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[发明专利]抗程序性细胞死亡配体1(PD-L1)的抗体及其用途-CN201780055412.7有效
发明人：朴哉垠;崔秀儿;李智秀;李玄美;李始炯;白基善;金应徹;朴范灿;林廷采;曹英圭;朴荣祐 -专利权人： Y生物股份有限公司
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C07K16/28 文献下载
摘要：本文公开一种针对人类程序性细胞死亡配体1(PD‑L1)的抗体或其抗原结合片段、编码该抗体或其抗原结合片段的核酸、包括该核酸的载体、经该载体转化的细胞、用于产生该抗体或其抗原结合片段的方法、以及含有该抗体或其抗原结合片段的用于预防或治疗癌症或传染病的组合物。
程序性细胞死亡 pd l1 抗体及其用途

[发明专利]半导体装置-CN202211241779.7在审
发明人：许洋;赵南奎;金锡勳;金容丞;朴判貴;申东石;李相吉;李始炯 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个鳍式图案，在基底上在第一方向上彼此间隔开并在第二方向上延伸；场绝缘层，覆盖多个鳍式图案的侧壁并设置在鳍式图案之间；源极/漏极图案，在场绝缘层上连接到多个鳍式图案，源极/漏极图案包括分别连接到鳍式图案的底表面和将底表面彼此连接的至少一个连接表面；以及密封绝缘图案，沿着源极/漏极图案的连接表面和场绝缘层的上表面延伸，其中，源极/漏极图案包括掺杂有p型杂质的硅锗图案。
半导体装置

[发明专利]抗程序性细胞死亡1(PD-1)的抗体及其用途-CN201780055472.9有效
发明人：朴哉垠;金秀盈;李玄美;李始炯;李炫镜;金惠暖;尹镇喆;朴范灿;林廷采;曹英圭;朴荣祐 -专利权人： Y生物股份有限公司
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C07K16/28 文献下载
摘要：本文公开一种针对人类程序性细胞死亡1(PD‑1)的抗体或其抗原结合片段、编码该抗体或其抗原结合片段的核酸、包括该核酸的载体、经该载体转化的经分离细胞、用于产生该抗体或其抗原结合片段的方法、以及含有该抗体或其抗原结合片段的用于预防或治疗癌症的组合物。该结合至PD‑1的新颖抗体或其抗原结合片段可结合至PD‑1并抑制PD‑1的活性，因此可用于研发针对多种与PD‑1相关的疾病的免疫治疗剂。
程序性细胞死亡 pd 抗体及其用途

[发明专利]半导体器件-CN202210979114.X在审
发明人：许洋;赵南奎;金锡勋;金容丞;朴判贵;申东石;李相吉;李始炯 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：可以提供一种半导体器件，其包括：第一鳍形图案，在衬底的第一区域中并在第一方向上彼此间隔开；第二鳍形图案，在衬底的第二区域中并在第二方向上彼此间隔开；第一场绝缘膜，在衬底上并覆盖第一鳍形图案的侧壁；第二场绝缘膜，在衬底上并覆盖第二鳍形图案的侧壁；第一源极/漏极图案，在第一场绝缘膜上、连接到第一鳍形图案并包括第一硅锗图案；以及第二源极/漏极图案，在第二场绝缘膜上、连接到第二鳍形图案并包括第二硅锗图案，第二源极/漏极图案和第二场绝缘膜在其间限定一个或更多个第一气隙。
半导体器件

[发明专利]工业内窥镜-CN201980097719.2在审
发明人： 李始炯 -专利权人：韩国倢外批有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G03B37/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种工业内窥镜，该内窥镜能够通过容易且精细地调整内窥镜的角度来最大化内窥镜相机的检查范围，该工业内窥镜包括：形成为空心管形状的内窥镜壳；安装在内窥镜壳一端的相机弯曲单元；以及能够以广角弯曲的；连接到摄像机弯曲单元以拍摄内部空间的内视镜摄像机；安装在内视镜壳体另一端并通过钢丝连接到内视镜摄像机以操纵内视镜摄像机的操纵单元；以及连接到内视镜壳体以供风的供气管空气保护内视镜摄像头免受高温。
工业内窥镜

[发明专利]用于提供动态全景功能的装置和方法-CN201710083611.0有效
发明人： 李始炯;金在贤;宋仁善;李厚衡;崔智焕;金祺雄;徐东俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H04N5/232 文献下载
摘要：提供了一种电子设备和一种操作电子设备中的全景功能的方法。所述电子设备包括至少一个处理器、存储器、被配置为如果开始图像捕捉则顺序获得多个图像的相机和被配置为感测电子设备的运动的传感器。所述至少一个处理器被配置为在存储器中存储全景内容文件，该全景内容文件包括基于多个图像和在图像捕捉期间感测到的电子设备的运动生成的全景图像数据和动态全景数据。
用于提供动态全景功能装置方法

[发明专利]半导体器件-CN202010106539.0在审
发明人：郑揟珍;赵真英;金锡勋;柳廷昊;李承勋;李始炯 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的器件隔离层，所述器件隔离层限定第一有源图案；位于所述第一有源图案上的成对的第一源极/漏极图案，所述成对的第一源极/漏极图案在第一方向上彼此间隔开，并且所述成对的第一源极/漏极图案中的每个第一源极/漏极图案在所述第一方向上具有最大第一宽度；位于所述成对的第一源极/漏极图案之间的第一沟道图案；位于所述第一沟道图案上并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的栅电极；以及位于所述第一有源图案中的第一非晶区，所述第一非晶区位于所述成对的第一源极/漏极图案中的至少一个第一源极/漏极图案下方，并且所述第一非晶区在所述第一方向上具有小于所述最大第一宽度的最大第二宽度。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010096134.3在审
发明人：姜承模;梁炆承;柳宗烈;李始炯;张星旭;崔恩憓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：沟道图案，所述沟道图案包括堆叠在衬底上的第一半导体图案和第二半导体图案；栅电极，所述栅电极覆盖沟道图案的顶表面和侧表面并沿第一方向延伸，并且包括位于第一半导体图案与第二半导体图案之间的第一栅极段；栅极间隔物，所述栅极间隔物覆盖栅电极的侧表面，并且包括暴露沟道图案的开口；以及第一源极/漏极图案，所述第一源极/漏极图案位于栅极间隔物的侧部，并且通过开口与沟道图案接触，所述第一源极/漏极图案包括：在第一栅极段的高度处并且在开口的中心处的侧壁中心厚度；以及在第一栅极段的高度处并且在开口的边缘处的侧壁边缘厚度，侧壁边缘厚度为侧壁中心厚度的约0.7至1倍。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010272045.X在审
发明人：曹荣大;张星旭;郑秀珍;金正泽;李始炯 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体图案、栅结构、第一间隔物、第一半导体层和第二半导体层。半导体图案可以形成在衬底上，并且可以在与衬底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开，并可以在竖直方向上重叠。栅结构可以形成在衬底和半导体图案上。栅结构的至少一部分可以在竖直方向上形成在半导体图案之间。第一间隔物可以覆盖栅结构的相对侧壁，所述侧壁在第一方向上彼此相对。第一半导体层可以覆盖半导体图案在第一方向上的侧壁以及第一间隔物和衬底的表面。第一半导体层可以具有第一杂质浓度。第二半导体层可以形成在第一半导体层上，并且可以具有高于第一杂质浓度的第二杂质浓度。该半导体器件可以具有良好的特性和高可靠性。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]提供与应用有关的文本翻译管理数据的方法及其电子装置-CN201980014674.8在审
发明人： 李始炯;金范洙;金宣廷;金树完;金在贤;宋仁善;李贤奭;崔智焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G06F40/263 文献下载
摘要：本公开的某些实施例涉及一种用于在电子装置中通过使用外部电子装置来翻译图像中包括的文本的设备和方法。一种方法包括：在显示器上显示图片，该图片包括在图片内的位置处承载文本的对象；提取文本；从提取的文本生成另一文本；以及将另一文本自动覆盖在显示器上的另一图片中的该对象上，该另一图片在另一图片内的另一位置处包括该对象。
提供应用有关文本翻译管理数据方法及其电子装置

[发明专利]抗人DLK1的抗体及其用途-CN201880068881.7在审
发明人：林廷采;申智英;尹善河;李相弼;崔允瑄;李智秀;曹英圭;刘奭镐;金应彻;李始炯;朴哉垠;宋英子;白基善;朴范灿;朴荣佑 -专利权人： Y生物股份有限公司
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C07K16/28 文献下载
摘要：本发明涉及针对δ样1同源物(果蝇属)(DLK1)的抗体或其抗原结合片段，编码所述抗体或其抗原结合片段的核酸，包含所述核酸的载体，用所述载体转化的细胞，用于产生所述抗体或其抗原结合片段的方法，包含所述抗体或其抗原结合片段的抗体药物缀合物(ADC)，包含所述抗体或其抗原结合片段的用于治疗癌症的药物组合物、用于诊断癌症的组合物、以及嵌合抗原受体(CAR)和T细胞衔接物。
抗人 dlk1 抗体及其用途

[发明专利]半导体器件-CN201910412594.X在审
发明人：金东宇;金度希;金孝珍;文康薰;李始炯 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，包括：多个有源鳍，所述多个有源鳍在衬底上；栅电极，所述栅电极与所述多个有源鳍交叉；以及源/漏极区，所述源/漏极区在所述多个有源鳍上，并在所述栅电极的第一侧和第二侧延伸。所述源/漏极区包括在所述多个有源鳍中一些上的多个下外延层。所述多个下外延层包含具有第一浓度的锗(Ge)。上外延层在所述多个下外延层上并且包含具有高于所述第一浓度的第二浓度的锗。所述多个下外延层具有凸的上表面，并且在所述有源鳍之间彼此连接。
外延层源/漏极栅电极半导体器件彼此连接上表面衬底延伸

[发明专利]半导体器件-CN201510219477.3有效
发明人：郑荣钟;李正允;慎居明;申东石;李始炯;郑*珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件。半导体器件包括：第一多沟道有源图案，由场绝缘层限定并沿着第一方向延伸，第一多沟道有源图案包括第一部分以及在第一部分两侧的第二部分，第一部分具有在向上方向上比场绝缘层的顶表面进一步突出的顶表面，第二部分具有在向上方向上比场绝缘层的顶表面进一步突出并在向上方向上比第一部分的顶表面突出得少的顶表面，第二部分具有连续轮廓的侧壁；栅电极，在第一多沟道有源图案的第一部分上，该栅电极沿着不同于第一方向的第二方向延伸；以及第一源/漏区，在第一多沟道有源图案的第二部分上并接触场绝缘层。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201811462559.0在审
发明人：金真范;金文铉;金亨燮;朴台镇;李宽钦;卢昶佑;玛丽亚·托莱达诺卢克;朴洪培;李始炯;黄成万 -专利权人：三星电子株式会社;成均馆大学校产学协力团
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底；衬底上的栅电极；栅电极的侧壁上的栅极间隔物；穿透栅电极和栅极间隔物的有源图案；以及外延图案，与有源图案和栅极间隔物接触。栅电极在第一方向上延伸。栅极间隔物包括半导体材料层。有源图案在与第一方向交叉的第二方向上延伸。
栅极间隔物栅电极源图案半导体器件衬底半导体材料层方向交叉延伸侧壁穿透图案

[发明专利]图像处理方法和支持该方法的电子设备-CN201610112507.5有效
发明人： 李始炯;崔智焕;李基赫;赵成大 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H04N13/211 文献下载
摘要：提供了一种图像处理方法，包括以下操作：收集第一运动图像；提取关于形成所述第一运动图像的帧中的至少一部分帧的空间信息；将所提取的空间信息反映到与所述第一运动图像相对应的3D视图的生成。
图像处理方法支持电子设备

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