钡制备方法产品

[发明专利]一种核壳结构Ga2-CN201910042497.6有效
发明人：张法碧;肖骁;孙巾寓;赵昀云;张秀云;李海鸥;陈永和;李琦;肖功利;蒋行国;翟江辉;孙堂友;邓艳容 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，所述Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有核壳结构，所述核壳结构是以Ga2O3为核，In2O3为壳，以金属镓和金属铟为原料，经混合后置于真空管式炉中，反应而成。本发明的一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，效率高、成本低、产品收率高，制备所得到的Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有的核壳结构，提高了迁移率且降低漏电。
一种结构 ga base sub

[发明专利]一种超低温冷烧结MoO3-CN201811119443.7有效
发明人：朱归胜;宋金杰;徐华蕊;赵昀云;张秀云;颜东亮 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种超低温冷烧结MoO3陶瓷的制备方法，其步骤包括：以纯水或一定浓度的氨水溶液或乙酸溶液与MoO3粉体经研磨分散得到MoO3粉体的浆料，把浆料放入模具中施加一定的压力，同时将模具按一定的升温速率加热至一定的温度，并保温保压一定时间即得到致密MoO3陶瓷。本发明通过控制纯水或氨水浓度或乙酸及添加量、施加压力和时间，在≤300℃的条件下即可制备出晶粒细小均匀且相对密度大于98%的MoO3陶瓷。相比传统高温烧结陶瓷技术，其烧结温度低、工艺简单、节约能源以及有利于获得纳米晶粒陶瓷的特点，可广泛应用于MoO3陶瓷的超低湿冷烧结制备。
一种超低温烧结 moo base sub

[发明专利]一种超级电容器用卵壳结构Ni3-CN201811606987.6有效
发明人：颜东亮;丁力;徐华蕊;朱归胜;赵昀云 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明涉及超级电容器电极材料技术领域，尤其涉及一种超级电容器用卵壳结构Ni3P及其制备方法，包括非晶Ni‑P纳米球的制备‑中间产物的制备‑中间产物的制备步骤，制备所得到的Ni3P具有卵壳结构。本发明的一种超级电容器用卵壳结构Ni3P及其制备方法，制备方法简单、成本低廉，可用于工业生产，同时制备所得卵壳结构Ni3P作为超级电容器电极材料，可表现出高的比容量等优异的电化学性能。
一种超级电容器用卵壳结构 ni base sub

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