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[发明专利]一种基于注意力机制的人脸典型地域分类方法-CN202211377969.1在审
发明人： 蒋行国;何李 -专利权人：四川轻化工大学
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G06V40/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于注意力机制的人脸典型地域分类方法，属于人脸识别技术领域，包括如下步骤：获取不同地域人脸数据集；对不同地域人脸数据集进行预处理，得到训练集和测试集；构建初始AtResNet34网络；根据初始AtResNet34网络，构建初始AtResNet34网络的损失函数L；基于训练集、测试集和损失函数L训练和测试初始AtResNet34网络，并保存最佳模型权重，得到训练完成的AtResNet34网络；利用训练完成的AtResNet34网络进行人脸典型地域分类；本发明解决了现有人脸识别在提高分类精度时，对于复杂且相似样本间造成的过拟合与欠拟合的问题。
一种基于注意力机制典型地域分类方法

[发明专利]基于全局和局部注意力机制的人脸亲属关系特征提取验证方法-CN202211137474.1在审
发明人：李德财;蒋行国 -专利权人：四川轻化工大学
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G06V40/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于全局和局部注意力机制的人脸亲属关系特征提取验证方法，基于局部注意力机制的卷积神经网络和全局注意力机制的Vision Transformers(ViT)模型的构建；包括步骤：步骤一，提出一种基于全局和局部注意力机制的网络模型；步骤二，对预处理的人脸图像，通过卷积神经网络和ViT预训练模型对人脸进行特征提取；步骤三，将步骤二中输出的特征向量通过特征融合(Feature fusion)和1×1卷积用来降低特征维度，然后组合连接成一个长向量，然后将长向量输入全连接网络(Full Connection，FC)，以测量两个人脸图像之间的相对相似性，最终确定两幅图像是否有亲属关系；其具有人脸图像特征提取速度快，准确度高，语义信息强，网络结构简单等优点。
基于全局局部注意力机制亲属关系特征提取验证方法

[发明专利]基于卷积神经网络的人脸特征提取分类方法-CN202111382631.0在审
发明人：陈兵;蒋行国 -专利权人：四川轻化工大学
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G06V40/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于卷积神经网络的人脸特征提取方法方法,基于卷积神经网络模型的构建。包括步骤：步骤一，提出一种卷积神经网络模型；步骤二，对经处理过的人脸图像,通过卷积神经网络中不同卷积层人脸进行特征提取；步骤三，将步骤二中输出的特征向量进行归一化处理,再将人脸样本从灰度空间投影到特征空间，然后在特征空间使用基于稀疏表示的分类方法进行分类。本发明基于卷积神经网络的人脸检测分类方法，其具有人脸图像特征提取速度快，准确度高，表达性良好，网络结构简单等优点。
基于卷积神经网络特征提取分类方法

[发明专利]一种惯性传感器动态信号的实时处理方法-CN201710312585.4有效
发明人： 蒋行国;罗珍珍;李海鸥;张法碧;李琦;陈永和;肖功利;傅涛 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H03M1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种惯性传感器动态信号的实时处理方法，首先，利用随机采样技术充分降低信号的采样数据；然后，通过对采样后的信号进行压缩测量，获得相应的测量值，进而利用重构算法完成对原始信号的准确重构，以提高惯性传感器动态信号输出精度。与传统方法相比，本发明能够在大大降低信号采样数据的同时，有效改善输出信号精度，从而实现惯性传感器动态信号的实时处理。
一种惯性传感器动态信号实时处理方法

[发明专利]一种核壳结构Ga2-CN201910042497.6有效
发明人：张法碧;肖骁;孙巾寓;赵昀云;张秀云;李海鸥;陈永和;李琦;肖功利;蒋行国;翟江辉;孙堂友;邓艳容 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，所述Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有核壳结构，所述核壳结构是以Ga2O3为核，In2O3为壳，以金属镓和金属铟为原料，经混合后置于真空管式炉中，反应而成。本发明的一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，效率高、成本低、产品收率高，制备所得到的Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有的核壳结构，提高了迁移率且降低漏电。
一种结构 ga base sub

[发明专利]一种氧化镓纳米棒的制备方法及产品-CN201811035848.2有效
发明人：张法碧;肖骁;孙巾寓;赵昀云;张秀云;李海鸥;陈永和;李琦;肖功利;蒋行国;翟江辉;孙堂友;邓艳容 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化镓纳米棒的制备方法及产品，属于纳米材料技术领域，该方法主要利用化学气相沉积法，通过控制各工艺条件，最终制得直径均匀的氧化镓纳米棒。该方法制备工艺简单，易操作，不需要添加催化剂，且原料成本低廉，对设备要求不高，便于工业化生产。
一种氧化纳米制备方法产品

[发明专利]基于双透射峰的金属矩形狭缝阵列结构等离子光纤传感器-CN201710719825.2有效
发明人：肖功利;韦清臣;杨宏艳;徐俊林;刘小刚;刘利;李海鸥;李琦;张法碧;蒋行国;傅涛 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G01N21/359 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双透射峰的金属矩形狭缝阵列结构等离子光纤传感器，包括金属薄膜以及开设在金属薄膜上的周期矩形狭缝阵列结构，单个周期矩形狭缝阵列结构为在金属薄膜中心处开设一个纵向矩形狭缝，在矩形狭缝一侧的上下端面处分别开设一个横向矩形狭缝，横向与纵向矩形狭缝的上下界面相互平齐，矩形狭缝宽度相等相互连通并贯穿金属膜上下表面形成统一的整体狭缝结构。本发明的传感器结构在近红外频段内具有高品质因数高透射率的双透射峰特性，并且通过修改相关结构参数可以达到调整双透射峰频谱位置与双透射峰间频谱间距的目的，从而可以实现利用率高、适用范围广、检测精度高、易于加工的等离子光纤传感器。
基于透射金属矩形狭缝阵列结构等离子光纤传感器

[发明专利]基于全局和局部特征融合的大角度车型识别方法和系统-CN201810463134.5在审
发明人： 蒋行国;万今朝;李海鸥;李琦;张法碧;肖功利;陈永和;傅涛;孙堂友;蔡晓东;苏欣欣 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开一种基于全局和局部特征融合的大角度车型识别方法和系统，当车辆经过车型识别采集区时截取出包含车辆的图像，首先对截取的包含车辆的图像进行裁剪，得到去除复杂背景的车辆图片，将车辆图片分割为车脸图像分块、车尾图像分块和车轮图像分块。再将车辆图片、车脸图像分块、车尾图像分块和车轮图像分块导入到深层多分支卷积神经网络中对车辆的全局和局部特征进行特征训练，并将车辆图片特征和各个分块特征进行特征融合。后通过分类器对融合后的特征进行分类识别。本发明将大角度车辆的全局和局部特征进行融合，能够明显的提高大角度车型识别的准确率。
图像分块车辆图片车型识别局部特征融合全局车脸车尾车轮图像卷积神经网络分类识别复杂背景特征融合特征训练多分支分类器准确率分块截取区时裁剪去除取出采集分割

[发明专利]基于微腔耦合结构的等离子体弯曲波导滤波器-CN201610963317.4有效
发明人：肖功利;刘利;王宏庆;刘小刚;郑龙;杨宏艳;李海鸥;李琦;蒋行国 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本发明公开一种基于微腔耦合结构的等离子体弯曲波导滤波器，包括金属薄膜、以及开设在金属薄膜上的弯曲波导和谐振腔。弯曲波导由入射波导、中间波导和出射波导组成。谐振腔位于中间波导的其中一侧和/或两侧。本发明将直波导变成两个直角组成的弯曲波导，这样中间的中间波导可以形成一个F‑P腔；并且在中间的中间波导的两侧增加两个矩形谐振腔，利用表面等离激元SPP与谐振腔的共振耦合作用，通过调节谐振腔的长度，实现等离激元滤波功能；此外，还可以通过调节谐振腔与波导的间距、谐振腔的长度以及谐振腔的个数，来实现滤波和电磁感应透明效应，并能体现一种特殊的耦合效果。
基于耦合结构等离子体弯曲波导滤波器

[发明专利]线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件-CN201410564342.6有效
发明人：李海鸥;李琦;翟江辉;唐宁;蒋行国;李跃 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开一种线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm‑2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置；在横向耐压方向上，每2个高浓度固定电荷区之间的间距呈线性递减或递增。本发明不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。
线性间距分布固定电荷 soi 耐压结构功率器件

[发明专利]惯性传感器信号重构方法-CN201611007932.4在审
发明人： 蒋行国;罗珍珍;李海鸥;陈永和;李琦;张法碧 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： G01C21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种惯性传感器信号重构方法，首先，利用量子编码的叠加性构造蜜源，通过量子旋转门更新量子蜜蜂的搜寻方式，加速最优蜜源的搜索进程；然后针对量子蜂群算法易陷入局部最优的缺陷，引入一种自适应的量子交叉和量子变异方法对算法进行改进以产生新蜜源，提高种群多样性，避免算法陷入局部最优；进而选出与惯性传感器信号最为匹配的蜜源以完成信号的重构，实现在提高惯性传感器信号输出精度的同时满足信号实时处理的要求。本发明在缩短运行时间的同时，还提高了信号的信噪比，有利于惯性传感器信号的实时处理。
惯性传感器信号方法

[发明专利]GaN HEMT射频器件及其栅极自对准制备方法-CN201511025094.9在审
发明人：李海鸥;康维华;首照宇;高喜;丁志华;莫如愚;李琦;肖功利;蒋行国;翟江辉;徐卫林 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN HEMT射频器件及其栅极自对准制备方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。包括以下步骤：材料结构从下到上包括半绝缘SiC衬底、AlGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层；有源区台面隔离；临时栅脚制作；栅脚边墙制作；二次外延区域刻蚀；n+GaN二次外延；源漏极欧姆接触制作；表面平坦化；临时栅脚保形移除；T形栅制作。本发明采用栅极自对准工艺，可实现很小的栅源、栅漏间距，极大提高器件频率性能。还可以通过利用样品上已有图形对后续工艺进行尺度控制，仅通过一次电子束光刻即可得到多个纳米尺度的图形，极大节约了工艺成本。此外，此工艺精确度远远高于普通套刻工艺。
gan hemt 射频器件及其栅极对准制备方法

[实用新型]线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件-CN201420611626.1有效
发明人：李海鸥;李琦;翟江辉;唐宁;蒋行国;李跃 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型公开一种线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×10¹³cm^-2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置；在横向耐压方向上，每2个高浓度固定电荷区之间的间距呈线性递减或递增。本实用新型不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。
线性间距分布固定电荷 soi 耐压结构功率器件

[发明专利]等间距固定电荷区SOI耐压结构及SOI功率器件-CN201410564619.5有效
发明人：李琦;李海鸥;翟江辉;唐宁;蒋行国;李跃 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种等间距固定电荷区SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×10¹³cm^-2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置，并呈等间距分布。本发明不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。
间距固定电荷 soi 耐压结构功率器件

[实用新型]一种光寻址电位传感器测量池-CN201120074510.5有效
发明人：陈真诚;梁晋涛;赵宏田;蒋行国;胡寒冬 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2011-03-21 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型的光寻址电位传感器测量池，属于传感器应用领域。本实用新型整体结构是标准的长方体，由有机玻璃制成；LED阵列(5)嵌于第二正方形孔阵列(6)中；涂覆有各种敏感膜的硅片(4)置于长方体测量池(1)底部的第一正方形孔阵列(8)下方；第二正方形孔阵列(6)和第一正方形孔阵列(8)上下对齐、一一对应，只需控制LED阵列(5)的点亮时间和顺序，就能够通过测量电极(3)得到光生电流，达到光寻址功能，具有很高的寻址精度。LED阵列(5)和涂覆有敏感膜的硅片(4)都位于测量池(1)的表面，易于更换。解决了现有的光寻址传感器测量池存在外围控制和制造工艺复杂、操作麻烦、不能精确寻址的缺点。
一种寻址电位传感器测量

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