“蔡吉明”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果117个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种CVD机台腔室顶盖清理装置-CN201721158221.7有效
发明人：张飞;杨琳;郭晃亨;李政鸿;寻飞林;林兓兓;蔡吉明 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： B08B7/02 文献下载
摘要：一种CVD机台腔室顶盖清理装置，用于清理所述顶盖下表面及内部孔洞，其特征在于：所述清理装置至少包括：震荡装置、废料收集装置、气体吹扫装置、液体加热装置；其中，所述震荡装置置放于所述顶盖上表面，用于形成震荡波清除所述顶盖下表面和顶盖内部孔洞中的废料残留物；所述废料收集装置覆盖于所述顶盖下表面，用于收集所述震荡波清除的废料；所述气体吹扫装置连接于所述顶盖的进气口，用于吹扫所述顶盖内部孔洞残留物；所述液体加热装置连接于所述顶盖上表面进出水口，用于维持顶盖温度。
一种 cvd 机台顶盖清理装置

[实用新型]晶片载盘-CN201721247139.1有效
发明人：寻飞林;宋长伟;江汉;黄理承;徐志波;黄文宾;李政鸿;林兓兓;蔡吉明;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体设备领域，尤其涉及晶片载盘，其在传统的晶片承载盘放置晶片的凹槽内侧部设置可拆卸体，当晶片承载盘在使用过程中，由于撞击等原因导致可拆卸体损坏，直接更换其即可，晶片承载盘的其他部分还可继续使用，从而避免更换整个承载盘，从而造成生产物料的浪费，因此，可以节省晶片的生产成本。
晶片

[实用新型]一种旋转式烤架及真空烤炉-CN201720917546.2有效
发明人：郝兆飞;汪大宇;郭晃亨;张飞;徐干阳;蔡吉明;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种清洁装置，尤其涉及一种旋转式烤架及真空烤炉，用于旋转清洁晶片载盘，其至少包括：一固定架，用于固定载盘，其包括相对设置的第一挡板和第二挡板、固定连接第一挡板和第二挡板的复数个第一横杆、分别固定连接于第一挡板和第二挡板外侧的第二横杆，所述载盘置于复数个第一横杆围成的空腔内且与第一挡板和第二挡板平行；若干个支撑柱，用于支撑固定架，其一端活动连接于第二横杆上，另一端作为支撑点，使所述固定架呈悬空状；一驱动机构，用于驱动固定架进行旋转，与任意一第二横杆连接，通过驱动第二横杆的转动进而带动固定架进行旋转。
一种旋转烤架真空烤炉

[实用新型]一种镀膜承载盘及镀膜设备-CN201721258055.8有效
发明人：冯克耀;俞宽;杨丽莉;蔡家豪;邱智中;蔡吉明 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种镀膜承载盘及其镀膜设备，在晶片的边缘特定区域镀制磁吸附性物质形成磁吸性区，并且在镀膜承载盘放置晶片的开口的内缘设置磁性块，以及在磁性块对应位置设置Z型磁性支撑架，晶片放置在Z型磁性支撑架上，并且其与晶片磁吸附性区接触位置产生磁吸现象，通过磁性吸附晶片将其固定于承载盘上，并同时通过磁性吸附使翘曲晶片变平，防止镀源蒸镀到晶片的正面。
一种镀膜承载设备

[实用新型]一种发光二极管-CN201721245198.5有效
发明人：李君杰;占传亮;张中玉;梁友灿;黄照明;邱智中;蔡吉明 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体领域，涉及一种发光二极管，其将电极表面的粗糙度降低，将电极表面的粗糙度控制在100nm以内，优选的是25nm以内，最佳地是10nm以内。由于金球与平坦化的电极表面充分接触，金球的底面可以完全与电极表面接触，从而增大了两者之间的接触面积，同时，在打线过程中的高温和压力作用下，可以促进金球和电极表面的金属离子的相互渗入，在其接触面上形成共晶面，防止金球掉落。
一种发光二极管

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN201610106447.6有效
发明人：林兓兓;张家宏;蔡吉明;周瑜;韦静静;黄静 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：发光二极管，包括N型层、应力释放层、发光层、P型层，其特征在于所述发光层至少包括一具有量子效应的纳米颗粒层，所述纳米颗粒层的材料为半导体，当向N型层和P型层注入电流后，所述半导体材料的纳米颗粒层向外发射光线。
发光二极管及其制备方法

[实用新型]一种具有复合电子阻挡层的发光二极管-CN201720703039.9有效
发明人：张佳胜;蔡吉明;林兓兓;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型本实用新型属于半导体制备技术领域，特别涉及一种具有复合电子阻挡层的发光二极管，其至少包括一衬底，以及依次位于所述衬底上的缓冲层、N型层、多量子阱层、空穴注入层和P型层，其特征在于所述空穴注入层与所述P型层之间还包括一由含铝不含镓的三族氮化物组成的复合电子阻挡层。
一种具有复合电子阻挡发光二极管

[实用新型]一种发光二极管-CN201720886897.1有效
发明人：蓝永凌;林兓兓;蔡吉明;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体领域，涉及一种发光二极管，本实用新型中设计的有源层中，包括第一多量子阱层、第二多量子阱层和第三多量子阱层，其中第一势垒层、第二势垒层、第三势垒层从第一半导体层至第二半导体层一侧厚度均值减小，并且其厚度均值h1、h2、h3，符合关系式h3≤(h1+h2+h3)/3，h2≤（h1+h3）/2，利用第一势垒层中较厚的量子垒层，阻挡电子溢流，并维持有源层的生长质量，从而降低QCSE，以提升IQE，提升LED器件亮度。
一种发光二极管

[发明专利]一种发光二极管及其制备方法-CN201610245662.4有效
发明人：江汉;蓝永凌;黄文宾;林兓兓;蔡吉明;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种发光二极管及其制备方法，发光二极管至少包括一衬底，以及依次沉积于所述衬底上的成核层、缓冲层和外延层，其特征在于所述缓冲层和外延层之间还插入一Al/AlGaN DBR结构，所述DBR结构由第一Al颗粒层和第一AlGaN层周期性交替层叠而成,所述第一AlGaN层沉积于第一Al颗粒层使DBR具有波浪形粗化结构。本发明于缓冲层和外延层之间插入一由第一Al颗粒层和第一AlGaN层周期性交替层叠而成的呈波浪形的DBR结构，Al颗粒层的金属反射性和波浪形的粗化结构可以进一步提高DBR结构的出光效率。同时，本发明还提供了制备方法。
一种发光二极管及其制备方法

[实用新型]一种外延结构及发光二极管-CN201720722450.0有效
发明人：蓝永凌;林兓兓;蔡吉明;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体领域，涉及一种外延结构及发光二极管，所述外延结构至少包括依次层叠的N型层、发光层和P型层，其特征在于所述N型层和发光层之间插入一p型掺杂层。本实用新型通过在N型层和发光层之间增加一层p型掺杂层，可以拉高发光层前的能带，使得价电带增高，进而使得电子速度减慢，电子浓度在发光层内均匀分布，从而提升发光效率。
一种外延结构发光二极管

[发明专利]一种具有量子阱保护层的发光二极管及其制备方法-CN201710559480.9在审
发明人：林继宏;林兓兓;蔡吉明;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种具有量子阱保护层的发光二极管及其制备方法，其通过多量子阱结构层上、下分别设置上保护层和下保护层，将多量子阱结构层包覆在其中，借由第一子保护层与第二子保护层以及第三子保护层与第四子保护层结构与能障的变化，降低缺陷延伸至量子阱结构层，抑制电子溢流与溢流现象。且提高逆崩溃电压程度，降低反向溢出电流，加强了LED芯片在寿测检验上的强度。
一种具有量子保护层发光二极管及其制备方法

[实用新型]一种MOCVD设备用石墨盘-CN201720307206.8有效
发明人：江汉;寻飞林;蓝永凌;林兓兓;蔡吉明;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种MOCVD设备用石墨盘，其包括一盘体，其特征在于：所述盘体上表面设置有环形档板，所述环形档板的外环直径大于或者等于所述盘体的直径，所述档板的高度由内侧至外侧逐渐升高，所述盘体和/或所述档板上表面设置有若干个放置晶圆衬底用的晶圆凹槽。本实用新型通过在盘体上表面设置一环形档板来阻挡在晶圆过程中，盘体边缘晶圆凹槽处气流被抽走过快的现象，进而来改善边缘晶圆凹槽处晶圆的长晶速率。档板的上表面设置成倾斜面，并将环形档板的内侧壁延伸至晶圆凹槽处，一方面是改善各圈晶圆的长晶速率，另一方面也可以防止晶圆凹槽内晶圆的飞片现象。
一种 mocvd 备用石墨

[实用新型]一种P型结构层及发光二极管-CN201720248810.8有效
发明人：蓝永凌;林兓兓;蔡吉明;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种P型结构层及包括该P型结构层的发光二极管，其中P型结构层包括第一P型层、位于第一P型层之上的极化电流注入层，所述极化电流注入层包括依次层叠的p+‑GaN层、未掺杂含铝氮化物层，以及n+‑GaN层。本实用新型可以使得电子空穴对分布更均匀，提升发光效率。
一种结构发光二极管

[实用新型]一种具有高能量空穴的发光二极管-CN201720175505.0有效
发明人：宋长伟;程志青;徐志波;黄文宾;林兓兓;蔡吉明;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种具有高能量空穴的发光二极管，包括衬底、位于所述衬底上的P型层、位于所述P型层上的多量子阱层，以及位于所述多量子阱层上的N型层，其特征在于所述P型层为AlN层与AlGaN层的交替层叠结构。采用PVD在衬底上生长AlN层提高了底层的晶体质量，然后在AlN层上设置一P型杂质聚集层，P型杂质的迁移作用，使得AlN层为非故意掺杂结构，然后再设置一MOCVD法制备的P型掺杂AlGaN层，由此组成的P型层具有不仅具有较高的晶体质量而且其中的空穴能量较高，提高发光二极管的有效复合辐射效率。
一种具有高能量空穴发光二极管

[发明专利]进一步提高LED出光效率的方法及其LED结构-CN201710316653.4在审
发明人：林兓兓;蔡吉明;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种进一步提高LED出光效率的方法及其LED结构，采用较低的生长温度及较高的NH3/H2比和低的V/Ⅲ及高生长速率于一次外延层上二次外延生长粗化层，制备表面粗化LED结构，增加其轴向出光强度，同时因第二半导体的增厚增加，增强了LED的抗静电能力，进一步提高其出光效率。
进一步提高 led 效率方法及其结构

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top