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[发明专利]一种钛酸钡纳米粉体及其制备方法-CN202310827452.6在审
发明人：赵昀云;岳敬森;上官明楠;张秀云;朱归胜;徐华蕊 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明公开一种钛酸钡纳米粉体及其制备方法，属于介电材料纳米粉体技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：(1)将酒石酸钡和偏钛酸进行混合得到混合物料，加入水充分搅拌，在所得的混合料液中加入分散剂和碱溶液，经过球磨处理，得到混合浆料；(2)将所得的混合浆料依次进行洗涤、抽滤、烘干和研磨，得到前驱体粉体；(3)将所得的前驱体粉体进行高温煅烧，经过研磨后，得到钛酸钡纳米粉体。本发明制得的钛酸钡纳米粉体中四方相含量高，性能优异，团聚少，粒径小(50～200nm)，均匀性和分散性好，具有很好的实际应用价值。同时，该制备工艺简单，操作简单易行，对设备要求低，能耗低，生产成本低，安全无污染，适合大批量生产。
一种钛酸钡纳米及其制备方法

[发明专利]一种巨介电常数BaTiO3-CN202210690327.0有效
发明人： 朱归胜;徐堃;徐华蕊;赵昀云;张秀云;蒋坤朋 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种巨介电常数BaTiO3陶瓷及制备方法，所述BaTiO3陶瓷在结构中具有Vo··‑2Ti′Ti缺陷构型，所述制备方法包括：(1)将20‑200nm尺寸的BaTiO3粉体压制成陶瓷生坯；(2)在还原气氛的混合气体条件下烧结，所述混合气体由0.5‑5％的还原性气体和95‑99.5％的惰性气体组成；(3)在温度1150‑1400℃下烧结，保温时间0.5‑4小时。本发明提供了一种获得巨介电常数BaTiO3陶瓷材料的新方案。
一种介电常数 batio base sub

[发明专利]一种硫化钴铜纳米片及制备方法-CN202211003223.4有效
发明人： 朱归胜;郑志强;徐华蕊;王君;蒋坤朋;赵昀云 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种超级电容器用的硫化钴铜纳米片材料及制备方法，所述硫化钴铜纳米片呈片状分级多孔结构，所述分级多孔结构由大孔径和介孔构成，大孔结构尺寸为167±30nm，介孔结构尺寸为2～15nm，所述硫化钴铜纳米片由9.5±1mmol的CuCl2·2H2O、15±1.5mmol的CoCl2·6H2O、12±1.2mmol的NH4F和18±2mmol的尿素经水热反应制得前驱体后再与过量的浓度为0.1M的Na2S·9H2O溶液反应制得。本发明在提升超级电容器性能的同时，使得制备方法简单化，利于降低电容器材料的生产成本。
一种硫化纳米制备方法

[发明专利]一种镍掺杂钼酸锰包覆二硫化钼材料的制备方法及应用-CN202211705330.1在审
发明人： 朱归胜;徐欣圆;徐华蕊;蒋坤朋;赵昀云;张富榕 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍掺杂钼酸锰包覆二硫化钼材料的制备方法及应用，本方法是通过在二硫化钼基体上原位生长金属氧化物前驱体，然后通过煅烧得到目标产物，避免使用粘结剂，从而提高了该复合材料的导电性，弥补了二硫化钼材料易团聚的缺陷；同时采用了镍原子的共掺杂与二硫化钼进行复合，镍原子提供了更多的活性位点，改善了离子电导率，从而提高电极的赝电容，使其发挥出双金属氧化物自身的高电容和高效的循环稳定性的优势，本方法采用常规设备、成本低、资源丰富、环境友好、操作过程简单高效，有利于产业化生产。
一种掺杂钼酸锰包覆二硫化钼材料制备方法应用

[发明专利]一种锂离子电容器及其制备方法-CN202211648316.2在审
发明人：李娟;黄桂远;农剑;朱归胜;赵勇刚;胡永清 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司;广东风华超容科技有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明提供一种锂离子电容器及其制备方法。本发明的锂离子电容器，包括正极、负极、电解液和隔膜；所述正极包括活性碳，所述负极包括钛酸锂和硬碳材料；其中，所述硬碳材料的中位粒径为所述钛酸锂的中位粒径的至少5倍；所述钛酸锂与所述硬碳材料搅拌混合形成负极活性材料，所述负极活性材料中，钛酸锂的重量占比≥58％。本发明利用硬碳和钛酸锂的尺寸差异通过搅拌预先干混法将钛酸锂和硬碳进行均匀混合，能够使钛酸锂颗粒稳定、均匀地镶嵌在硬碳材料的空隙之间，提高锂离子电容器的功率特性和循环寿命；该结构还可以显著提高钛酸锂的用量占比，进一步提高锂离子电容器的功率密度，提升放电性能。
一种锂离子电容器及其制备方法

[发明专利]一种MoS2-CN202211706004.2在审
发明人： 朱归胜;徐欣圆;徐华蕊;蒋坤朋;赵昀云;张富榕 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种MoS2/Co LDHs材料的制备方法及在超级电容器中的应用，本方法是通过一步共沉淀法在二硫化钼基体上原位生长金属氢氧化物，Co LDHs通过ZIF‑67制备方案改良合成，具有原子厚度、丰富氧空位和三维多孔结构层状，具有开放配位的边缘形成了更多的活性中心，同时提高了电子电导率。提供了大比表面积的多孔结构，进一步提高了复合材料的导电性能，并有效改善二硫化钼易团聚、易塌陷的缺陷。本发明方法操作简便有效，合成成本低，具有可观的商业价值。
一种 mos base sub

[发明专利]一种超级电容器浆料及其制备方法和应用-CN202211381333.4在审
发明人：袁建才;农剑;赵勇刚;胡永清;朱归胜 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司;广东风华超容科技有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种超级电容器浆料及其制备方法和应用，属于超级电容器技术领域。本发明所述超级电容器浆料为绿色环保的水基浆料，是通过限定加料顺序和加入量，以及限定的搅拌速度和分散速度，使得超级电容器浆料在制备过程中，时刻保持较好的粘度状态，充分发挥粉体颗粒之间的摩擦力进行分散，从而获得一种分散性能好，固含量高的超级电容器专用浆料，使用该浆料涂布出的极片，具有均匀性好，柔韧性强，表面光泽度高，面密度大的特点，将本发明所述超级电容器电极片制备成超级电容器单体，具有很高的产品性能一致性，在实际使用过程中，可有效的延长超级电容器的使用寿命。
一种超级电容器浆料及其制备方法应用

[发明专利]一种无机-有机复合固态电解质锂电池及其制备方法-CN202211285613.5在审
发明人： 朱归胜;张富榕;徐华蕊;蒋坤朋;赵昀云;庞鹏飞 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01M10/056 文献下载
摘要：本发明公开一种无机‑有机复合固态电解质锂电池及其制备方法，复合固态电解质由聚氧化乙烯、复合无机填料、锂盐、离子液体组成。复合无机填料为SiO2包覆的ZIF‑8(ZIF‑8@SiO2),将锂盐溶解于1‑乙基‑3‑甲基咪唑双(三氟甲基磺酰)亚胺获得锂离子液体，将ZIF‑8@SiO2粉末与锂离子液体研磨至均匀，真空干燥后得到ZIF‑8@SiO2/IL填料。将ZIF‑8@SiO2/IL填料在溶剂中混合后，加入聚合物和锂盐，经成膜，晾干，干燥，即得复合固态电解质。本发明的复合固态电解质能够提供超过10‑4S·cm‑1的室温离子电子电导率、宽的电化学窗口和高离子迁移数，将其应用于固态锂电池体系，电池容量高且循环稳定性好。
一种无机有机复合固态电解质锂电池及其制备方法

[发明专利]一种氟化钙透明陶瓷及低温制备方法-CN202210921589.3在审
发明人： 朱归胜;郭宁杰;徐华蕊;赵昀云;张秀云;蒋坤朋 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C04B35/553 文献下载
摘要：本发明公开了一种氟化钙透明陶瓷及低温制备方法，以纯CaF2粉体、Nd1‑5at%：CaF2粉体或Yb1‑5at%：CaF2粉体为制品的成型原料，在设定温度、压力下保温保压0.5‑2小时于加压成型模具中成型，升温速率10℃/min，温度范围300‑400℃，压力范围300‑600Mpa，粉体成型原料的粒度20‑200nm，水份控制在1‑15wt%。本发明直接采用高压方式，成型、烧结一次顺序完成，获得更为致密、晶粒细小均匀且透光率高的CaF2基透明陶瓷。本发明具有烧结温度低、工艺简单、节约能源的优势，同时减小产品变形量，有利于保障产品品质。
一种氟化钙透明陶瓷低温制备方法

[发明专利]一种电子级纳米碳酸钡粉体制备方法-CN202210785773.X在审
发明人：邓珽聪;朱归胜;郑魁兴;上官明楠;吴先智;蒋伯霖 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C01F11/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子级纳米碳酸钡粉体的制备方法，所述方法包括以下步骤：（1）取碳酸铵和氢氧化钡粉体按其摩尔量值比1:1‑1.5的比例均匀混合后倒入坩埚并置于微波烧结炉中。（2）微波烧结炉在4‑15min内加热到100‑450℃，保温5‑10min。本发明可以大幅提高良品率，产品纯度高达99.99％，稳定性强，粒径均匀，而且烧结时间大幅缩短，生产效率高，适合工业化生产。
一种电子纳米碳酸钡体制方法

[发明专利]一种多层复合ITO薄膜-CN202210659042.0在审
发明人： 朱归胜;焦培文;徐华蕊;赵昀云;蒋坤朋;汪坤喆 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层复合ITO薄膜，所述多层复合ITO薄膜包括两ITO层和一M层，其中所述M层位于两ITO层之间，M层的In含量为≥In2O3中In含量的含In层，以保障M层与两层ITO层之间相互结合的稳定性而保障所述多层复合ITO薄膜的结构稳定性；所述M层具有8nm～16nm的厚度，M层并与两层ITO层具有200nm～600nm的总厚度，以保障所述多层复合ITO薄膜的透光性的同时降低所述多层复合ITO薄膜的片阻。
一种多层复合 ito 薄膜

[发明专利]一种多层复合ITO薄膜的制备方法-CN202210659052.4在审
发明人： 朱归胜;焦培文;徐华蕊;赵昀云;蒋坤朋;汪坤喆 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种多层复合ITO薄膜的制备方法，所述多层复合ITO薄膜包括以氩气为工作气体，在1Pa～2Pa的腔压环境，通过磁控溅射方式在一基片上溅射的一层ITO层；并以上述腔压环境，通过磁控溅射方式在ITO层上溅射的一层M层，其中M层为In含量≥In2O3中In含量的含In层；以及以上述腔压环境，通过磁控溅射方式在M层上溅射的另一层ITO层，其中对两层ITO层和M层的溅射满足所述M层具有8nm～16nm的厚度，并与两层ITO层具有200nm～600nm的总厚度，以保障多层复合ITO薄膜的透光性的同时降低所述多层复合ITO薄膜的片阻。
一种多层复合 ito 薄膜制备方法

[发明专利]一种电解液添加剂及其制备方法和应用-CN202210721366.2在审
发明人：李娟;陈春辉;黎华扬;苏鑫;农剑;朱归胜;胡永清;赵勇刚 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司;广东风华超容科技有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01G11/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种电解液添加剂及其制备方法和应用，属于纳米材料领域。本发明提供的电解液添加剂包括镍钴类普鲁士蓝量子点，所述镍钴类普鲁士蓝量子点的粒径为1nm～10nm。本发明采用表面活性剂和超声波辅助，通过简单的共沉淀法即制备出了高度结晶的镍钴类普鲁士蓝量子点。本发明的镍钴类普鲁士蓝量子点具有较高的结晶度、较小的量子尺寸、更优异的结构稳定性、电化学稳定性和导电性；用于锂离子电解液添加剂时，能显著改善钛酸锂材料的产气现象，缓解石墨材料的体积膨胀，从而提升钛酸锂基锂离子电容器的容量保持率。
一种电解液添加剂及其制备方法应用

[发明专利]一种超级电容器极片的辊压方法-CN202110763820.6有效
发明人：贾新旭;陈东君;农剑;胡永清;朱归胜 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司;广东风华超容科技有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种超级电容器极片的辊压方法，包括以下步骤：将极片进行两次片压，再进行一次条压；第一次片压的参数设置：压力为20±5t，速度为4±1m/min，左右间隙为0.8/0.7±0.05μm，收缩率控制在5％‑8％；第二次片压的参数设置：压力为20±5t，速度为4±1m/min，左右间隙为0.8/0.7±0.05μm，收缩率控制在10‑13％；条压的参数设置：压力为30±5t，速度为6±1m/min，左右间隙为0.7/0.6±0.05μm，收缩率控制在16‑19％。通过本发明的辊压方法得到的极片制备的超级电容器，不仅内阻更低、内阻稳定性显著提升，且循环稳定性明显提升。
一种超级电容器方法

[发明专利]复合型锂氧化物薄膜及其制备方法与应用-CN201910403614.7有效
发明人：俞兆喆;魏堃;程燕;杨道国;徐华蕊;蔡苗;朱归胜;颜东亮 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合型锂氧化物薄膜及其制备方法与应用。所述复合型锂氧化物薄膜的制备方法包括的步骤有：将锂氧化物靶材和能量密度贡献主体元素靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长复合型锂氧化物薄膜。本发明复合型锂氧化物薄膜的制备方法将锂氧化物靶材和能量密度贡献主体元素靶材直接采用共溅射法沉积形成。使得生长的复合型锂氧化物薄膜具有界面电阻小的特性，而且可以减少固体电解质膜(SEI)的产生，减轻周期性体积变化的应力，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性。另外，所述制备方法有效保证生长的复合型锂氧化物薄膜化学性能稳定。
复合型氧化物薄膜及其制备方法应用

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