“王军喜”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果421个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]LED平板显示单元的制备方法-CN201210449515.0无效
发明人：薛斌;杨华;卢鹏志;于飞;孔庆峰;裴艳荣;刘立莉;王晓桐;王琳琳;伊晓燕;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种LED平板显示单元的制备方法，包含如下步骤：步骤1：取一基板，在基板上制作电路和金属凸点；步骤2：采用倒装工艺，将多个LED芯片制作在基板上，缩小LED芯片之间的间距；该LED芯片与基板上的电路通过金属凸点实现电连接；步骤3：取一驱动基板；步骤4：将制作有LED芯片的基板与驱动基板电性互联，完成制备。本发明具有极小像素间距、控制性能好、易于安装的优点。
led 平板显示单元制备方法

[实用新型]一种侧气帘导向支架-CN201220408420.X有效
发明人：牛志高;王军喜;张志奇 -专利权人：海马轿车有限公司;上海海马汽车研发有限公司
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： B60R21/213 文献下载
摘要：本申请公开了一种侧气帘导向支架，包括：定位面、和与定位面的底边连接的导向面，定位面和导向面之间具有第一夹角，侧气帘的展开方向与导向面的延伸方向一致。本申请的侧气帘导向支架具有结构简单、成本低、安装方便的优点，其与内柱饰板相互独立，且可引导侧气帘在设定位置展开。本申请的侧气帘导向支架的定位面和导向面连接在一起，定位面和导向面之间的夹角可确保导向面的引导方向与设定的侧气帘的展开方向一致。从而在保证侧气帘能够依照设定的展开方向展开的情况下，在对侧气帘进行改进时，无需对内柱饰板等车身结构进行重新设计，大大降低了车辆的改装成本。
一种侧气帘导向支架

[发明专利]应用于LED器件分离的多焦点飞秒激光划片方法-CN201210309067.4无效
发明人：谢海忠;张逸韵;杨华;李璟;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-08-27 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：一种应用于LED器件分离的多焦点飞秒激光划片方法，包括：步骤1：将制备好的LED器件固定在水平移动平台上，并位于CCD成像设备的成像中心；步骤2：在飞秒激光器的激光光路上放置多个透镜，将激光分成多个焦点；步骤3：将多个焦点聚焦在LED器件衬底内部不同深度的部位；步骤4：横向和纵向移动水平移动平台，完成飞秒激光划片；步骤5：对LED器件进行裂片，得到单个LED器件。本发明可以达到不同光束同时切割蓝宝石衬底，实现一次切割、多处划痕的效果，从而实现对较厚蓝宝石衬底的低损伤切割，以达到发光二极管的器件分离。
应用于 led 器件分离焦点激光划片方法

[发明专利]氮化物半导体材料发光二极管及其制备方法-CN201210375144.6无效
发明人：司朝;魏同波;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物半导体材料发光二极管及其制备方法。该氮化物半导体材料发光二极管包括：衬底；n型接触层，其材料为n型的氮化物半导体材料，形成于衬底上；活性发光层，其材料为氮化物半导体材料，形成于n型接触层上；以及p型接触层，其材料为p型的氮化物半导体材料，形成于活性发光层上；其中，活性发光层为由至少两种不同的氮化物半导体材料构成的多周期量子阱结构，该多周期量子阱结构中至少部分量子阱层的氮化物半导体材料为p型掺杂。本发明可以改善氮化物半导体材料发光二极管有源区中空穴的分布。
氮化物半导体材料发光二极管及其制备方法

[实用新型]用于可见光通信的通信系统和便携装置-CN201220334190.7有效
发明人：朱邵歆;闫建昌;杨华;张宁;司朝;曾建平;李晋闽;王军喜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H04B10/116 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于可见光通信的通信系统和便携装置，用于便携装置之间的数据传输，该通信系统包括至少一个第一便携装置(1)和至少一个第二便携装置(2)，其中所述第一便携装置至少包括一个LED灯(3)，该LED灯在时序上的亮灭状态表示所要传送的数据；所述第二便携装置至少包括一个光感应器(4)，该光感应器能够感应所述LED灯在时序上的亮灭状态，从而接收该亮灭状态表示的数据。所述LED灯可由白光LED构成。本实用新型无须增加便携装置的配置，且其数据传输速度最高可达到1Gbits/s，因此具有成本低和效率高的优点。
用于可见光通信通信系统便携装置

[发明专利]便携装置的可见光通信系统与方法-CN201210236374.4无效
发明人：朱邵歆;闫建昌;杨华;张宁;司朝;曾建平;李晋闽;王军喜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-07-09 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H04B10/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种可见光通信系统，用于便携装置之间的数据传输，该系统包括至少一个第一便携装置(1)和至少一个第二便携装置(2)，其中所述第一便携装置至少包括一个LED灯(3)，该LED灯在时序上的亮灭状态表示所要传送的数据；所述第二便携装置至少包括一个光感应器(4)，该光感应器能够感应所述LED灯在时序上的亮灭状态，从而接收该亮灭状态表示的数据。所述LED灯可由白光LED构成。本发明无须增加便携装置的配置，且其数据传输速度最高可达到1Gbits/s，因此具有成本低和效率高的优点。
便携装置可见光通信系统方法

[发明专利]纳米柱发光二极管的制作方法-CN201210180419.0有效
发明人：吴奎;魏同波;闫建昌;刘喆;王军喜;张逸韵;李璟;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种纳米柱发光二极管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上依次外延u-GaN层、n型GaN层、二氧化硅掩蔽层和聚苯乙烯球；采用加热和ICP的方法，刻蚀聚苯乙烯球；采用加温处理，使聚苯乙烯球在二氧化硅掩蔽层的表面有稍微塌陷，把点接触变成面接触；在其上蒸金属；去除聚苯乙烯球表面的金属；采用加热处理和刻蚀二氧化硅掩蔽层；酸液腐蚀去掉金属掩膜，形成二氧化硅纳米孔状阵列结构；在其上依次外延MQW层、EBL层和p-GaN层，形成基片，在基片上生长ITO透明电极；分割成小芯片，将小芯片置于BOE溶液中超声时间为80s，使二氧化硅纳米孔状阵列结构的二氧化硅掩蔽层被腐蚀掉后，被空气包覆，完成器件的制备。该方法使用自组装技术，工艺简单，技术先进，有利于大规模生产。
纳米发光二极管制作方法

[发明专利]基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法-CN201210181322.1有效
发明人：吴奎;魏同波;蓝鼎;闫建昌;刘喆;王军喜;张逸韵;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法，包括：在衬底上依次制作二氧化硅掩蔽层和紧密排列的自组装PS球；刻蚀、加热、蒸镀金属层；去除自组装PS球表面的金属层，形成网孔状金属层；加热使自组装PS球气化形成纳米网孔状金属层；刻蚀网孔状金属层形成二氧化硅纳米网孔阵列；用酸液腐蚀掉纳米网孔状金属层；在二氧化硅纳米网孔阵列上依次外延u-GaN层、n-GaN层、多量子阱结构、电子阻挡层和p-GaN层；将衬底磨抛减薄；在p-GaN层上依次制作金属反射镜、金属支撑衬底；在衬底激光划出沟槽；涂一层光刻胶保护层；超声去掉二氧化硅纳米网孔阵列形成空气桥；放于高温浓硫酸和磷酸混合溶液中或KOH溶液中腐蚀，使衬底与u-GaN层剥离，形成垂直结构LED管芯，形成光子晶体表面。
基于湿法剥离垂直结构发光二极管制作方法

[发明专利]具有反射欧姆接触电极的紫外发光二极管的基片-CN201210162775.X无效
发明人：董鹏;闫建昌;王军喜;孙莉莉;曾建平;丛培沛;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：一种具有反射欧姆接触电极的紫外发光二极管的基片，包括：一衬底；一AlN模板层，其生长在衬底上；一N型AlGaN层，其生长在AlN模板层上；一多量子阱的有源区，其生长在N型AlGaN层上；一电子阻挡层，其生长在多量子阱的有源区上；一P型过渡层，其生长在电子阻挡层上；一P型接触层，其生长在P型过渡层上；一反射欧姆接触电极，其制作在P型接触层上；采用所述基片制备的紫外发光二极管的发光波长范围在200nm-365nm之间。具有较高的紫外反射率，从而提高了紫外发光二极管的光提取效率。
具有反射欧姆接触电极紫外发光二极管

[发明专利]蓝宝石纳米碗阵列图形衬底的制作方法-CN201210180973.9无效
发明人：吴奎;魏同波;闫建昌;刘喆;王军喜;张逸韵;李璟;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：一种蓝宝石纳米碗阵列图形衬底的制作方法，包括如下步骤：1)在蓝宝石衬底表面排列一单层紧密排列的聚苯乙烯球；2)在聚苯乙烯球的间隙填充二氧化硅凝胶；3)加温加热处理，使聚苯乙烯球气化，在二氧化硅凝胶的表面形成二氧化硅纳米碗阵列掩模；4)采用ICP的方法，干法刻蚀或者湿法刻蚀，把二氧化硅纳米碗阵列掩膜转移到蓝宝石衬底上；5)在BOE溶液中进行处理，将蓝宝石衬底表面残留的二氧化硅凝胶去除干净，形成蓝宝石纳米碗阵列图形，完成制作。本方法能降低氮化物外延层中的位错密度，提高外延材料的晶体质量，大大提高出光效率，改善器件的性能。
蓝宝石纳米阵列图形衬底制作方法

[发明专利]用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法-CN201210184727.0无效
发明人：吴奎;魏同波;闫建昌;刘喆;王军喜;张逸韵;李璟;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-06-06 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法，包括如下步骤：1)在LED的电流扩展层的表面排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球；2)在自组装聚苯乙烯球的间隙填充二氧化硅凝胶；3)加热，将聚苯乙烯球气化，形成二氧化硅纳米碗阵列，该二氧化硅纳米碗阵列覆盖于电流扩展层的表面；4)采用ICP干法刻蚀，把纳米碗阵列转移到电流扩展层上；5)在BOE或HF溶液中处理，将电流扩展层表面残留的二氧化硅凝胶去除干净，形成电流扩展层的纳米碗阵列。本发明可以提高发光二极管出光效率，得到较佳的发光强度。
用于 gan led ito 纳米阵列方法

[发明专利]具有空气桥结构发光二极管的制作方法-CN201210180422.2有效
发明人：吴奎;魏同波;闫建昌;刘喆;王军喜;张逸韵;李璟;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种具有空气桥结构发光二极管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上淀积二氧化硅掩蔽层；在其上排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球；第一次加热和采用ICP刻蚀的方法，刻蚀自组装聚苯乙烯球；第二次加热和在自组装聚苯乙烯球的间隙、表面及掩蔽层的表面蒸镀金属掩膜；去除自组装聚苯乙烯球表面的金属掩膜；采用温度处理使自组装聚苯乙烯球气化，在掩蔽层上形成网孔状的金属掩膜；刻蚀掩蔽层；酸液腐蚀掉金属网孔状的金属掩膜，形成二氧化硅的纳米孔状阵列结构；在纳米孔状阵列结构上依次外延u-GaN层、n-GaN层、多量子阱结构、电子阻挡层和p-GaN层，形成芯片；将芯片置于HF溶液中超声，使u-GaN层中的掩蔽层被腐蚀掉后，被空气包覆，完成发光二极管的制作。
具有空气结构发光二极管制作方法

[发明专利]在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法-CN201210184531.1无效
发明人：吴奎;魏同波;闫建昌;刘喆;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-06-06 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法，包括如下步骤：1)用碱液或混酸腐蚀蓝宝石衬底上的GaN模以形成六角微坑；2)采用ICP的方法，继续刻蚀六角微坑，在六角微坑周围形成GaN纳米柱；3)采用MOCVD的方法，在GaN纳米柱上外延GaN LED层，使GaN层与蓝宝石衬底之间形成空气柱，完成制备。采用本发明的方法，可有效降低GaN外延层的位错密度，提高外延材料的晶体质量和均匀性。
低位 gan 纳米外延 led 方法

[发明专利]提高紫外发光二极管出光效率的方法-CN201210162627.8无效
发明人：董鹏;王军喜;闫建昌;张逸韵;孙莉莉;曾建平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种提高紫外发光二极管出光效率的方法，包括如下步骤：步骤1：一紫外发光二极管外延片；步骤2：在紫外发光二极管外延片的蓝宝石衬底的背面生长一氮化物层；步骤3：将氮化物层的表面粗化，完成制备，该方法简单方便易行，与传统LED工艺相兼容。
提高紫外发光二极管效率方法

[发明专利]LED封装结构及封装成型方法-CN201210123623.9无效
发明人：卢鹏志;杨华;王晓彤;王琳琳;李璟;伊晓燕;王军喜;王国宏 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L33/56 文献下载
摘要：本发明提供一种LED封装结构及封装成型方法，该LED封装结构包括：一LED支架；一LED芯片，固定于LED支架的表面；两条金属线，用于LED支架与LED芯片的连接；多层硅胶层，封盖于LED支架、LED芯片和两条金属线上。通过本发明的LED封装方法得到的封装结构，可以有效的改善LED的光斑和光型，使LED出光均匀，减少光功率损失，提高外量子效率和LED可靠性，降低光衰。
led 封装结构成型方法